據了解,立琻半導體化合物半導體光電器件研發(fā)制造基地位于江蘇太倉高新區(qū),一期投資10億元,于去年11月正式落成,打造化合物半導體光電器件研發(fā)制造基地,主要產品包括高效紫外LED、紅外VCSEL、車用LED等高性能半導體光電器件。
資料顯示,立琻半導體成立于2021年3月,主要產品包括紫外高功率半導體光源芯片、像素化矩陣式智能車燈光源芯片等。公司在2023年3月完成近億元A輪融資,由中鑫資本領投,這是其繼去年7月獲得LG Innotek入股以來又一筆融資。
圖片來源:拍信網正版圖庫
根據立琻半導體資料顯示,其成功收購世界500強LG的光電化合物半導體事業(yè)部資產,包括近萬件專利(其中90%為海外專利)、相關技術與成套工藝設備,并在2022年3月完成交割,成為國內擁有化合物半導體高價值專利數最多的公司之一。
近年來,立琻半導體積極把握當前汽車產業(yè)“新能源化和智能化”的發(fā)展契機,布局汽車下一代光電芯片的研發(fā)與車規(guī)級芯片制造,通過布局InGaN(銦鎵氮)基像素化矩陣式智能車大燈光源芯片、AlGaN(鋁鎵氮)基高效大功率深紫外光源芯片、GaAs (砷化鎵)基紅外激光雷達芯片三款光電芯片產品,加快推進汽車向智能化方向發(fā)展。
據立琻半導體芯片技術總監(jiān)劉樂功介紹,InGaN基像素化矩陣式智能車大燈光源芯片的自主研發(fā)工作正有序推進,今年年底將給下游客戶提供樣品。
在此基礎上,立琻半導體還聯(lián)合中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所建立AlGaN基深紫外大功率高效LED聯(lián)合實驗室,并與材料科學姑蘇實驗室共同研發(fā),攻克深紫外LED產業(yè)化的共性關鍵技術。
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]]>該標準由晶能光電牽頭,寧波大央科技、佛山照明、漢華光電子以及中國科學院半導體研究所、國星光電、立達信、鴻利智匯、珈偉新能等共同提案。標準于2020年6月立項,并確定聯(lián)盟標準編號為T/CSA 073-202X。
該標準規(guī)定了紫外LED誘蚊燈的技術要求和試驗方法,適用于各種室內場所光源峰值波長范圍為365nm~400nm的紫外LED誘蚊燈,氣味、溫度、二氧化碳等輔助LED紫外誘蚊方式的誘蚊燈,可以參考使用。
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據悉,紫外LED誘蚊燈作為一種現(xiàn)有的蚊蟲防控技術,在我國的商用以及家用市場具有廣泛的應用。目前我國商用誘蚊燈的年出貨量在每年1000萬臺以上,其光源主要以傳統(tǒng)CCFL燈管為主;家用市場的年出貨量為3000萬臺以上,光源主要以365nm以上的紫外LED光源為主。預計到2025年,紫外LED誘蚊燈的市場替換率將達到90%。
但鑒于之前沒有紫外LED誘蚊燈的標準或規(guī)范,市場出現(xiàn)了各種粗制濫造的低劣產品,影響了紫外LED誘蚊燈的市場,嚴重制約了紫外LED誘蚊燈產業(yè)的健康發(fā)展。本團體標準的發(fā)布,有助于進一步規(guī)范室內紫外LED誘蚊燈的產品質量,推動市場良性競爭。(LEDinside整理)
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]]>不同于成熟的藍光LED,由于紫外LED的核心材料具有更低的In含量和更高的Al含量,這使得外延層缺陷密度高、p-AlGaN材料中空穴濃度低、極化效應強、載流子輸運不平衡等問題極為突出。因此,紫外LED的發(fā)光效率仍遠低于成熟的藍光LED。當發(fā)光波長低于370nm時,紫外LED更是面臨著發(fā)光效率驟降的難題,成為阻礙其高端應用的最大障礙。
針對以上問題,廣東省科學院半導體研究所先進材料平臺從材料生長和器件設計兩方面對紫外LED展開了較系統(tǒng)深入的技術研發(fā)。
首先,采用MOCVD精細生長模式調控技術成功制備出高質量AlGaN材料和高內量子效率的AlGaN量子阱;同時,研究人員采用極化場調控技術和能帶工程,將多元合金p-AlInGaN/AlGaN短周期超晶格材料(SPSL)引入到AlGaN基紫外LED的電子阻擋層(EBL)結構中,成功研制出高內量子效率的紫外LED器件。
結果表明SPSL-EBL能改善紫外LED器件的載流子傳輸特性,降低器件的開啟電壓,使得發(fā)光波長在368 nm的紫外LED器件發(fā)光效率比傳統(tǒng)結構提高了101.6%,此項研究將會為高效率的全固態(tài)紫外光源的研發(fā)開辟新路徑。
以上部分工作結果近日發(fā)表于國際權威期刊《Journal of Materials Chemistry C》。
圖1 (a) 基于p-AlInGaN/AlGaN SPSL-EBL的紫外LED器件結構示意圖;
(b) 368 nm紫外LED外延片(左)和晶圓上的芯片照片(右)。
圖2 (a)- (d)和(e)- (h)分別為傳統(tǒng)結構和基于SPSL-EBL結構的紫外LED截面STEM圖,
兩種樣品的晶體質量良好,各異質結界面清晰;
(j)和(k)分別為傳統(tǒng)紫外LED基于SPSL紫外LED在200mA正向電流注入下的點亮照片,
芯片B的紫外光功率相比傳統(tǒng)結構的紫外LED提高了101.6%
來源:廣東省科學院
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