繼斯科半導(dǎo)體碳化硅芯片模組項(xiàng)目、天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、芯華睿Si/SiC 車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目 等多個(gè)SiC獲得最新進(jìn)展以后，近日，江蘇再添一個(gè)SiC項(xiàng)目。
3月2日，利普思半導(dǎo)體發(fā)文宣布，他們位于江蘇揚(yáng)州的SiC模塊封裝測(cè)試基地建設(shè)正式啟動(dòng)。據(jù)悉，3月1日，利普思車規(guī)級(jí)第三代功率半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目在揚(yáng)州市江都區(qū)正式啟動(dòng)，該項(xiàng)目總投資額高達(dá)10億元人民幣，占地面積32畝。該項(xiàng)目建成后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC模塊300萬只，年銷售收入10億元，年稅收5000萬元。
建設(shè)規(guī)劃在具體建設(shè)規(guī)劃方面，利普思半導(dǎo)體SiC模塊封裝測(cè)試基地將分階段推進(jìn)。
? 一期工程預(yù)計(jì)耗時(shí) 18 個(gè)月，重點(diǎn)建設(shè)高潔凈度的封裝車間，配備先進(jìn)的自動(dòng)化封裝生產(chǎn)線。這些生產(chǎn)線將引入高精度的芯片貼裝設(shè)備，確保芯片在封裝過程中的精準(zhǔn)定位，同時(shí)采用先進(jìn)的引線鍵合工藝，保障電氣連接的穩(wěn)定性與可靠性。
?? 二期工程計(jì)劃在一期基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充與技術(shù)升級(jí)。屆時(shí)，將引入更先進(jìn)的封裝材料和工藝，如采用新型的陶瓷封裝材料，提升模塊的散熱性能和電氣絕緣性能。同時(shí)，加大對(duì)研發(fā)實(shí)驗(yàn)室的投入。
公司背景官方資料顯示，利普思半導(dǎo)體自2019年11月成立以來，便專注于第三代功率半導(dǎo)體SiC模塊的封裝設(shè)計(jì)、制造與銷售，產(chǎn)品廣泛滲透至新能源汽車、工業(yè)控制、新能源發(fā)電及儲(chǔ)能等多個(gè)熱門領(lǐng)域。公司總部位于江蘇無錫，除了此次開工的揚(yáng)州生產(chǎn)基地外，在無錫和日本也分別設(shè)有研發(fā)中心與生產(chǎn)線。
目前，利普思的無錫制造基地裝備了兩條生產(chǎn)線，分別用于生產(chǎn)SiC模塊和IGBT模塊，總年產(chǎn)能為90萬個(gè)模塊。其中，無錫工廠的車規(guī)級(jí)SiC功率模塊封裝測(cè)試產(chǎn)線于2022年投產(chǎn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)30萬個(gè)SiC模塊。此外，利普思的日本子公司生產(chǎn)線主要生產(chǎn)SiC模塊，年產(chǎn)能為30萬個(gè)模塊。
技術(shù)研發(fā)
在技術(shù)研發(fā)方面，利普思不斷取得新進(jìn)展。公司匯聚了涵蓋芯片設(shè)計(jì)、封裝材料、模塊封裝設(shè)計(jì)、生產(chǎn)工藝以及模塊應(yīng)用等各領(lǐng)域的專家團(tuán)隊(duì)。其模組方案采用自研的芯片表面連接ArcBonding專利技術(shù)，不僅能夠出色地實(shí)現(xiàn)電流均流，還顯著提升了模組的電流能力、功率密度與可靠性。
合作進(jìn)展
在合作方面，2024年9月5日，公司具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅sic模塊在經(jīng)過一年多的海外客戶端評(píng)價(jià)測(cè)試后，正式獲得北美知名新能源汽車tier1項(xiàng)目定點(diǎn)，預(yù)計(jì)于2025年第三季度正式量產(chǎn)。該產(chǎn)品基于800v電壓平臺(tái)，峰值功率可達(dá)250kw，2026年目標(biāo)需求為6萬只。
融資情況
融資層面，在2023年11月，公司完成近億元A輪融資，時(shí)隔僅3個(gè)月，在2024年初該公司又宣布完成數(shù)千萬人民幣A+輪融資，投資方為上海聯(lián)新資本、軟銀中國(guó)。這些資金將主要用于增強(qiáng)研發(fā)力量，加大其在電動(dòng)汽車市場(chǎng)的推廣力度。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）
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