毒龙导航精品福利国产100页,国产高清一区二区,国产免费131美女视频 http://juzizheng.cn 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站,提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會以及分析報告。 Mon, 04 Nov 2024 06:24:22 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 印度氮化鎵創(chuàng)企Agnit完成350萬美元融資 http://juzizheng.cn/info/newsdetail-69991.html Mon, 04 Nov 2024 10:00:59 +0000 http://juzizheng.cn/?p=69991 11月3日,近日,據(jù)印度經(jīng)濟(jì)時報消息,一家源自印度科學(xué)研究所(Indian Institute of Science)的氮化鎵半導(dǎo)體初創(chuàng)公司Agnit已經(jīng)完成350萬美元(約2490萬人民幣)的種子輪融資,由3one4 Capital、Zephyr Peacock領(lǐng)投。

據(jù)悉,Agnit本輪融資資金將用于提升4英寸GaN-on-SiC(碳化硅基氮化鎵)外延片的生產(chǎn)質(zhì)量,滿足射頻器件的需求,同時提高6英寸GaN-on-Silicon(硅基氮化鎵)晶圓的生產(chǎn)能力,以應(yīng)對功率器件市場需求。資金還將用于增強(qiáng)器件的可靠性,符合市場的多種標(biāo)準(zhǔn)。此外,這筆投資還將支持原型開發(fā),尤其是面向印度本土市場的功率器件和電信領(lǐng)域的射頻器件。

Agnit氮化鎵布局進(jìn)展及未來規(guī)劃

從業(yè)務(wù)布局方面來看,Agnit最初聚焦于射頻(RF)領(lǐng)域,隨后擴(kuò)展到功率器件市場。在氮化鎵領(lǐng)域,Agnit采用的是完全自主研發(fā)的氮化鎵技術(shù),并不依賴進(jìn)口技術(shù)。

為了支持器件開發(fā),Agnit當(dāng)前在內(nèi)部進(jìn)行芯片封裝,計劃在進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)后,將封裝工序外包給印度本地成熟的供應(yīng)鏈。此外,Agnit還在積極探索全球合作伙伴關(guān)系,以利用全球的氮化鎵芯片封裝產(chǎn)能。

除了生產(chǎn)氮化鎵器件,Agnit還提供氮化鎵外延片的供應(yīng)。這項業(yè)務(wù)起初主要面向?qū)W術(shù)界,而隨著產(chǎn)能增加,Agnit正計劃將氮化鎵外延片拓展至全球市場,建立與芯片制造商的代工合作關(guān)系。

展望未來,Agnit計劃兩年內(nèi)推出首批功率器件的樣品,供客戶系統(tǒng)集成測試。如果市場順利打開,Agnit預(yù)計未來幾年大部分銷售將集中在印度國內(nèi),但約30%的產(chǎn)品將出口海外。

氮化鎵相關(guān)廠商融資熱

當(dāng)前,全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入快速發(fā)展階段。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示,2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元(約19.28億人民幣),至2030年有望上升至43.76億美元(約311.26億人民幣),CAGR(復(fù)合年增長率)高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動等場景為核心。

氮化鎵產(chǎn)業(yè)的火熱發(fā)展,帶動廠商合作、項目建設(shè)、投融資等熱度持續(xù)上漲。在投融資方面,據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計,今年下半年以來,除Agnit外,還有鎵銳芯光、SweGaN、晶通半導(dǎo)體、氮矽科技4家氮化鎵相關(guān)廠商完成了新一輪融資。

其中,鎵銳芯光母公司長光華芯正在發(fā)力氮化鎵基激光器領(lǐng)域,長光華芯全資子公司蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司與中科院蘇州納米所成立了“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”,拓展氮化鎵材料的藍(lán)綠激光方向應(yīng)用。

據(jù)了解,氮化鎵激光器具有直接發(fā)光、高效率、高穩(wěn)定性等優(yōu)勢,其中,藍(lán)光和綠光波段的氮化鎵激光器產(chǎn)品,已經(jīng)在激光加工(有色金屬加工、激光直寫)、激光顯示(激光大屏電視,XR微投影)、激光照明(車載大燈)、特殊通信等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。

今年8月,SweGaN宣布,其生產(chǎn)GaN-on-SiC晶圓的新工廠已開始出貨,產(chǎn)品將用于下一代5G先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)高功率射頻應(yīng)用。據(jù)悉,SweGaN新工廠于2023年3月動工建設(shè),可年產(chǎn)4萬片4/6英寸GaN-on-SiC外延片。

作為一家專注于氮化鎵功率器件、氮化鎵集成驅(qū)動芯片和氮化鎵肖特基二極管的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的初創(chuàng)企業(yè),晶通半導(dǎo)體是國內(nèi)少數(shù)能提供氮化鎵功率器件和驅(qū)動芯片共同優(yōu)化及設(shè)計集成方案的功率半導(dǎo)體公司。

目前,氮矽科技致力于研發(fā)分離式氮化鎵柵極驅(qū)動芯片及增強(qiáng)型氮化鎵晶體管,其驅(qū)動及晶體管產(chǎn)品已完成流片、封裝及應(yīng)用搭建,正在進(jìn)行客戶導(dǎo)入。

小結(jié)

目前,消費(fèi)電子仍然是功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場,而氮化鎵技術(shù)在AI、汽車功率電子、人形機(jī)器人等領(lǐng)域的應(yīng)用正在持續(xù)滲透。

TrendForce集邦咨詢認(rèn)為,功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時刻,幾大潛力應(yīng)用同步推動著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長。同時,為了進(jìn)入更為復(fù)雜的大功率、高頻化場景,氮化鎵在可靠性基礎(chǔ)上有望引入新結(jié)構(gòu)、新工藝,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動能。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)

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