中瓷電子:已有多款1.6T光模塊產(chǎn)品處于小批量交付階段

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 01 月 23 日 18:00 | 分類 企業(yè)

1月22日,中瓷電子在投資者互動平臺表示,目前公司已有多款1.6T光模塊產(chǎn)品處于用戶交樣階段,性能已通過客戶驗證,處于小批量交付階段。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

資料顯示,中瓷電子專業(yè)從事電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,公司主要產(chǎn)品包括光通信器件外殼、無線功率器件外殼、5G通信終端模塊外殼等,應用于光通信、無線通信、消費電子、汽車電子等領域。

據(jù)稱,公司電子陶瓷外殼類產(chǎn)品是高端半導體元器件中實現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路連接的重要橋梁,對半導體元器件性能具有重要作用和影響。公司已經(jīng)可以設計開發(fā)400G光通信器件外殼,與國外同類產(chǎn)品技術水平相當。

據(jù)中瓷電子介紹,公司無線功率器件外殼可用于封裝Si、GaAs、GaN等芯片的分立器件和模塊,種類覆蓋Bipolar、LDMOS、GaN和大功率晶體管等功率器件。

目前,以SiC和GaN為代表的第三代半導體市場一片火熱,中瓷電子業(yè)務布局也正在向第三代半導體產(chǎn)業(yè)傾斜。

2023年3月,中瓷電子宣布擬向不超過35名特定對象發(fā)行股份,募集配套資金總額不超過25億,投向GaN微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設項目、通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設項目、第三代半導體工藝及封測平臺建設項目以及SiC高壓功率模塊關鍵技術研發(fā)項目。

通過實施上述四大項目,中瓷電子有望實現(xiàn)GaN通信射頻芯片設計、制造、封裝、測試和銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,并具備SiC功率模塊的設計、生產(chǎn)、銷售能力。

目前,在SiC進展方面,中瓷電子子公司北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司(以下簡稱國聯(lián)萬眾)電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功正在交客戶上車驗證中,有小批量銷售。

據(jù)悉,國聯(lián)萬眾現(xiàn)有的SiC功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產(chǎn)品,未來擬攻關高壓SiC功率模塊領域。目前,國聯(lián)萬眾車規(guī)級SiC MOSFET模塊已向國內(nèi)一線車企穩(wěn)定供貨數(shù)百萬只。

GaN進展方面,中瓷電子子公司博威集成電路擴建工程第三代半導體功率器件產(chǎn)業(yè)化項目已建成并投入使用,項目主要產(chǎn)品為GaN通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品,產(chǎn)能規(guī)劃為600萬只/年。(集邦化合物半導體Zac整理)

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