臺亞氮化鎵產(chǎn)品預(yù)計2023年之前送樣

作者 | 發(fā)布日期 2022 年 06 月 24 日 11:30 | 分類 產(chǎn)業(yè)

臺亞昨(23)日召開股東會,新任總經(jīng)理衣冠君會后受訪時表示,目前積極轉(zhuǎn)型往半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,擴大招募半導(dǎo)體專業(yè)經(jīng)理人及研發(fā)人員加入團(tuán)隊,目標(biāo)在搶攻次世代感測元件于工業(yè)應(yīng)用、電動車電源、感測芯片等利基市場。

除了次世代感測元件,臺亞2021年開始籌建積亞半導(dǎo)體(Pro-Asia Semiconductor Corporation)專注開發(fā)以碳化硅(SiC)襯底的高功率元件。今年更進(jìn)一步規(guī)劃下半年擴大臺亞現(xiàn)有廠房潔凈室區(qū)域,投入氮化鎵(GaN)磊晶及元件的研發(fā)及生產(chǎn),預(yù)計于2023年前提供樣品供合作客戶進(jìn)行驗證。

臺亞新任總經(jīng)理衣冠君表示,臺亞過去在磊晶及分離器件制造技術(shù)上已有相當(dāng)深厚的基礎(chǔ),將擴大加強與上游IC設(shè)計公司及下游封測及產(chǎn)品的合作,將可于短時間內(nèi)制作出高電子遷移率晶體管(Power HEMT)樣品,提供給客戶進(jìn)行驗證。

臺亞將以氮化鎵為基礎(chǔ)的第三代半導(dǎo)體的功率器件作為主要產(chǎn)品,其相對于硅基的元件可以耐更高的電壓,比起碳化硅的元件能有有更低的功耗,未來將結(jié)合氮化鎵與碳化硅,發(fā)展出高頻高效的射頻器件及模塊。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

臺亞新總經(jīng)理衣冠君曾任半導(dǎo)體設(shè)備大廠科林研發(fā)資深總監(jiān)、德州儀器、茂德、茂硅等半導(dǎo)體公司,擁有超過20年豐富半導(dǎo)體制造廠管理經(jīng)驗。臺亞半導(dǎo)體公司自2019年由光磊科技更名以后,持續(xù)推動產(chǎn)品由光電朝向硅電多元化發(fā)展。

而為應(yīng)對市場需求成長,臺亞于今年將投入8億元新臺幣擴產(chǎn)高階產(chǎn)品,包括高性能光耦元件、長波長VCSEL/LED、與長波長PD等,新產(chǎn)能自今年上半年開始拉升。

而在23日股東會會后衣冠君總經(jīng)理受訪時更進(jìn)一步揭露,臺亞在于第三代半導(dǎo)體的時程規(guī)劃與目標(biāo),未來將持續(xù)采穩(wěn)健的投資以支持第三代半導(dǎo)體研發(fā)及應(yīng)用,爭取在全球眾多競爭者中脫穎而出。(來源:工商時報)

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