9月9日，廣東省江門市生態(tài)環(huán)境局新會分局發(fā)布了“冠鼎半導體氮化鎵功率半導體生產新建項目”的環(huán)評文件受理公告。
公告顯示，冠鼎半導體氮化鎵功率半導體生產項目選址位于江門市新會區(qū)崖門鎮(zhèn)，屬于新建項目，項目總投資1.055億元，租賃江門市旭暉紡織有限公司已建廠房，廠房面積為2630平方米。
該項目計劃年加工氮化鎵功率半導體1500萬件，主要生產設施包括萬級潔凈室和十萬級潔凈室，將配備固晶機、焊線機、離子清洗機等關鍵設備。
資料顯示，冠鼎半導體成立于2023年8月，為江門市鼎翔電子科技有限公司控股（持股比例82%）子公司。鼎翔電子成立于2012年6月，是一家集模具設計、開發(fā)、生產、銷售為一體的，專業(yè)從事發(fā)光二極管（LED）引線框架（2002系列、2003系列、2004系列、紅外發(fā)射接收管等）、塑封三極管引線框架（TO-92系列、TO-126系列、SOT-23系列、SOD系列）和精密電子元器件生產的工廠。
近期，氮化鎵產線建設熱度不減，8月18日，WaveLoad對外宣布，其計劃明年年初量產氮化鎵外延片。WaveLoad已在韓國京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達1000級的無塵室，可批量生產氮化鎵外延片。該設施可生產4英寸和8英寸氮化鎵外延片，產能分別為2,000片/月和500片/月。
9月2日晚，國內廠商芯聯集成披露了2024年上半年業(yè)績電話說明會相關內容。會上，芯聯集成表示，其將增加氮化鎵產品線，來滿足新應用的需求。
值得一提的是，英飛凌近日宣布已成功開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產2.3倍數量的芯片，技術和效率顯著提升。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。