TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報(bào)告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到碳化硅供應(yīng)鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，碳化硅在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金（約664億人民幣）。

整體來看，碳化硅市場正處于快速成長階段，規(guī)模經(jīng)濟(jì)比任何其他因素更為重要。在此背景下，各大廠商激進(jìn)投資碳化硅擴(kuò)張計(jì)劃，在全球范圍內(nèi)掀起了一股碳化硅擴(kuò)產(chǎn)潮，但在瘋狂的產(chǎn)能擴(kuò)張背后亦隱藏著產(chǎn)能過剩和價(jià)格風(fēng)險(xiǎn)。

大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)潮來襲，全球碳化硅襯底產(chǎn)能爆發(fā)式增長

在被視為碳化硅爆發(fā)元年的2022年，大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)成為行業(yè)重頭戲，新立項(xiàng)/簽約碳化硅相關(guān)項(xiàng)目超過20個(gè)。

2023年，碳化硅賽道擴(kuò)產(chǎn)熱度依舊居高不下，甚至有愈演愈烈的跡象，不僅有更多廠商加入碳化硅擴(kuò)產(chǎn)行列，更有巨頭多次出手。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，2023年國內(nèi)共有近40項(xiàng)碳化硅相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目啟動(dòng)，國外企業(yè)也有近20項(xiàng)碳化硅相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目已經(jīng)或?qū)⒁涞亍＿@些項(xiàng)目背后，不乏Wolfspeed、天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓等碳化硅襯底頭部廠商的身影。

時(shí)間來到2024年，部分碳化硅襯底大廠在產(chǎn)能擴(kuò)張方面的比拼愈發(fā)激烈，又有更多大項(xiàng)目進(jìn)入了落地實(shí)施階段或取得了最新進(jìn)展。

2024年，天科合達(dá)、三安光電、同光股份、東尼電子、爍科晶體、羅姆等廠商旗下年產(chǎn)能數(shù)十萬片碳化硅襯底的大項(xiàng)目紛紛披露了最近動(dòng)態(tài)，其中部分項(xiàng)目已經(jīng)進(jìn)入了驗(yàn)收、投產(chǎn)階段，隨著這些項(xiàng)目開始產(chǎn)能爬坡，又將對當(dāng)前的碳化硅襯底市場供應(yīng)造成不小的沖擊。

從存量碳化硅襯底項(xiàng)目的建設(shè)周期來看，短則1-2年，長則2-3年，一個(gè)項(xiàng)目即可完成從簽約落地到量產(chǎn)出貨的全過程。按這個(gè)規(guī)律來看，在過去2-3年間新立項(xiàng)的碳化硅襯底項(xiàng)目，大部分都已陸續(xù)投產(chǎn)，且達(dá)產(chǎn)產(chǎn)能都較高。

以天科合達(dá)為例，目前，天科合達(dá)旗下碳化硅襯底生產(chǎn)項(xiàng)目已達(dá)5個(gè)。除了近期開工的天科合達(dá)碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地二期項(xiàng)目外，天科合達(dá)在北京的現(xiàn)有廠區(qū)為其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地一期項(xiàng)目，已于2022年11月完成了竣工環(huán)境保護(hù)自主驗(yàn)收，年產(chǎn)6英寸碳化硅襯底15萬片；2019年12月，江蘇天科合達(dá)碳化硅晶片一期項(xiàng)目建成投產(chǎn)，可年產(chǎn)4-8英寸碳化硅襯底6萬片；2023年8月，江蘇天科合達(dá)徐州碳化硅晶片二期項(xiàng)目開工，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底16萬片；2024年2月，由天科合達(dá)子公司深圳重投天科負(fù)責(zé)運(yùn)營的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟動(dòng)，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片。

碳化硅襯底價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)起云涌

受良率、成本等方面的影響，碳化硅襯底產(chǎn)能曾經(jīng)是制約碳化硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的一個(gè)重要因素。隨著近年來全球碳化硅襯底產(chǎn)能大幅提升，部分業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心短期內(nèi)碳化硅襯底將出現(xiàn)供過于求現(xiàn)象，曾經(jīng)的短缺局面已經(jīng)一去不復(fù)返。

類似的擔(dān)心并非空穴來風(fēng)，碳化硅襯底市場價(jià)格的持續(xù)走低已經(jīng)在一定程度上印證了這一點(diǎn)。今年年初，有市場消息稱，國內(nèi)主流6英寸碳化硅襯底報(bào)價(jià)參照國際市場每片750-800美元（約5400-5800元人民幣）的價(jià)格，快速下殺，價(jià)格跌幅近三成。

而在近期，據(jù)國內(nèi)市場多位行業(yè)人士透露，2024年中期6英寸碳化硅襯底的價(jià)格已跌至500美元以下，到今年第四季度，價(jià)格進(jìn)一步下降至450美元甚至400美元。

對于當(dāng)前主流的6英寸碳化硅襯底產(chǎn)品價(jià)格是否會進(jìn)一步下探，天岳先進(jìn)董事長、總經(jīng)理宗艷民近期曾表示，碳化硅襯底價(jià)格會下降，一方面是由于技術(shù)的提升和規(guī)?；?yīng)推動(dòng)襯底成本的下降；另一方面，目前碳化硅襯底價(jià)格比硅襯底高，而價(jià)格下降有助于下游應(yīng)用的擴(kuò)展，推動(dòng)碳化硅更加廣闊的滲透應(yīng)用。

宗艷民認(rèn)為，與其他半導(dǎo)體材料類似，目前國內(nèi)外頭部企業(yè)會根據(jù)市場情況、自身產(chǎn)品、具體客戶等因素綜合考慮定價(jià)策略，而部分新進(jìn)參與者也會通過降價(jià)獲得市場，這符合行業(yè)發(fā)展規(guī)律。

不難看出，隨著未來全球存量碳化硅襯底項(xiàng)目產(chǎn)能的進(jìn)一步釋放，以及部分玩家新增產(chǎn)能的入局，碳化硅襯底的價(jià)格仍有一定的下行空間。

對產(chǎn)業(yè)而言，碳化硅襯底價(jià)格下探是利好消息，有利于應(yīng)用范圍擴(kuò)大和市場規(guī)模提升，但對廠商而言，帶來的更多是壓力。

隨著新能源汽車市場需求疲軟，碳化硅襯底需求也有所縮減。為了爭奪訂單，碳化硅襯底廠商不斷降低價(jià)格。如果訂單量足夠大，國內(nèi)碳化硅襯底廠商愿意進(jìn)一步降低價(jià)格。由于國際廠商與客戶大多簽訂了長期供應(yīng)合約，國內(nèi)廠商的激烈價(jià)格戰(zhàn)對他們造成的影響較小，國際供應(yīng)商的6英寸碳化硅襯底報(bào)價(jià)維持在750至800美元之間。

探索應(yīng)對碳化硅襯底價(jià)格戰(zhàn)的最優(yōu)解

近期，國內(nèi)碳化硅相關(guān)廠商陸續(xù)發(fā)布了Q3業(yè)績，與部分器件、設(shè)備廠商相比，襯底廠商在營收和凈利方面都還有很大的提升空間。

以天岳先進(jìn)為例，作為全球碳化硅襯底頭部廠商之一，天岳先進(jìn)Q3實(shí)現(xiàn)營收3.69億元，同比下滑4.60%；歸母凈利潤0.41億元，同比增長982.08%；歸母扣非凈利潤0.39億元。

面對價(jià)格下滑的趨勢，部分碳化硅襯底廠商希望通過擴(kuò)大產(chǎn)能搶占更多市場份額進(jìn)而改善業(yè)績表現(xiàn)，但一味的擴(kuò)產(chǎn)還將加劇市場競爭，是一把雙刃劍。

面對當(dāng)前各大廠商整體的設(shè)備產(chǎn)能已高于市場實(shí)際需求量的現(xiàn)狀，一味的卷產(chǎn)能會增加相關(guān)企業(yè)的資本支出，而對業(yè)績的正面拉動(dòng)作用并不大，甚至加劇企業(yè)的運(yùn)營壓力，失去了擴(kuò)產(chǎn)的意義。

那么，碳化硅襯底廠商能否找到應(yīng)對價(jià)格戰(zhàn)、獲得業(yè)績增量的破局之法？答案是肯定的。在價(jià)格下滑的趨勢下，尋求降低生產(chǎn)成本是一個(gè)突破口。目前看來，碳化硅襯底降成本主要有兩個(gè)值得努力的方向，其一是8英寸轉(zhuǎn)型，其二是良率。

據(jù)悉，8英寸碳化硅襯底更具備綜合成本優(yōu)勢，雖然制備成本增加，但合格芯片產(chǎn)量大幅增加。對下游客戶來說，推動(dòng)6英寸往8英寸的方向升級，是重要的降本路徑之一。

在今年9月舉行的2024年上半年業(yè)績說明會上，天岳先進(jìn)相關(guān)人員表示，8英寸產(chǎn)品在客戶端驗(yàn)證通過后，客戶大多都會選擇往8英寸升級轉(zhuǎn)型。

除了向大尺寸襯底演進(jìn)之外，碳化硅襯底的生產(chǎn)良率同樣意義重大，在一定程度上決定產(chǎn)品的成本優(yōu)化，有助于碳化硅滲透率提升。

在良率方面，碳化硅襯底廠商能夠通過加大技術(shù)研發(fā)力度和前沿技術(shù)布局，在晶體生長和缺陷控制等核心技術(shù)領(lǐng)域不斷突破技術(shù)瓶頸，提高產(chǎn)品良率，進(jìn)而持續(xù)降低制備成本。

襯底制備技術(shù)升級迭代已成為各大廠商關(guān)注的焦點(diǎn)，在今年7月8日晚間，天岳先進(jìn)曾公告，擬以定增募資3億元，用于投資8英寸車規(guī)級碳化硅襯底制備技術(shù)提升項(xiàng)目。

在國內(nèi)碳化硅襯底市場競爭日趨激烈的情況下，有業(yè)內(nèi)人士透露，國內(nèi)碳化硅襯底廠商也在積極拓展海外業(yè)務(wù)，盡管國際報(bào)價(jià)高于國內(nèi)，但仍遠(yuǎn)低于國際市場平均水平。

經(jīng)過多年深耕，部分國內(nèi)廠商的碳化硅襯底在技術(shù)和品質(zhì)方面已達(dá)到國際生產(chǎn)水準(zhǔn)，疊加在價(jià)格方面具有一定的競爭力，為國內(nèi)廠商打入國際功率器件大廠供應(yīng)鏈創(chuàng)造了條件。2023年，天岳先進(jìn)、天科合達(dá)和三安光電與博世、英飛凌、意法半導(dǎo)體等達(dá)成了一系列戰(zhàn)略合作。未來，面臨價(jià)格戰(zhàn)的國內(nèi)碳化硅襯底廠商將加速出海。

總結(jié)

在向新能源汽車、光儲充等應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)滲透的同時(shí)，伴隨著AI浪潮席卷全球，碳化硅在數(shù)據(jù)中心等新興場景的應(yīng)用能見度正在持續(xù)提升，有望成為碳化硅產(chǎn)業(yè)新的增量市場，為包括襯底企業(yè)在內(nèi)的碳化硅廠商創(chuàng)造更多緩解價(jià)格戰(zhàn)緊張局面的機(jī)會。

在碳化硅襯底市場競爭激烈的情況下，已進(jìn)入國際功率器件大廠供應(yīng)鏈的頭部襯底企業(yè)憑借技術(shù)優(yōu)勢和市場影響力更有可能保持穩(wěn)定的出貨量、價(jià)格和利潤，而中小襯底廠商在運(yùn)營壓力下有可能被淘汰，碳化硅襯底細(xì)分賽道有可能會迎來一波整合兼并潮。

有消息顯示，國內(nèi)襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產(chǎn)品，無論是從產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)能還是價(jià)格，都已經(jīng)具備了明顯的競爭力。預(yù)計(jì)未來幾年，國內(nèi)頭部襯底企業(yè)將成為國際市場8英寸襯底的主要供應(yīng)商，市場占比遠(yuǎn)超目前的6英寸。國產(chǎn)碳化硅襯底，未來可期。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：天科合達(dá)

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前報(bào)道，二期項(xiàng)目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程東側(cè)空地；項(xiàng)目總占地面積52790.032m2，總建筑面積105913.29m2，包括生產(chǎn)廠房、化學(xué)品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛(wèi)等。

公司擬購置長晶及附屬、晶體加工、晶片加工等工藝設(shè)備，新建6-8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線及研發(fā)中心，以及相關(guān)配套設(shè)施。

項(xiàng)目用于擴(kuò)大公司碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，同時(shí)建設(shè)研發(fā)中心以對生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化和完善，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

天科合達(dá)指出，該擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目旨在打造行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的智能化生產(chǎn)線，量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。該項(xiàng)目全面投產(chǎn)后，公司的產(chǎn)能將得到顯著提升，進(jìn)一步鞏固其在碳化硅襯底市場的領(lǐng)先地位。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，碳化硅從6英寸升級到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但可以提升芯片產(chǎn)量，8英寸能夠生產(chǎn)的芯片數(shù)量約為6英寸碳化硅晶圓的1.8倍，向8英寸轉(zhuǎn)型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同時(shí)，8英寸襯底厚度增加有助于在加工時(shí)保持幾何形狀，減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。

近年來，受益于新能源汽車、光儲充等產(chǎn)業(yè)火熱發(fā)展，碳化硅功率器件市場規(guī)模逐年擴(kuò)大，并將保持較快增速。TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報(bào)告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到碳化硅供應(yīng)鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，碳化硅在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元（約648億人民幣）。

在碳化硅大批量導(dǎo)入各類應(yīng)用場景的規(guī)模效應(yīng)之下，降本對于各大廠商乃至整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要意義將得到凸顯，而8英寸碳化硅正是為降本增效而生。

在此背景下，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商，包括材料（襯底/外延）、芯片/模塊、設(shè)備等各路玩家紛紛出手，劍指8英寸碳化硅，共同推動(dòng)了8英寸賽道的風(fēng)起云涌。在本文中，集邦化合物半導(dǎo)體將對全球碳化硅相關(guān)廠商在8英寸領(lǐng)域的最新進(jìn)展進(jìn)行匯總與淺析，為讀者勾勒出8英寸碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀與未來走向。

材料端：本土玩家圍攻國際大廠

作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的上游和源頭，材料性能、良率等決定了中游器件環(huán)節(jié)和下游應(yīng)用能否滿足市場需求，基于此，國內(nèi)外眾多碳化硅廠商在8英寸碳化硅材料細(xì)分領(lǐng)域加快了研發(fā)與擴(kuò)產(chǎn)腳步。

Wolfspeed

部分國際廠商在碳化硅領(lǐng)域擁有先發(fā)優(yōu)勢，在8英寸轉(zhuǎn)型方面動(dòng)作較快。作為碳化硅襯底的先驅(qū)和市場領(lǐng)導(dǎo)者，Wolfspeed在全球范圍內(nèi)率先推出了8英寸碳化硅襯底，時(shí)間是在2015年。

為推進(jìn)8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)及商業(yè)化，Wolfspeed斥資50億美元（約353億人民幣）在美國北卡羅萊納州查塔姆縣新建了一座工廠，主要生產(chǎn)8英寸碳化硅單晶襯底，預(yù)計(jì)2025年上半年開始生產(chǎn)。通過該工廠，Wolfspeed將實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的批量供應(yīng)，并大幅提高碳化硅襯底產(chǎn)量，可達(dá)10倍。

羅姆

羅姆在碳化硅領(lǐng)域已有20多年開發(fā)歷史，也是較早開始研發(fā)8英寸碳化硅襯底的廠商之一，與Wolfspeed一樣，羅姆也在2015年推出了8英寸碳化硅襯底。

去年7月，羅姆宣布計(jì)劃在2024年末開始在其位于日本宮崎縣的第二工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底，即藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎第二工廠，該工廠原本是太陽能技術(shù)公司Solar Frontier的原國富工廠。

Coherent

作為碳化硅襯底頭部廠商之一，Coherent（原名II-VI）同樣在2015年展示了8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底，2019年又推出了半絕緣型8英寸碳化硅襯底。

今年10月，Coherent宣布推出其8英寸碳化硅外延片，目前其可出貨的產(chǎn)品為350μm和500μm的襯底和外延片產(chǎn)品。Coherent表示，新的8英寸碳化硅外延片采用尖端的厚度和摻雜均勻性設(shè)計(jì)，樹立了新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

Soitec

在碳化硅襯底技術(shù)方面有獨(dú)到之處的Soitec在2022年5月發(fā)布了8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品，其在法國伯寧的新工廠已于2023年10月落成，計(jì)劃用于6英寸、8英寸SmartSiC晶圓制造。初期，該新工廠主要生產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓，計(jì)劃從2024年開始遷移到8英寸晶圓。

基于SmartSiC技術(shù)，Soitec分別和意法半導(dǎo)體、Resonac（原昭和電工）合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)，目標(biāo)均為采用Soitec的SmartSiC技術(shù)制造未來的8英寸碳化硅襯底。

住友金屬

今年9月，住友金屬礦山株式會社（以下簡稱：住友金屬）及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅襯底。目前，住友金屬8英寸SiCkrest碳化硅襯底已開始向客戶發(fā)送樣品進(jìn)行認(rèn)證。

據(jù)悉，SiCkrest使用一種獨(dú)特的鍵合技術(shù)來創(chuàng)建兩層晶片，通過在低電阻多晶碳化硅支撐基板上鍵合一層高質(zhì)量的單晶碳化硅薄層，這些產(chǎn)品能夠在保持單晶碳化硅特性的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)整個(gè)基板的低電阻和減少電流衰減。

Resonac（原昭和電工）

Resonac在外延領(lǐng)域進(jìn)展較快，據(jù)日媒此前報(bào)道，Resonac的8英寸碳化硅外延片品質(zhì)已經(jīng)達(dá)到了6英寸產(chǎn)品的同等水平。目前，其正在通過提高生產(chǎn)效率來降低成本，樣品評估已經(jīng)進(jìn)入商業(yè)化的最后階段，預(yù)計(jì)一旦成本優(yōu)勢超過6英寸產(chǎn)品，Resonac就會開始轉(zhuǎn)型生產(chǎn)8英寸產(chǎn)品。

與此同時(shí)，Resonac子公司Resonac Corporation已開始在日本山形縣東根市的山形工廠建造碳化硅晶圓（襯底及外延）新生產(chǎn)大樓，奠基儀式已于9月12日舉行。該新工廠預(yù)計(jì)將于2025年第三季度完工?；诖藬U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，Resonac將在2025年開始量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。

日本礙子

同在9月，日本礙子株式會社（NGK）在其官網(wǎng)宣布，已成功制備出直徑為8英寸的SiC襯底。

日本礙子表示，減少SiC襯底中的BPD是提高SiC功率器件產(chǎn)量和可靠性的重要手段。其開發(fā)出了一種工藝，利用其陶瓷加工技術(shù)在多個(gè)襯底上生長具有低BPD密度的4H-SiC晶體。

國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)起步較晚，整體上與國際先進(jìn)水平尚有一定的差距，但在國內(nèi)新能源汽車、光儲充、軌道交通、工業(yè)等終端應(yīng)用需求的推動(dòng)下，國內(nèi)碳化硅廠商如沐春風(fēng)，群雄并起，正在加速追趕國際大廠，尤其是在襯底/外延細(xì)分領(lǐng)域，本土企業(yè)已大有與國際知名廠商分庭抗禮之勢。

天科合達(dá)

作為國內(nèi)碳化硅襯底頭部廠商之一，天科合達(dá)在2022年研發(fā)成功并發(fā)布了8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底，截至目前，天科合達(dá)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了8英寸碳化硅襯底的小批量量產(chǎn)，并且在下游客戶端驗(yàn)證方面取得了積極進(jìn)展。

當(dāng)前，天科合達(dá)有多個(gè)碳化硅襯底項(xiàng)目正在推進(jìn)中，在今年8月最新披露的項(xiàng)目中，其8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底年產(chǎn)能達(dá)13.5萬片。

天岳先進(jìn)

作為國內(nèi)最早從事碳化硅襯底制備的企業(yè)之一，天岳先進(jìn)在2012年突破了2英寸碳化硅技術(shù)，2015年開始量產(chǎn)4英寸碳化硅襯底，2017年進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了6英寸碳化硅技術(shù)的突破，并在2022年通過自主擴(kuò)徑實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)8英寸碳化硅襯底的制備，在此基礎(chǔ)上，天岳先進(jìn)已在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的小批量銷售。

與此同時(shí)，天岳先進(jìn)不斷進(jìn)行8英寸產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新，推進(jìn)包括導(dǎo)電型碳化硅用粉料高效合成、高質(zhì)量導(dǎo)電型碳化硅晶體生長、高效碳化硅拋光、8英寸寬禁帶碳化硅半導(dǎo)體單晶生長及襯底加工關(guān)鍵技術(shù)等研發(fā)項(xiàng)目。天岳先進(jìn)目前能夠以PVT法批量制備8英寸襯底，是國際上較少掌握了液相法制備技術(shù)的企業(yè)之一。

過去十多年來，天岳先進(jìn)一直保持高強(qiáng)度的研發(fā)投入。2020年以來，其研發(fā)費(fèi)用率始終維持在10%以上，2022年達(dá)到了30.6%。

今年7月，天岳先進(jìn)發(fā)布公告稱，其擬以簡易程序向特定對象發(fā)行股票，募集資金總額不超過3億元（含本數(shù)），扣除相關(guān)發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額將用于投資8英寸車規(guī)級碳化硅襯底制備技術(shù)提升項(xiàng)目。由此可見，天岳先進(jìn)將在8英寸襯底技術(shù)研發(fā)方面持續(xù)加大投入，強(qiáng)化自身優(yōu)勢。

三安光電

近年來，三安光電通過其全資子公司湖南三安全面發(fā)力碳化硅領(lǐng)域。在6英寸碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)向國內(nèi)外客戶批量出貨的基礎(chǔ)上，湖南三安在2024年已完成8英寸襯底外延工藝調(diào)試并向重點(diǎn)海外客戶送樣驗(yàn)證。

與此同時(shí)，三安光電持續(xù)加碼8英寸襯底產(chǎn)能，為推進(jìn)其與意法半導(dǎo)體合資建設(shè)的8英寸碳化硅器件廠項(xiàng)目落地實(shí)施，三安光電獨(dú)立投資70億元配套建設(shè)一座8英寸碳化硅襯底廠，專業(yè)從事碳化硅晶圓生長、襯底制造，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底達(dá)48萬片。近期，該8英寸碳化硅襯底廠已點(diǎn)亮通線。

科友半導(dǎo)體

科友半導(dǎo)體在今年9月成功實(shí)現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底的批量制備，通過優(yōu)化電阻爐溫場、引入緩沖層優(yōu)化長晶工藝、優(yōu)化原料區(qū)域溫度分布，發(fā)揮了電阻加熱式PVT法碳化硅單晶穩(wěn)定生長的優(yōu)勢。

檢測表明，科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品總腐蝕坑密度控制在2000個(gè)cm-2左右，TSD與BPD位錯(cuò)缺陷密度得到有效降低，占同期產(chǎn)出襯底的比例在八成以上。

科友半導(dǎo)體曾在今年3月與俄羅斯N公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“八英寸碳化硅完美籽晶”項(xiàng)目合作。通過與俄羅斯N公司的合作，科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無微管，低位錯(cuò)”完美籽晶，應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長，會進(jìn)一步大幅降低八英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯(cuò)等缺陷密度，從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率。

南砂晶圓

早在2022年9月，南砂晶圓就聯(lián)合山東大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴(kuò)徑制備了8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶，并加工成厚度為520μm的8英寸4H-SiC襯底。

而在今年6月，南砂晶圓8英寸碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目正式投產(chǎn)，意味著南砂晶圓已具備8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)能力，該項(xiàng)目規(guī)劃打造全國最大的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地，計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)。

世紀(jì)金芯

今年2月，世紀(jì)金芯8英寸碳化硅加工線正式貫通并進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段。世紀(jì)金芯開發(fā)的8英寸SiC單晶生長技術(shù)可重復(fù)生長出4H晶型100%、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體。

在8英寸碳化硅襯底技術(shù)研發(fā)方面取得突破的基礎(chǔ)上，世紀(jì)金芯在4月與日本某客戶簽訂碳化硅襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸碳化硅襯底共13萬片，訂單價(jià)值約2億美元（約14.22億人民幣）。

合盛硅業(yè)

合盛硅業(yè)6英寸襯底和外延片已得到國內(nèi)多家下游器件客戶的驗(yàn)證，并順利開發(fā)了日韓、歐美客戶?；?英寸的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，合盛硅業(yè)8英寸碳化硅襯底研發(fā)進(jìn)展順利，并實(shí)現(xiàn)了樣品的產(chǎn)出，目前正在推進(jìn)8英寸襯底的量產(chǎn)。

青禾晶元

今年4月，青禾晶元通過技術(shù)創(chuàng)新，在碳化硅鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進(jìn)展，在國內(nèi)率先成功制備了8英寸碳化硅鍵合襯底。

據(jù)悉，碳化硅鍵合襯底技術(shù)可以將高、低質(zhì)量碳化硅襯底進(jìn)行鍵合集成，有效利用低質(zhì)量長晶襯底，與長晶技術(shù)一同推進(jìn)碳化硅材料成本的降低。半導(dǎo)體異質(zhì)集成技術(shù)可以提高碳化硅良率，而青禾晶元是國內(nèi)少數(shù)幾家使用該技術(shù)大幅提高碳化硅良率的公司之一，極具市場稀缺性。

粵海金

粵海金在去年11月宣布，其在自主研制的碳化硅單晶生長爐上成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體，晶體表面光滑無缺陷，厚度超過20毫米，同時(shí)已經(jīng)順利加工出8英寸碳化硅襯底片。

而在外延領(lǐng)域，天域半導(dǎo)體、瀚天天成、百識電子、希科半導(dǎo)體等廠商都已具備8英寸碳化硅外延片量產(chǎn)能力。由此可見，國內(nèi)已有不少碳化硅廠商正在全面發(fā)力8英寸碳化硅材料，并或多或少取得了一定的成果。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，國內(nèi)已有十多家企業(yè)已涉足8英寸碳化硅材料細(xì)分賽道，且都取得了一定的進(jìn)展，部分廠商正處于研發(fā)階段，部分廠商8英寸碳化硅襯底/外延已出樣，還有部分玩家已具備量產(chǎn)能力，正在尋求出貨機(jī)會。

盡管國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)起步較晚，甚至有很多企業(yè)是近幾年新成立的初創(chuàng)公司，沒有部分國際大廠數(shù)十年的深厚技術(shù)積淀，但國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)產(chǎn)學(xué)研協(xié)作之風(fēng)盛行，部分碳化硅材料初創(chuàng)企業(yè)通過與高校、科研機(jī)構(gòu)進(jìn)行技術(shù)合作，一躍成為碳化硅材料領(lǐng)域“小巨人”。

近年來，國內(nèi)廠商在8英寸碳化硅襯底/外延領(lǐng)域的快速突破是有目共睹的，也為未來實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代甚至進(jìn)軍國際市場打下了良好的基礎(chǔ)。

多位行業(yè)人士均表示，國內(nèi)碳化硅企業(yè)特別是在襯底制備領(lǐng)域，國內(nèi)襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產(chǎn)品，無論是從產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)能還是價(jià)格，都已經(jīng)具備了明顯的競爭力。預(yù)計(jì)未來幾年，國內(nèi)頭部襯底企業(yè)將成為國際市場8英寸襯底的主要供應(yīng)商，市場占比遠(yuǎn)超目前的6英寸。

器件端：國際巨頭商用在即，本土廠商加速追趕

在8英寸碳化硅襯底/外延細(xì)分領(lǐng)域，國內(nèi)廠商進(jìn)步較快，已具備與國際大廠爭奪市場需求的實(shí)力，但在器件端，本土廠商整體與國際對手們差距較大。目前，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等正在加速推進(jìn)商用進(jìn)程，而部分國內(nèi)廠商正在加緊追趕。

Wolfspeed

作為全球碳化硅襯底龍頭，Wolfspeed在器件領(lǐng)域也占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢。Wolfspeed位于美國紐約的莫霍克谷工廠是全球首家且最大的8英寸碳化硅器件工廠。今年6月官方表示，莫霍克谷8英寸碳化硅晶圓工廠的利用率達(dá)到了20%。在此基礎(chǔ)上，Wolfspeed莫霍克谷器件工廠已向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET。

Wolfspeed披露的信息表明，莫霍克谷工廠的8英寸碳化硅晶圓制造成本明顯低于其旗下達(dá)勒姆6英寸碳化硅晶圓廠。為進(jìn)一步降低成本、加速8英寸轉(zhuǎn)型，Wolfspeed計(jì)劃關(guān)閉達(dá)勒姆工廠。

意法半導(dǎo)體

近年來，意法半導(dǎo)體加速拓展車用碳化硅業(yè)務(wù)，已先后與汽車Tier-1廠商采埃孚、新能源車企理想汽車等達(dá)成碳化硅器件供貨協(xié)議。為提升競爭力，實(shí)現(xiàn)更大發(fā)展，意法半導(dǎo)體計(jì)劃在2025年將碳化硅產(chǎn)品全面升級為8英寸。

為保障8英寸產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體與三安光電合資在重慶建設(shè)8英寸碳化硅器件廠，預(yù)計(jì)今年11月底將整體通線，2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)，2028年達(dá)產(chǎn)，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓1萬片/周。

此外，意法半導(dǎo)體將于意大利西西里島卡塔尼亞投資50億歐元（約386億人民幣）新建一座8英寸碳化硅超級半導(dǎo)體晶圓廠，新工廠計(jì)劃于2026年投產(chǎn)。

英飛凌

目前，在碳化硅功率器件應(yīng)用規(guī)模最大的新能源汽車市場，英飛凌已經(jīng)將小米、零跑等知名廠商發(fā)展成為合作伙伴。在同行們紛紛進(jìn)軍8英寸賽道時(shí)，英飛凌自然也有相關(guān)動(dòng)作。

今年8月，英飛凌宣布其位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營，預(yù)計(jì)2025年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。在此基礎(chǔ)上，未來五年英飛凌將追加投資50億歐元大幅擴(kuò)建居林第三工廠（Module Three）的二期建設(shè)，致力于將該工廠打造成為全球最大且最具競爭力的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。

安森美

在新能源汽車市場，安森美已與極氪、理想、大眾等廠商簽署了碳化硅產(chǎn)品相關(guān)協(xié)議，在車用碳化硅領(lǐng)域占據(jù)了重要地位。

基于供貨需求的持續(xù)增長，安森美位于韓國富川的碳化硅晶圓廠于2023年完成擴(kuò)建，計(jì)劃于2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后過渡到8英寸生產(chǎn)，屆時(shí)產(chǎn)能將擴(kuò)大到當(dāng)前規(guī)模的10倍。此外，安森美宣布將在捷克共和國建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠。

羅姆

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域有較深厚積累的羅姆，也將目光瞄準(zhǔn)了中國新能源汽車市場，并在今年7月與長城汽車旗下芯動(dòng)半導(dǎo)體簽署了以碳化硅為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。

產(chǎn)能方面，羅姆目前在日本擁有四個(gè)基于碳化硅的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，分別位于京都總部、福岡縣筑后工廠和長濱工廠以及宮崎第一工廠。2020年末，羅姆在日本福岡縣筑后工廠建設(shè)了碳化硅新廠房，已于2022年開始量產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)可以切換為8英寸晶圓產(chǎn)線。在PCIM Asia 2024國際電力元件、可再生能源管理展覽會上，羅姆相關(guān)人員表示，預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)八英寸碳化硅晶圓。

三菱電機(jī)

近年來，三菱電機(jī)持續(xù)加大碳化硅領(lǐng)域布局力度。其在2023年10月已確定向Coherent獨(dú)立運(yùn)營碳化硅業(yè)務(wù)的子公司投資5億美元，隨后在當(dāng)年12月發(fā)行300億日元額度的綠色債券，籌集資金將用于三菱電機(jī)的碳化硅功率半導(dǎo)體制造的設(shè)備投資、研發(fā)以及投融資。

為響應(yīng)強(qiáng)勁的市場需求，三菱電機(jī)位于熊本縣正在建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠將提前開始運(yùn)營。該工廠的運(yùn)作日期從2026年4月變更為2025年11月，運(yùn)營時(shí)間提前了約5個(gè)月。

富士電機(jī)

在碳化硅加速“上車”趨勢下，富士電機(jī)順勢推出了碳化硅模塊產(chǎn)品。

為順應(yīng)8英寸潮流，富士電機(jī)宣布在未來三年（2024至2026財(cái)年）投資2000億日元用于碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，包括在松本工廠（位于長野縣松本市）新建一條生產(chǎn)線。這產(chǎn)線預(yù)計(jì)將在2027年投入運(yùn)營，生產(chǎn)使用8英寸大型晶圓的碳化硅功率半導(dǎo)體。

國際大廠8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)線建設(shè)正在如火如荼的進(jìn)行中，國內(nèi)也有部分廠商在8英寸碳化硅器件方面進(jìn)展較快，相關(guān)項(xiàng)目在今年年底到明年進(jìn)入投產(chǎn)階段。但在投建8英寸項(xiàng)目的廠商數(shù)量、投資規(guī)模、規(guī)劃產(chǎn)能等方面，國內(nèi)碳化硅器件廠商與國際巨頭尚有一定的差距，未來需要全面加大投入力度。

士蘭微

今年5月，士蘭微8英寸碳化硅功率器件項(xiàng)目簽約落地福建省廈門市海滄區(qū)。一個(gè)月后的6月18日，該項(xiàng)目在廈門市海滄區(qū)正式開工。目前，該項(xiàng)目已進(jìn)入土方工程收尾階段，一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。

士蘭微8英寸碳化硅功率器件項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，其中，一期項(xiàng)目總投資70億元，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

芯聯(lián)集成

芯聯(lián)集成擁有一條8英寸碳化硅晶圓試驗(yàn)線，其8英寸碳化硅晶圓工程批已于今年4月20日下線，計(jì)劃今年四季度開始正式向客戶送樣，2025年進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)。

截至2023年12月，芯聯(lián)集成6英寸碳化硅MOSFET產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)出5000片以上。2024年下半年，預(yù)計(jì)芯聯(lián)集成碳化硅產(chǎn)品的出貨量將從當(dāng)前的每月5000至6000片提升至10000片，相應(yīng)的收入有望超10億元。8英寸有望成為芯聯(lián)集成新的業(yè)績增長點(diǎn)。

方正微電子

方正微電子當(dāng)前有兩個(gè)Fab。其中，F(xiàn)ab1已實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅晶圓9000片/月的生產(chǎn)能力，到2024年底，這一數(shù)字預(yù)計(jì)將增長至每月1.4萬片。

而Fab2的8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于2024年底通線，長遠(yuǎn)規(guī)劃產(chǎn)能為6萬片/月。

目前來看，2025年將是意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆等國際功率器件大廠量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的關(guān)鍵年，而國內(nèi)士蘭微、方正微等少數(shù)企業(yè)也有望在2025年在8英寸碳化硅晶圓量產(chǎn)方面取得一定的進(jìn)展。

設(shè)備端：國際大廠持續(xù)出貨，本土企業(yè)多點(diǎn)開花

與器件端相比，本土廠商在8英寸碳化硅設(shè)備方面頻傳喜訊，發(fā)展形勢一片大好。在愛思強(qiáng)等國際廠商不斷簽單出貨的同時(shí)，國內(nèi)碳化硅設(shè)備廠商在技術(shù)研發(fā)和市場拓展等方面持續(xù)突破。

愛思強(qiáng)

早在2022年，愛思強(qiáng)就發(fā)布了G10-SiC設(shè)備，該設(shè)備支持8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)，并已成為愛思強(qiáng)業(yè)績發(fā)展的一大強(qiáng)勁增長引擎。

Wolfspeed在2023年Q3-Q4期間與愛思強(qiáng)簽訂了多個(gè)G10-SiC設(shè)備訂單。愛思強(qiáng)G10-SiC設(shè)備為Wolfspeed 8英寸材料工廠John Palmour碳化硅制造中心提供支持，助力Wolfspeed進(jìn)一步加大、加快8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)。

今年7月愛思強(qiáng)曾表示，在上半年市場整體表現(xiàn)疲弱的情況下，其G10產(chǎn)品系列驅(qū)動(dòng)公司訂單需求增長。7月16日，愛思強(qiáng)宣布安世半導(dǎo)體訂購了其用于8英寸碳化硅量產(chǎn)的新型G10-SiC設(shè)備。

ASM

今年10月，在首屆灣芯展（SEMiBAY 2024）期間，ASM最新推出了適用于碳化硅外延的新型雙腔機(jī)臺PE2O8。該機(jī)臺采用獨(dú)立雙腔設(shè)計(jì)，兼容6英寸和8英寸晶圓，可實(shí)現(xiàn)增加產(chǎn)量的同時(shí)，降低成本。

目前，ASM已向全球多家碳化硅功率器件制造商交付了PE2O8機(jī)臺，助力客戶逐漸從6英寸晶圓向8英寸過渡。

晶升股份

8月7日，晶升股份在投資者互動(dòng)平臺表示，其第一批8英寸碳化硅長晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付。這意味著晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備已完成驗(yàn)證，開啟了批量交付進(jìn)程。

在8英寸轉(zhuǎn)型趨勢下，晶升股份正在全面布局8英寸碳化硅產(chǎn)線相關(guān)設(shè)備，除了長晶設(shè)備外，晶升股份針對外延、切片等工藝流程也在設(shè)備方面取得了一定進(jìn)展。

晶盛機(jī)電

晶盛機(jī)電今年3月在SEMICON China 2024上海國際半導(dǎo)體展期間發(fā)布了8英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅量測設(shè)備等8英寸碳化硅設(shè)備，意味著晶盛機(jī)電正在從長晶、檢測等環(huán)節(jié)加大8英寸碳化硅設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域布局力度。

在設(shè)備研發(fā)基礎(chǔ)上，晶盛機(jī)電正在建設(shè)實(shí)施年產(chǎn)25萬片6英寸及5萬片8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

高測股份

高測股份在2021年首次將金剛線切割技術(shù)引入碳化硅材料切割。2022年底，高測股份推出適用于8英寸碳化硅襯底切割的碳化硅金剛線切片機(jī)，將金剛線切割技術(shù)引入8英寸碳化硅領(lǐng)域，對比砂漿切割產(chǎn)能提升118%，成本降低26%。

去年11月，高測股份8英寸碳化硅金剛線切片機(jī)獲得新訂單，基本覆蓋新增8英寸金剛線切片產(chǎn)能需求。而在今年3月，高測股份8英寸半導(dǎo)體金剛線切片機(jī)再簽新訂單，設(shè)備交付后將發(fā)往歐洲某半導(dǎo)體企業(yè)，這是高測股份半導(dǎo)體設(shè)備收獲的首個(gè)海外客戶。

優(yōu)睿譜

優(yōu)睿譜已研制出6/8寸碳化硅襯底位錯(cuò)、微管檢測設(shè)備SICD200，6/8寸碳化硅襯底邊緣、宏觀缺陷檢測設(shè)備SICE200，6/8寸硅/碳化硅晶圓襯底及同質(zhì)外延片電阻率（載流子濃度）測量設(shè)備SICV200，6/8寸硅/碳化硅晶圓元素濃度與外延膜厚量測設(shè)備Eos200/Eos200+等各類碳化硅檢測設(shè)備。

目前，優(yōu)睿譜旗下多款8英寸碳化硅相關(guān)設(shè)備已獲得客戶訂單，正在持續(xù)供貨中。

優(yōu)晶科技

今年6月，據(jù)優(yōu)晶科技官微披露，其8英寸電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備獲行業(yè)專家認(rèn)可，成功通過技術(shù)鑒定評審。鑒定委員會認(rèn)為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng)新性強(qiáng)，突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術(shù)瓶頸，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，經(jīng)濟(jì)效益顯著。

優(yōu)晶科技專注于大尺寸（6英寸及以上）導(dǎo)電型碳化硅晶體生長設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備，目前已推出至第四代機(jī)型，也適用于8英寸量產(chǎn)。

連科半導(dǎo)體

連科半導(dǎo)體也正在發(fā)力碳化硅長晶設(shè)備。今年5月，連科半導(dǎo)體發(fā)布新一代8英寸碳化硅長晶爐，正式實(shí)現(xiàn)了大尺寸碳化硅襯底設(shè)備的供應(yīng)。

作為連科半導(dǎo)體母公司，連城數(shù)控2023年在8英寸碳化硅感應(yīng)爐、碳化硅退火爐設(shè)備及工藝上取得了一定的突破。

目前，國內(nèi)部分碳化硅廠商正在積極研發(fā)8英寸碳化硅設(shè)備，還有部分廠商相關(guān)產(chǎn)品已進(jìn)入商業(yè)化階段，并獲得了國內(nèi)外客戶訂單，已經(jīng)對國際廠商碳化硅設(shè)備業(yè)務(wù)形成了一定的挑戰(zhàn)，未來有望持續(xù)蠶食國際對手們的市場份額。

8英寸大規(guī)模應(yīng)用尚需時(shí)日

從材料端來看，國內(nèi)外眾多碳化硅廠商都已成功制備出8英寸襯底，不少廠商甚至已經(jīng)具備了量產(chǎn)能力或已經(jīng)小批量出貨，似乎8英寸時(shí)代已然來臨，但事實(shí)并非如此。

目前，6英寸碳化硅襯底仍然是襯底市場的絕對主力，正在持續(xù)大規(guī)模出貨，而部分廠商的8英寸試產(chǎn)或小批量量產(chǎn)與6英寸的大規(guī)模應(yīng)用在良率、成本等方面有著本質(zhì)的差別，8英寸的起量仍然有較大阻力。

8英寸碳化硅襯底的第一個(gè)技術(shù)難點(diǎn)是籽晶，雖然可以用激光切割然后拼接的方法來制作籽晶，但拼接位置的缺陷幾乎難以去除，可以做晶體生長基礎(chǔ)研究，無法用于大規(guī)模量產(chǎn)。量產(chǎn)用的籽晶還是需要慢慢的擴(kuò)出來，在擴(kuò)的過程中保留品質(zhì)好的晶體進(jìn)行優(yōu)選繁衍，這個(gè)過程是非常耗時(shí)的，沒有好的籽晶就不可能繁衍出好的晶體。

除了生長8英寸碳化硅單晶技術(shù)方面的挑戰(zhàn)，目前產(chǎn)業(yè)界在磨拋等后道工序也存在技術(shù)難點(diǎn)。目前，主要是通過單面磨削和化學(xué)機(jī)械拋光的方式實(shí)現(xiàn)大尺寸碳化硅襯底的磨拋加工，但是較低的良率以及加工效率是其亟待解決的難題，當(dāng)前業(yè)內(nèi)8英寸碳化硅襯底磨拋良率僅為40-50%。

值得一提的是，國內(nèi)中機(jī)新材等廠商已在碳化硅晶圓研磨拋光應(yīng)用領(lǐng)域取得一定的技術(shù)突破，并將團(tuán)聚金剛石研磨材料等產(chǎn)品引入了天岳先進(jìn)、南砂晶圓、同光股份等襯底廠商旗下產(chǎn)線，有助于推動(dòng)8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)進(jìn)程。

價(jià)格也是影響8英寸起量的一個(gè)重要因素。近期據(jù)市場消息，今年國內(nèi)主流6英寸碳化硅襯底報(bào)價(jià)參照國際市場每片750-800美元的價(jià)格，價(jià)格跌幅近三成。TrendForce集邦咨詢分析師曾指出，這幾年間，隨著中國廠商進(jìn)入到整個(gè)碳化硅市場競爭之中，更是加速了整個(gè)碳化硅市場襯底價(jià)格的下降。

針對價(jià)格變化現(xiàn)象，天岳先進(jìn)董事長、總經(jīng)理宗艷民稱，碳化硅襯底價(jià)格會下降，這一方面是由于技術(shù)的提升和規(guī)?；?yīng)推動(dòng)襯底成本的下降；另一方面，目前碳化硅襯底價(jià)格比硅襯底高，而價(jià)格下降有助于下游應(yīng)用的擴(kuò)展，推動(dòng)碳化硅更加廣闊的滲透應(yīng)用。

隨著6英寸碳化硅襯底價(jià)格持續(xù)下滑，碳化硅確實(shí)會向更加廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行滲透，但也在一定程度上延緩了8英寸襯底的應(yīng)用滲透與市場份額提升。外延與襯底相輔相成，只有8英寸襯底開始大規(guī)模量產(chǎn)，外延產(chǎn)品才會隨之起量。

從器件端來看，除Wolfspeed已實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅器件商用外，得益于在6英寸碳化硅器件方面的積淀，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等巨頭都將在2025年完成8英寸碳化硅晶圓廠投產(chǎn)。

從技術(shù)方面來看，在功率半導(dǎo)體制造的離子注入、薄膜沉積、介質(zhì)刻蝕、金屬化等環(huán)節(jié)，8英寸碳化硅與6英寸碳化硅的差距不大。在6英寸碳化硅器件制造方面擁有成熟技術(shù)的部分國際廠商，將更快完成8英寸碳化硅器件項(xiàng)目的落地實(shí)施。

目前，國際大廠均相當(dāng)重視碳化硅器件技術(shù)研發(fā)，例如：意法半導(dǎo)體近期官宣推出第四代STPOWER碳化硅MOSFET技術(shù)，持續(xù)的技術(shù)升級迭代帶來了更好的性能和更高的效率，也有利于推進(jìn)8英寸器件的商用進(jìn)程。

從設(shè)備端來看，完整的碳化硅產(chǎn)線涉及各類設(shè)備，每一個(gè)類別的設(shè)備都有廣闊的應(yīng)用空間，給了設(shè)備廠商更多機(jī)會，競爭情況反而沒有襯底、器件細(xì)分賽道那般激烈。隨著8英寸襯底、器件相關(guān)項(xiàng)目陸續(xù)落地實(shí)施，又給設(shè)備廠帶來了一大波紅利。

愛思強(qiáng)等國際設(shè)備廠商較早推出了8英寸碳化硅設(shè)備，并已大批量出貨，目前正在持續(xù)簽單，而國內(nèi)廠商在長晶、切磨拋、量測等設(shè)備方面正在全面發(fā)力，并都或多或少取得了一些進(jìn)展，有望在8英寸轉(zhuǎn)型浪潮中占據(jù)一席之地。

TrendForce集邦咨詢研究數(shù)據(jù)表明，目前8英寸的產(chǎn)品市占率不到2%，并預(yù)測2027年市場份額將成長到20%左右。這意味著8英寸碳化硅產(chǎn)品仍然需要一定的時(shí)間贏得市場和用戶認(rèn)可，并逐步替代6英寸成為產(chǎn)業(yè)新的主角。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn)，首屆SEMiBAY灣芯展匯集了天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成等國內(nèi)碳化硅材料（襯底/外延）領(lǐng)域頭部廠商，方正微電子、華潤微電子、至信微電子等碳化硅器件環(huán)節(jié)知名廠商，以及晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備等碳化硅設(shè)備細(xì)分賽道重量級玩家。

上述各大廠商分別展示了在第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵材料、器件、設(shè)備等各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域的最新技術(shù)與產(chǎn)品，將共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。在展會現(xiàn)場，集邦化合物半導(dǎo)體收集到20多家三代半廠商展品信息，匯總?cè)缦拢?/p>

材料領(lǐng)域，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成、中環(huán)領(lǐng)先、江豐電子等廠商重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅襯底及外延片，先導(dǎo)集團(tuán)還展示了砷化鎵、磷化銦襯底及外延片。

天科合達(dá)

首屆SEMiBAY灣芯展，天科合達(dá)展示了碳化硅晶錠、6/8英寸碳化硅襯底、6/8英寸碳化硅外延片等系列產(chǎn)品，顯示其正在全面布局碳化硅襯底及外延領(lǐng)域。

目前，天科合達(dá)8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)，擁有零微管密度控制技術(shù)、低位錯(cuò)密度控制技術(shù)、低層錯(cuò)密度控制技術(shù)、電阻率均勻性控制技術(shù)、低應(yīng)力及面型控制技術(shù)等多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢。其碳化硅外延片BPD轉(zhuǎn)化效率＞99%，表面缺陷＜0.2個(gè)/cm2。

天岳先進(jìn)

本屆SEMiBAY灣芯展，天岳先進(jìn)帶來了6英寸熱沉碳化硅襯底、6英寸P型碳化硅襯底、6英寸碳化硅基異質(zhì)符合襯底、6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底、6/8英寸高純半絕緣碳化硅襯底等各類產(chǎn)品。

其中，天岳先進(jìn)6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片已大規(guī)模應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器和車載充電系統(tǒng)，并得到充分驗(yàn)證，能夠滿足車規(guī)級功率器件性能需求。天岳先進(jìn)已實(shí)現(xiàn)了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備，有效提升晶圓制備利用率，產(chǎn)品滿足芯片最高安全需求，保證了下游晶圓制備產(chǎn)能、良率和穩(wěn)定性。

南砂晶圓

本屆SEMiBAY灣芯展，南砂晶圓展示了6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠和6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片。

今年6月22日，南砂晶圓8英寸碳化硅北方基地項(xiàng)目宣布正式投產(chǎn)。當(dāng)天，南砂晶圓董事長王垚浩在受訪時(shí)表示，碳化硅進(jìn)入8英寸時(shí)代比預(yù)想的要早、要快。今后三年，南砂晶圓投資擴(kuò)產(chǎn)的重中之重將放在濟(jì)南北方基地項(xiàng)目上，大幅提升8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能。

中環(huán)領(lǐng)先

作為光伏頭部廠商之一，中環(huán)領(lǐng)先在本屆SEMiBAY灣芯展上展示了6/8英寸碳化硅外延片、6/8英寸氮化鎵外延片。

近年來，通威集團(tuán)、合盛硅業(yè)、弘元綠能、高測股份、捷佳偉創(chuàng)、連城數(shù)控、邁為股份、奧特維等主流光伏廠商均積極拓展碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)。

天域半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展，天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅外延片。

天域于2021年開始了8英寸碳化硅外延的技術(shù)儲備，并于2023年7月啟動(dòng)8英寸碳化硅外延產(chǎn)品小批量送樣。其超過千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明，8英碳化硅外延產(chǎn)品與6英寸碳化硅外延產(chǎn)品水平相當(dāng)。

瀚天天成

本屆SEMiBAY灣芯展，瀚天天成展示了8英寸碳化硅外延片。作為大中華區(qū)首家發(fā)布并量產(chǎn)8英寸碳化硅外延的廠商，瀚天天成實(shí)現(xiàn)了超過12個(gè)月連續(xù)穩(wěn)定批量交付。

瀚天天成擁有片間濃、厚度高一致性控制技術(shù)、片內(nèi)厚度高精準(zhǔn)控制技術(shù)（所有點(diǎn)容差）、片內(nèi)濃度高精準(zhǔn)控制技術(shù)(所有點(diǎn)容差)、高BPD轉(zhuǎn)化率外延生長技術(shù)、大管芯高良率外延生長技術(shù)等技術(shù)優(yōu)勢。

江豐電子

本屆SEMiBAY灣芯展，江豐電子展示了6/8英寸碳化硅外延片。

目前，江豐電子正在通過其控股子公司晶豐芯馳全面布局碳化硅外延領(lǐng)域，碳化硅外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶認(rèn)可。

先導(dǎo)集團(tuán)

本屆SEMiBAY灣芯展，先導(dǎo)集團(tuán)展示了4/6英寸砷化鎵襯底、6英寸砷化鎵外延片、2/4英寸磷化銦襯底、4英寸磷化銦外延片等產(chǎn)品。

目前，先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用VGF技術(shù)生長的2-6英寸的砷化鎵襯底，包括半絕緣砷化鎵襯底(無摻雜)和半導(dǎo)體砷化鎵襯底(摻Si或摻Zn)，以及用于VCSEL和RF應(yīng)用的低位錯(cuò)砷化鎵襯底。亦可根據(jù)客戶需求，定制非標(biāo)厚度和晶向的砷化鎵襯底。同時(shí)，先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用2-4英寸的磷化銦襯底，包括半絕緣磷化銦襯底（摻Fe）和半導(dǎo)體磷化銦襯底（摻Si或摻Zn），以及用于特定用途的低位錯(cuò)磷化銦襯底。亦可根據(jù)客戶需求，定制非標(biāo)厚度和晶向的磷化銦襯底。

器件領(lǐng)域，方正微電子、華潤微電子、至信微電子、基本半導(dǎo)體等廠商重點(diǎn)展示了車用碳化硅MOSFET和模塊，顯示了碳化硅加速“上車”趨勢。

方正微電子

本屆SEMiBAY灣芯展，方正微電子展示了碳化硅MOSFET、碳化硅車規(guī)模組以及氮化鎵HEMT等豐富多樣的產(chǎn)品。

在SEMiBAY灣芯展開幕式上，方正微電子發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品，覆蓋了新能源汽車應(yīng)用的全場景。其中，1200V 16m/18m/20mΩ應(yīng)用于主驅(qū)逆變控制器，1200V 35m/60m/85mΩ應(yīng)用于OBC，1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于DC/DC，1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)，1200V 16m/20m/35m/60mΩ應(yīng)用于充電樁等場景。目前，方正微電子車規(guī)1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)規(guī)模應(yīng)用，特別是已在新能源汽車主驅(qū)控制器上規(guī)模上車。

華潤微電子

本屆SEMiBAY灣芯展，華潤微電子展示了碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)壓縮機(jī)、三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器、電機(jī)和牽引驅(qū)動(dòng)器、車載OBC等場景。

在氮化鎵領(lǐng)域，2024年上半年，華潤微完成8英寸中壓（100-200V）增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺建設(shè)，并完成首顆150V/36A增強(qiáng)型器件樣品的制備。同時(shí)，華潤微采用新型的GaN控制及驅(qū)動(dòng)技術(shù)，開發(fā)原邊、副邊控制芯片，及GaN驅(qū)動(dòng)芯片，推出基于GaN的高效能快充系統(tǒng)方案，最大輸出功率可達(dá)65W。

至信微電子

本屆SEMiBAY灣芯展，至信微電子展示了650V/900V/1200V/1700V等不同電壓等級的碳化硅MOSFET以及模塊產(chǎn)品。

至信微電子碳化硅MOSFET取得了AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，并通過了HV-H3TRB測試。其中，1200V碳化硅MOSFET技術(shù)平臺取得了AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，通過了960V HV-H3TRB測試，1200V、750V系列MOSFET已通過HTRB(175°C/100%BV)1000小時(shí)、HVH3TRB（高壓）1000小時(shí)等多項(xiàng)可靠性考核。

基本半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展，基本半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了碳化硅SBD、MOSFET晶圓以及各類工業(yè)級/汽車級碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品，其中，汽車級碳化硅模塊可廣泛應(yīng)用于新能源乘用車、商用車等的電氣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、燃料電池能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等場景，工業(yè)級碳化硅模塊可應(yīng)用于不間斷電源UPS、高端工業(yè)電焊機(jī)等場景。

今年9月26日，廣汽埃安旗下埃安AION RT開啟全球預(yù)售，搭載了基本半導(dǎo)體750V全碳化硅功率模塊。

設(shè)備領(lǐng)域，晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備、芯三代、思銳智能等廠商帶來了碳化硅產(chǎn)線各個(gè)環(huán)節(jié)所需的相關(guān)設(shè)備，各有千秋。

晶盛機(jī)電

本屆SEMiBAY灣芯展，晶盛機(jī)電展示了8英寸碳化硅晶錠和8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)品。

作為一家半導(dǎo)體設(shè)備廠商，晶盛機(jī)電在碳化硅領(lǐng)域開發(fā)了6-8英寸碳化硅長晶設(shè)備、切片設(shè)備、減薄設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備等，實(shí)現(xiàn)了碳化硅外延設(shè)備的國產(chǎn)替代，并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設(shè)備，大幅提升外延產(chǎn)能。

納設(shè)智能

本屆SEMiBAY灣芯展，納設(shè)智能展示了6英寸碳化硅外延設(shè)備以及單、雙腔8英寸碳化硅外延設(shè)備。

其中，納設(shè)智能6英寸碳化硅外延設(shè)備在2023年已批量出貨給多家外延客戶，也獲得了批量驗(yàn)收。在此基礎(chǔ)上，納設(shè)智能研發(fā)并交付了8英寸碳化硅外延設(shè)備，其具備獨(dú)特的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣方式等特點(diǎn)，能提高外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。目前，該設(shè)備已銷售給多個(gè)客戶。

優(yōu)睿譜

本屆SEMiBAY灣芯展，優(yōu)睿譜展示了6/8寸碳化硅襯底位錯(cuò)、微管檢測設(shè)備SICD200，6/8寸碳化硅襯底邊緣、宏觀缺陷檢測設(shè)備SICE200，6/8寸硅/碳化硅晶圓襯底及同質(zhì)外延片電阻率（載流子濃度）測量設(shè)備SICV200，6/8寸硅/碳化硅晶圓元素濃度與外延膜厚量測設(shè)備Eos200/Eos200+等產(chǎn)品。

優(yōu)睿譜半導(dǎo)體于2023年推出了SICD200和SICV200。其中，SID200可實(shí)現(xiàn)碳化硅位錯(cuò)檢測的整片晶圓全檢測，并已獲境外顧客訂；SICV200可用于硅片電阻率、碳化硅或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的測量，已得到多家客戶的訂單。今年6月，優(yōu)睿譜再交付客戶一款晶圓邊緣檢測設(shè)備SICE200。

北方華創(chuàng)

本屆SEMiBAY灣芯展，北方華創(chuàng)展示了8英寸立式爐、立式/臥式管舟清洗設(shè)備、擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)等碳化硅相關(guān)設(shè)備。

北方華創(chuàng)專注于半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)，在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長等核心工藝裝備，廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、襯底材料等制造領(lǐng)域。

中微公司

本屆SEMiBAY灣芯展，中微公司展示了一款氮化鎵功率器件量產(chǎn)MOCVD設(shè)備PRISMO PD5。

中微公司主要擁有五類設(shè)備產(chǎn)品，分別是CCP電容性刻蝕機(jī)、ICP電感性刻蝕機(jī)、深硅刻蝕機(jī)、MOCVD、薄膜沉積設(shè)備、VOC設(shè)備。中微公司于2022年推出了PRISMO PD5，已交付至國內(nèi)外客戶，并取得了重復(fù)訂單，而碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備正在開發(fā)中。

卓興半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展，卓興半導(dǎo)體展示了多款半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備，其中包括高精度多功能貼片機(jī)、半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)等適用于碳化硅領(lǐng)域的設(shè)備。

其中，AS8123半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)支持2-12英寸晶圓，支持多種來料，可選配不同工藝，無往復(fù)時(shí)間，效率提升60%；AS8136高精度多功能貼片機(jī)也支持2-12英寸晶圓，能夠同時(shí)支持4張2英寸晶圓。

快克芯裝備

本屆SEMiBAY灣芯展，快克芯裝備展示了碳化硅熱貼固晶機(jī)、微納金屬銀燒結(jié)等多種碳化硅相關(guān)設(shè)備。

其中，銀燒結(jié)具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性高粘接強(qiáng)度和高穩(wěn)定性等特點(diǎn),其燒結(jié)體適合長期高溫服役,銀燒結(jié)是碳化硅等高功率器件/模塊的核心封裝工藝?？炜诵狙b備自主研發(fā)的微納金屬銀燒結(jié)設(shè)備可滿足芯片燒結(jié)、Clip燒結(jié)以及模塊系統(tǒng)燒結(jié)等工藝需求。

思銳智能

本屆SEMiBAY灣芯展，思銳智能展示了碳化硅離子注入機(jī)SRII-4.5M/200，采用先進(jìn)的Al離子源技術(shù)，Al+注入流量分別可達(dá)1mA/7mA。

思銳智能產(chǎn)品有原子層沉積鍍膜（ALD）設(shè)備、薄膜電發(fā)光顯示器（LDI）設(shè)備以及離子注入（IMP）設(shè)備三大產(chǎn)品系列。氮化鎵領(lǐng)域涉及到非常多ALD相關(guān)的應(yīng)用，而思銳智能的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備能夠有效增強(qiáng)氮化鎵器件的性能，該系列設(shè)備于2023年7月獲得了英諾賽科的訂單。

芯三代

本屆SEMiBAY灣芯展，芯三代展示了采用其自研碳化硅外延設(shè)備制造的碳化硅外延片。

芯三代致力于研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)設(shè)備，目前聚焦于SiC-CVD裝備。芯三代將工藝和設(shè)備緊密結(jié)合研發(fā)的SiC-CVD設(shè)備通過溫場控制、流場控制等方面的設(shè)計(jì)，在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、CoO成本、長時(shí)間多爐數(shù)連續(xù)自動(dòng)生長控制、低缺陷率、維護(hù)便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢。

小結(jié)

本屆SEMiBAY灣芯展，三代半相關(guān)廠商重點(diǎn)展示了碳化硅材料、器件以及設(shè)備相關(guān)產(chǎn)品，彰顯了碳化硅產(chǎn)業(yè)的火熱發(fā)展。

在碳化硅材料端，各大廠商正在加速8英寸轉(zhuǎn)型，8英寸襯底與外延將在未來2-3年逐步起量；在器件端，相關(guān)企業(yè)重點(diǎn)搶攻車用市場，以順應(yīng)新能源汽車大爆發(fā)帶來的產(chǎn)品需求，光伏、工業(yè)等場景也已成為熱門應(yīng)用方向；設(shè)備端，國內(nèi)廠商多點(diǎn)開花，尋求國產(chǎn)替代機(jī)會。

隨著碳化硅價(jià)格持續(xù)下跌，向各應(yīng)用領(lǐng)域的滲透加速，同時(shí)廠商之間的競爭將更加激烈。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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9月10日，據(jù)“沈陽高新區(qū)”官微消息，天科合達(dá)近日摘得北方芯谷新建區(qū)第一塊工業(yè)用地，將投資5.2億元建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目。

據(jù)悉，遼寧省集成電路裝備及零部件產(chǎn)業(yè)園即北方芯谷，位于沈陽市渾南區(qū)，總占地面積5.1平方公里，包括建成區(qū)五三片區(qū)和新建區(qū)張沙布片區(qū)，規(guī)劃建設(shè)集整機(jī)裝備、零部件、系統(tǒng)集成等于一體的產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

而天科合達(dá)本次摘牌的地塊位于北方芯谷新建區(qū)，計(jì)劃建設(shè)碳化硅單晶生長爐、高溫CVD真空爐等裝備研發(fā)制造生產(chǎn)基地和半導(dǎo)體設(shè)備高溫零部件碳化物涂層等終端產(chǎn)品生產(chǎn)基地。項(xiàng)目預(yù)計(jì)明年初開工建設(shè)，年底前投入使用。

作為全球碳化硅襯底主要生產(chǎn)商之一，天科合達(dá)目前正在持續(xù)加碼碳化硅襯底產(chǎn)能。

今年2月，天科合達(dá)控股子公司深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司建設(shè)運(yùn)營的碳化硅材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目在深圳市寶安區(qū)正式揭牌啟用，將重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線。

而在今年8月，北京市生態(tài)環(huán)境局公示了天科合達(dá)碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目（以下簡稱：二期項(xiàng)目）環(huán)評審批。二期項(xiàng)目用于擴(kuò)大天科合達(dá)碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，同時(shí)建設(shè)研發(fā)中心以對生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化和完善，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

隨著本次半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目落地，天科合達(dá)業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)中設(shè)備產(chǎn)品占比有望進(jìn)一步提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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近期，又一批碳化硅項(xiàng)目刷新進(jìn)度，涵蓋碳化硅功率模塊、外延設(shè)備、襯底等方面，天科合達(dá)、天域半導(dǎo)體、納設(shè)智能等企業(yè)盡現(xiàn)身影。

又一批碳化硅項(xiàng)目加速上馬

天科合達(dá)：擴(kuò)產(chǎn)6/8英寸碳化硅襯底

8月13日，北京市生態(tài)環(huán)境局公示了天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目（以下簡稱“二期項(xiàng)目”）環(huán)評審批。

根據(jù)文件指出，隨著北京天科合達(dá)創(chuàng)新能力、市場占有率的不斷提升，行業(yè)內(nèi)影響力不斷增強(qiáng)，計(jì)劃擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，擬在現(xiàn)有廠區(qū)西側(cè)地塊建設(shè)二期項(xiàng)目。

二期項(xiàng)目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程東側(cè)空地；項(xiàng)目總占地面積52790.032m2，總建筑面積105913.29m2，包括生產(chǎn)廠房、化學(xué)品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛(wèi)等。公司擬購置長晶及附屬、晶體加工、晶片加工等工藝設(shè)備，新建6-8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線及研發(fā)中心，以及相關(guān)配套設(shè)施。

該項(xiàng)目用于擴(kuò)大公司碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，同時(shí)建設(shè)研發(fā)中心以對生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化和完善，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

目前，天科合達(dá)旗下碳化硅襯底生產(chǎn)項(xiàng)目已達(dá)5個(gè)，包括位于北京的現(xiàn)有廠區(qū)為公司第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目（一期項(xiàng)目），第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目；位于江蘇的碳化硅晶片一期項(xiàng)目，以及二期項(xiàng)目；位于深圳的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目。

天域半導(dǎo)體：碳化硅外延項(xiàng)目即將試產(chǎn)

據(jù)東莞發(fā)布消息，廣東天域半導(dǎo)體總部和生產(chǎn)制造中心項(xiàng)目即將試產(chǎn)，項(xiàng)目總投資80億元。

該項(xiàng)目位于松山湖生態(tài)園，總占地面積約114.65畝、建筑面積約24萬平方米，建設(shè)內(nèi)容包括廠房、研發(fā)樓、宿舍以及配套設(shè)施等，建成后用于生產(chǎn)6英寸/8英寸碳化硅（SiC）外延晶片，產(chǎn)能達(dá)150萬片/年。項(xiàng)目建設(shè)周期為2023年至2026年，未來預(yù)計(jì)年產(chǎn)值約100億元。

資料顯示，天域半導(dǎo)體是一家SiC外延晶片市場營銷、研發(fā)和制造廠商，是國內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)6英寸SiC外延晶片量產(chǎn)，20kV級以上的厚外延生長，緩變結(jié)、陡變結(jié)等n/p型界面控制技術(shù)，多層連續(xù)外延生長技術(shù)的企業(yè)。業(yè)界透露，目前天域半導(dǎo)體正在積極布局8英寸SiC外延片產(chǎn)線建設(shè)，有望成為國內(nèi)較早實(shí)現(xiàn)8英寸量產(chǎn)的企業(yè)之一。

納設(shè)智能：南通新生產(chǎn)基地項(xiàng)目新進(jìn)展

據(jù)南通高新區(qū)消息，近日，納設(shè)智能位于南通市南通高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)雙福路126號半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園N2棟1F、4F的廠房近日獲得環(huán)評審批。

環(huán)評信息顯示，該項(xiàng)目總投資6000萬元，通過購置超聲波清洗機(jī)、電加熱烤箱、光學(xué)裝配平臺、氦檢儀、CV測試儀等生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行CVD外延設(shè)備生產(chǎn)，項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)形成年產(chǎn)R02型號CVD外延設(shè)備230臺、R04型號CVD外延設(shè)備220臺的生產(chǎn)能力。

官網(wǎng)指出，納設(shè)智能成立于2018年10月，坐落于深圳市光明區(qū)留學(xué)人員創(chuàng)業(yè)園。公司主要從事第三代半導(dǎo)體碳化硅、新型光伏材料、納米材料等先進(jìn)材料領(lǐng)域所需的薄膜沉積設(shè)備等高端設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

6英寸產(chǎn)品方面，納設(shè)智能的6英寸碳化硅外延設(shè)備在2023年已批量出貨給多家外延客戶，也獲得了批量驗(yàn)收，業(yè)績相較于2022年增長了10倍。

8英寸產(chǎn)品方面，納設(shè)智能已研發(fā)并交付了8英寸碳化硅外延設(shè)備，其具備獨(dú)特的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣方式等特點(diǎn)，將更好的提高外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。

在碳化硅襯底細(xì)分領(lǐng)域，納設(shè)智能自主研發(fā)的首臺原子層沉積設(shè)備在完成所有生產(chǎn)和測試流程后，已于今年1月出貨。

據(jù)了解，原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱ALD）是一種薄膜沉積技術(shù)，可歸于化學(xué)氣相沉積大類。相對于一般化學(xué)氣相沉積，其具有獨(dú)特的表面自限制化學(xué)效應(yīng)，因而可以逐個(gè)原子層生長各種化合物或單質(zhì)薄膜材料，實(shí)現(xiàn)更精確的厚度控制，可用于各類襯底材料的薄膜沉積。

瑞福芯科技：車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約

近日，瑞福芯科技與江蘇東臺高新區(qū)簽定了《車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。瑞福芯科技擬落地江蘇東臺高新區(qū)，投資10-15億元建設(shè)第二研發(fā)中心和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地，首期啟動(dòng)資金投入1億元。

資料顯示，瑞福芯科技成立于2022年10月，注冊資本1000萬人民幣，經(jīng)營范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售、電子元器件制造、電力電子元器件制造等。瑞福芯科技已建立預(yù)計(jì)年產(chǎn)30萬只的模塊工廠，主要產(chǎn)品為車用SiC MOS功率模塊。

2023年2月，瑞福芯科技與愛仕特簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同推動(dòng)SiC功率模塊在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。根據(jù)協(xié)議，在未來數(shù)年內(nèi)，瑞福芯科技生產(chǎn)的SiC MOS模塊將全部采用愛仕特的SiC MOS芯片，愛仕特將為瑞福芯科技批量供應(yīng)車用功率模塊所需的1200V/17mΩ及1700V/17mΩ的SiC MOS芯片，并協(xié)助瑞福芯科技建設(shè)模塊工廠，保證其后續(xù)的量產(chǎn)需求。

江蘇晶工：申請擴(kuò)建30畝碳化硅相關(guān)設(shè)備生產(chǎn)基地

8月11日，據(jù)南通日報(bào)消息，江蘇晶工半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡稱“江蘇晶工”）正式向園區(qū)提交了建設(shè)30畝生產(chǎn)基地的申請。

據(jù)報(bào)道，江蘇晶工計(jì)劃通過擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，進(jìn)一步提升晶圓倒角機(jī)等核心產(chǎn)品的產(chǎn)能與品質(zhì)，滿足國內(nèi)外市場對高端半導(dǎo)體設(shè)備日益增長的需求。

官網(wǎng)資料顯示，江蘇晶工位于江蘇省南通市啟東市啟東經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，公司致力于半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)和制造，現(xiàn)已自主研制出4-8英寸和12英寸的全自動(dòng)倒角機(jī)、全自動(dòng)晶圓單片清洗機(jī)、全自動(dòng)晶圓刷洗機(jī)、全自動(dòng)上蠟機(jī)和輪廓儀等。

從產(chǎn)品上看，在大硅片領(lǐng)域，江蘇晶工已成功推出12英寸晶圓倒角設(shè)備和技術(shù)方案，有效解決了大尺寸硅片加工難題；在第三代半導(dǎo)體材料碳化硅領(lǐng)域，江蘇晶工專注于為6英寸、8英寸及非標(biāo)準(zhǔn)直徑尺寸的碳化硅襯底提供倒角、清洗設(shè)備及配套工藝。此外，據(jù)悉江蘇晶工已與歐洲某些襯底廠家簽訂全自動(dòng)晶圓倒角機(jī)的合同。

專利方面，目前，江蘇晶工通過與山東大學(xué)等開展產(chǎn)學(xué)研合作，已申請產(chǎn)品相關(guān)專利19項(xiàng)，已獲得授權(quán)發(fā)明專利1項(xiàng)，實(shí)用新型專利4項(xiàng)，研發(fā)的12英寸全自動(dòng)倒角機(jī)MET-5800，打破國內(nèi)大硅片倒角機(jī)進(jìn)口壟斷的局面，全自動(dòng)倒角機(jī)MET-5600成功替代日本進(jìn)口的倒角機(jī)。

新潔能：SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期

8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。

據(jù)悉，此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資約2.23億元，2022年開建，原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。

新潔能稱，本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的變化，不會對項(xiàng)目的實(shí)施造成實(shí)質(zhì)性影響，也不會對公司的正常經(jīng)營產(chǎn)生重大影響。

此前，新潔能發(fā)布半年報(bào)，2024上半年公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入8.73億元，同比增長15.16%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為2.18億元，同比增長47.45%。

新潔能表示，2024年春節(jié)以來，下游市場逐步恢復(fù)，新興應(yīng)用領(lǐng)域需求顯著增加，公司庫存加速消化，部分產(chǎn)品出現(xiàn)了供不應(yīng)求甚至持續(xù)加單的情況。公司敏銳把握市場行情，及時(shí)了解和積極響應(yīng)客戶需求變化，提前加大排產(chǎn)，滿足市場新增需求，進(jìn)而推動(dòng)業(yè)績穩(wěn)步增長。

產(chǎn)品進(jìn)度方面，根據(jù)半年報(bào)，新潔能芯片產(chǎn)品主要由公司完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)方案后，交由芯片代工企業(yè)進(jìn)行生產(chǎn)；功率器件產(chǎn)品主要由公司通過子公司以及委托外部封裝測試企業(yè)對芯片進(jìn)行封裝測試而成。該公司全資子公司電基集成已建設(shè)先進(jìn)封測產(chǎn)線并持續(xù)擴(kuò)充完善，目前已實(shí)現(xiàn)部分芯片自主封測并形成特色產(chǎn)品；子公司金蘭半導(dǎo)體已建成先進(jìn)功率模塊生產(chǎn)線，以滿足光伏儲能、汽車等重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域客戶的需求。

東海炭素：多晶SiC襯底線加緊建設(shè)

據(jù)外媒近日報(bào)道，東海炭素株式會社正在加緊將其開發(fā)的多晶SiC晶圓材料商業(yè)化，并宣布將投資54億日元，在神奈川縣茅崎市建立1條專用生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2024年12月完工。

東海炭素開發(fā)的多晶SiC晶圓，也稱為“層壓SiC晶圓”，該技術(shù)可將多個(gè)SiC層或薄膜通過特定的工藝方法結(jié)合在一起，形成具有所需特性的復(fù)合SiC襯底，最終達(dá)到提升性能、減少缺陷以及減少成本等目的。例如，這些多晶SiC的電阻力是單晶SiC的1/5到1/4，有助于降低電力損耗。

此外，今年5月，東海炭素與Soitec建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，東海炭素將利用其在多晶碳化硅方面的技術(shù)和制造能力去配合Soitec SmartSiC的生產(chǎn)，并計(jì)劃從2025年開始全面出貨、投入量產(chǎn)。

NanoCMS：SiC粉料加工廠開始正式運(yùn)營

韓媒報(bào)道指出，韓國半導(dǎo)體材料公司NanoCMS已于近日完成了新一代半導(dǎo)體碳化硅加工設(shè)施的建設(shè)，并于本月開始正式運(yùn)營。

今年4月份，NanoCMS計(jì)劃投資30億韓元（約1580萬元人民幣），建設(shè)功率半導(dǎo)體晶圓材料的加工設(shè)施。目前，該公司已經(jīng)能夠通過最新的加工技術(shù)高精度地加工碳化硅粉料。新工廠的投產(chǎn)預(yù)計(jì)，將每年加工180噸功率半導(dǎo)體芯片材料，滿足韓國乃至全球市場對高性能電力電子和半導(dǎo)體材料的高需求。

據(jù)悉，Nano CMS還與盛新材料簽訂了價(jià)值5億韓元的供貨合同，后者成立于2020年，是一家專門生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體上游碳化硅襯底和外延的制造商。

資料顯示，Nano CMS主要開發(fā)和生產(chǎn)納米無機(jī)材料、納米金屬化合物、有機(jī)磷光體等納米材料，公司主要產(chǎn)品可分為防偽材料、功率半導(dǎo)體材料和生物檢測產(chǎn)品三大類。其中，功率半導(dǎo)體材料包含碳化硅顆粒、碳化硅晶錠和6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶圓。

碳化硅大受歡迎

近年來，受電動(dòng)汽車等下游市場推動(dòng)，碳化硅功率器件市場邁入上升周期，也因此大受市場追捧。從特性上看，相較于硅，碳化硅具備禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、電子飽和速度高、導(dǎo)熱系數(shù)高等優(yōu)異的物理性質(zhì)。

碳化硅功率器件應(yīng)用在新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域，其中新能源汽車應(yīng)用占比最高。目前，碳化硅器件在EV/HEV上主要用于功率控制單元、逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等。

產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)上，碳化硅關(guān)鍵部分主要集中在襯底和外延，根據(jù)CASA數(shù)據(jù)，兩者占成本比例合計(jì)70%，其中，襯底制造技術(shù)壁壘最高，成本占比高達(dá)47%，是最核心環(huán)節(jié)。

從SiC襯底尺寸發(fā)展上看，6英寸產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用化，近年來產(chǎn)業(yè)由6英寸加速向8英寸轉(zhuǎn)型。外延片上面，6英寸產(chǎn)品也已實(shí)現(xiàn)商用化，并有部分8英寸產(chǎn)品進(jìn)入商用階段。

近年來，意法半導(dǎo)體、Wolfspeed、英飛凌、羅姆、安森美、三安光電、三菱電機(jī)等各大廠商加大碳化硅襯底外延產(chǎn)能，碳化硅襯底出現(xiàn)了價(jià)格下滑現(xiàn)象，有業(yè)界人士認(rèn)為，汽車是碳化硅最主要的應(yīng)用市場之一，當(dāng)主機(jī)廠降本壓力與日俱增，碳化硅器件廠商也難逃控本的命運(yùn)。碳化硅器件上游的襯底與外延等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)也將面臨技術(shù)革新和“價(jià)格戰(zhàn)”的挑戰(zhàn)。

而整體來看，碳化硅市場正處于高速邁進(jìn)階段，據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024全球SiC Power Device市場分析報(bào)告》顯示，碳化硅在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。（來源：全球半導(dǎo)體觀察）

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文件指出，隨著北京天科合達(dá)創(chuàng)新能力、市場占有率的不斷提升，行業(yè)內(nèi)影響力不斷增強(qiáng)，計(jì)劃擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，擬在現(xiàn)有廠區(qū)西側(cè)地塊建設(shè)二期項(xiàng)目。

二期項(xiàng)目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程東側(cè)空地；項(xiàng)目總占地面積52790.032m2，總建筑面積105913.29m2，包括生產(chǎn)廠房、化學(xué)品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛(wèi)等。

公司擬購置長晶及附屬、晶體加工、晶片加工等工藝設(shè)備，新建6-8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線及研發(fā)中心，以及相關(guān)配套設(shè)施。

該項(xiàng)目用于擴(kuò)大公司碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，同時(shí)建設(shè)研發(fā)中心以對生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化和完善，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

01、天科合達(dá)碳化硅襯底產(chǎn)能分布

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，截止今日，天科合達(dá)旗下碳化硅襯底生產(chǎn)項(xiàng)目已達(dá)5個(gè)。

資料顯示，天科合達(dá)在北京的現(xiàn)有廠區(qū)為公司第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目（下文簡稱“一期項(xiàng)目”）。2020年8月17日，一期項(xiàng)目在北京市大興區(qū)開工，于2022年11月10日完成了竣工環(huán)境保護(hù)自主驗(yàn)收。

一期項(xiàng)目總投資9.8億元，總占地面積33687.914m2，建筑面積55167.71m2，包括生產(chǎn)廠房、化學(xué)品庫、危 廢庫、一般固廢庫、科研與辦公用房、食堂及宿舍樓等。建設(shè)1條碳化硅晶片生產(chǎn)線，年產(chǎn)6英寸碳化硅襯底15萬片。

2019年12月27日，江蘇天科合達(dá)碳化硅晶片一期項(xiàng)目順利建成投產(chǎn)。該項(xiàng)目總投資5億元，占地面積26000平方米，可年產(chǎn)4-8英寸碳化硅襯底6萬片。

2023年8月8日，江蘇天科合達(dá)徐州碳化硅晶片二期項(xiàng)目開工，項(xiàng)目總投資8.3億元，達(dá)產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底16萬片。2023年12月28日，該項(xiàng)目已全面封頂，預(yù)計(jì)今年投產(chǎn)。

2024年2月27日，由天科合達(dá)子公司深圳重投天科負(fù)責(zé)運(yùn)營的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地也于在深圳寶安區(qū)啟動(dòng)，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片。

小結(jié)

近年來，因在電動(dòng)汽車等電氣領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異，碳化硅功率器件大受市場追捧。

據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024全球SiC Power Device市場分析報(bào)告》顯示，碳化硅在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。

市場對碳化硅功率器件的需求增長也拉動(dòng)了碳化硅襯底材料的出貨。

天科合達(dá)在2023年11月表示，2023年下半年，公司營收首次突破10億元，截至2023年10月份，公司營收已經(jīng)較2022年全年翻一番。

據(jù)此來看，仍處于上升周期的碳化硅功率器件市場，對碳化硅襯底的需求是推動(dòng)天科合達(dá)持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的主要?jiǎng)恿?。后續(xù)，隨著天科合達(dá)的碳化硅襯底項(xiàng)目正式投產(chǎn)，國內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)量再將迎來提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Rick）

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集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn)，本屆SEMI-e展會匯聚了天科合達(dá)、萬年芯、南砂晶圓、爍科晶體、天域半導(dǎo)體、同光股份、先導(dǎo)集團(tuán)、普興電子、科友半導(dǎo)體、合盛新材料、集芯先進(jìn)、乾晶半導(dǎo)體、天成半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、致能科技、蓉矽半導(dǎo)體、鎵未來、宇騰電子、晶鎵半導(dǎo)體、芯三代、AIXTRON愛思強(qiáng)、漢虹精密、恒普技術(shù)、頂立科技、芯暉裝備、志橙半導(dǎo)體、高測股份、宇晶機(jī)器、創(chuàng)銳光譜、中宜創(chuàng)芯、九域半導(dǎo)體、納設(shè)智能、黃河旋風(fēng)、季華恒一、力凱數(shù)控、清軟微視、泰微科技、聯(lián)合精密、眾力為、中機(jī)新材、優(yōu)界科技等第眾多三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN領(lǐng)域最新技術(shù)和產(chǎn)品，彰顯了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在蓬勃發(fā)展，各家廠商展品匯總?cè)缦拢?/p>

天科合達(dá)

本屆展會，天科合達(dá)帶來了高純導(dǎo)電SiC粉料、6英寸N型SiC晶錠、6英寸N型SiC襯底等產(chǎn)品。

目前，天科合達(dá)已形成擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC單晶生長爐制造、原料合成、晶體生長、晶體切割、晶片加工、清洗檢測和外延片制備等七大關(guān)鍵核心技術(shù)體系，覆蓋SiC材料生產(chǎn)全流程，形成一個(gè)研發(fā)中心、三家全資子公司和一家控股子公司的業(yè)務(wù)布局。

比亞迪半導(dǎo)體

本屆展會，比亞迪半導(dǎo)體帶來了IGBT晶圓及汽車功率模塊等產(chǎn)品。

據(jù)悉，去年11月底，位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工。該項(xiàng)目總投資100億元，項(xiàng)目建設(shè)年產(chǎn)72萬片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。

泰科天潤

本屆展會，泰科天潤展示了6英寸SiC晶圓、6英寸SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。

目前，泰科天潤的SiC產(chǎn)品范圍覆蓋650V-3300V（0.5A-100A）等多種規(guī)格，提供TO220、TO220全包封、T0220內(nèi)絕緣、T0247-2L、TO247-3L、TO247-4L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式，已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等多個(gè)領(lǐng)域。

世紀(jì)金芯

本屆展會，世紀(jì)金芯展示了SiC高純粉料、6/8英寸SiC晶錠/襯底等產(chǎn)品。

其中，世紀(jì)金芯帶來的SiC高純粉料純度可達(dá)99.9999%wt以上；其6/8英寸SiC晶錠/襯底具有禁帶寬度大、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學(xué)穩(wěn)定性好、電子飽和漂移速度高等特性。

今年4月，世紀(jì)金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片，訂單價(jià)值約2億美元。

晶格領(lǐng)域

本屆展會，晶格領(lǐng)域帶來了3C-n型SiC襯底、4H-p型SiC襯底等產(chǎn)品。

其中，3C-n型SiC襯底具有更高的電子遷移率(3C-SiC，1100cm2/V·s；4H-SiC，900 cm2/V·s)，同時(shí)由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度，可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性，能大幅度提高器件產(chǎn)品良率；而4H-p型SiC襯底是利用液相法生長的p型SiC襯底，具有低電阻、高摻雜濃度高品質(zhì)等特點(diǎn)，能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求。

眾力為

本屆展會，眾力為展示了SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)、SiC動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、GaN HEMT動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等產(chǎn)品。

其中，SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)采用高速DSP+總線控制+觸屏和PC軟控界面，實(shí)現(xiàn)測試前自動(dòng)VF接觸性檢測，浪涌電流測試后通過反向電流檢測功能自動(dòng)檢測DUT是否失效。

GaN HEMT動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)基于QT開發(fā)的人機(jī)交互界面，所有測試條件均可界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動(dòng)調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)一鍵測試；采用光纖驅(qū)動(dòng)信號通訊，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強(qiáng)；設(shè)備帶有自動(dòng)高溫加熱功能，溫度范圍為室溫-200℃，精度±0.1℃。

方正微電子

本屆展會，方正微電子展示了SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。

其中，SiC MOSFET系列產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)控制器、OBC充電、直流充電樁，光伏/儲能逆變，工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景，具有功率密度高、效率高、損耗低等特點(diǎn)；GaN HEMT系列產(chǎn)品可應(yīng)用于PD快充、PC電源、通訊/數(shù)據(jù)中心電源等場景，損耗低、效率高、體積小。

高測股份

本次展會高測股份向外主推碳化硅切片和半導(dǎo)體金剛線切片機(jī)。

據(jù)介紹，公司主推設(shè)備型號GC- SCDW8300型碳化硅切片機(jī)，大大提升切割效率及出片率，降低生產(chǎn)成本，對比砂漿切割產(chǎn)能提升118%，成本降低26%。

source：高測股份

設(shè)備型號GC-SEDW812半導(dǎo)體金剛線切片機(jī)，使用金剛線切割半導(dǎo)體單晶硅片的專用加工設(shè)備，可加工硅棒直徑兼容8寸、12 寸，最大加工長度450mm（晶向偏角≤4°）。

source：高測股份

優(yōu)界科技

優(yōu)界科技首次在國內(nèi)展出納米銀預(yù)燒結(jié)貼片機(jī)SiC-8Kpro。

該設(shè)備具備可應(yīng)用于銀膜、銀膏等有壓、無壓工藝，兼容2寸/4寸wafer，主要針對SiC、IGBT、射頻功率器件、大功率激光器等產(chǎn)品。

萬年芯

本屆展會，萬年芯帶來了SiC PIM模塊、智能功率模塊（IPM）、半橋SiC模塊、超低內(nèi)阻SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。

其中，SiC IPM模塊系列產(chǎn)品，封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片，內(nèi)置性能強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)芯片、6-12顆SiC功率芯片、溫度傳感芯片，電壓650V~1200V，功率300~5000W，適用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的變頻器和各種逆變電源。

萬年芯超低內(nèi)阻SiC MOSFET系列產(chǎn)品，使用自主研發(fā)的框架結(jié)構(gòu)，650V 系列產(chǎn)品最低Rdon為5毫歐，1200V系列產(chǎn)品最低Rdon為7毫歐。TO247-4PHC封裝具有強(qiáng)大的過流能力（持續(xù)電流200A）、耐壓能力（3300V），可用于40-60KW充電樁電源、100KW工商儲能PCS、5G電源、太陽能光伏逆變器、電網(wǎng)、高鐵、汽車等行業(yè)。

愛仕特

本屆展會，愛仕特展品范圍涵蓋650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其SiC MOSFET產(chǎn)品全系列采用6英寸晶圓量產(chǎn)，最高耐壓3300V，最低內(nèi)阻15毫歐，按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)測試，能夠滿足車規(guī)級要求。

森國科

本屆展會，森國科帶來了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC模塊等系列產(chǎn)品。

森國科全SiC功率模塊包括MOSFET模塊以及肖特基二極管模塊，SiC MOSFET模塊采用主流的Easy 2B封裝,模塊擁有極小的反向恢復(fù)損耗，優(yōu)異的高溫特性，卓越的散熱能力，可以有效減小系統(tǒng)體積，提升整體效率，降低散熱要求，降低系統(tǒng)成本，降低電磁干擾。

森國科SiC肖特基二極管模塊采用第五代SiC芯片組，具有更低的損耗，在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，可以有效簡化系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)。

合盛新材

本屆展會，合盛新材展示了高純度SiC原料、6英寸N型SiC外延片、6英寸N型SiC雙面拋光襯底片等產(chǎn)品。

合盛新材高純度SiC原料純度不低于99.9999%，顆粒度精確可控；6英寸N型SiC外延片總?cè)毕菝芏瓤蛇_(dá)MOS級≤0.5/cm2，厚度均勻性≤2%，濃度均勻性≤4%；6英寸N型SiC雙面拋光襯底片微管密度可達(dá)≤0.1/cm2，BPD可控制在≤500/cm2，TSD可控制在≤100/cm2。

愛思強(qiáng)

本屆展會，愛思強(qiáng)展示了SiC外延CVD系統(tǒng)G10-SiC方案。

G10-SiC（source：愛思強(qiáng)）

據(jù)悉，G10-SiC設(shè)備發(fā)布于2022年9月，自上市以來銷量持續(xù)保持增長，成為愛思強(qiáng)業(yè)績發(fā)展的一大強(qiáng)勁增長引擎，營收比重不斷提高。2023年，得益于SiC、GaN等G10系列設(shè)備的銷量增長，愛思強(qiáng)實(shí)現(xiàn)總營收6.299億歐元，同比增長36%。其中，設(shè)備銷售額為5.323億歐元，占總營收比重從82%上升至85%。

科友半導(dǎo)體

本屆展會，科友半導(dǎo)體展示了6/8英寸SiC籽晶產(chǎn)品。

今年3月，科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“8英寸SiC完美籽晶”項(xiàng)目合作。通過與俄羅斯N公司合作，科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無微管，低位錯(cuò)”完美籽晶，而應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長，能夠大幅降低8英寸SiC晶體內(nèi)部的微管、位錯(cuò)等缺陷密度，從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率，并推動(dòng)SiC長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級。

黃河旋風(fēng)

本屆展會，黃河旋風(fēng)展示了直徑為0.250mm、0.175mm、0.155mm的多款切割SiC單晶金剛石線產(chǎn)品，切割對象為2-8英寸絕緣型及導(dǎo)電型SiC單晶，適用于安永HW810等高速專用設(shè)備。

黃河旋風(fēng)在2022年研發(fā)成功并投放市場的第三代半導(dǎo)體SiC單晶切片專用線鋸，擁有較好的匹配性和較高的穩(wěn)定性。

蓉矽半導(dǎo)體

本屆展會，蓉矽半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET、SiC EJBS系列產(chǎn)品。其SiC MOSFET產(chǎn)品具有短路耐受時(shí)間＞3μs、柵氧化層長期可靠、導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗低、高雪崩耐量等特點(diǎn)，工作結(jié)溫達(dá)175℃；其SiC EJBS產(chǎn)品具有高抗浪涌電流能力、低正向?qū)▔航?、低反向漏電流、零反向恢?fù)電流等特點(diǎn)。

蓉矽半導(dǎo)體引入了WLTBI(Wafer-Level Test & Burn-ln)系統(tǒng)，晶圓測試階段引入WLTBI，在高溫/高應(yīng)力的作用下，有效篩除SiC MOSFET中早期失效和偶發(fā)失效過渡區(qū)域內(nèi)存在風(fēng)險(xiǎn)的芯片，以確保SiC晶圓出廠質(zhì)量與可靠性符合行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)。

九域半導(dǎo)體

本屆展會，九域半導(dǎo)體展示了方阻（電阻率）測試儀（片與錠）產(chǎn)品。

該設(shè)備主要利用渦電流測試原理，非接觸測試半導(dǎo)體材料、石墨烯、透明導(dǎo)電膜、碳納米管、金屬等材料的方阻(電陽率)，可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質(zhì)量控制。本儀器為非接觸、非損傷測試，具有測試速度快、重復(fù)性佳、測試敏感性高、可以直接測試產(chǎn)品片等優(yōu)點(diǎn)。

同光股份

本屆展會，同光股份展示了SiC合成粉料、6英寸高純半絕緣SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶錠等豐富多樣的SiC產(chǎn)品。

同光股份早在2014年就已經(jīng)有SiC單晶襯底面世，目前已經(jīng)攻克了高純SiC原料合成、晶型和結(jié)晶質(zhì)量控制、籽晶特殊處理等多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)難題，掌握了高品質(zhì)、低缺陷SiC單晶襯底制備技術(shù)。

同光股份旗下設(shè)有三個(gè)工廠，分別是保定工廠一期、保定工廠二期和淶源工廠。這些工廠布局了完整的SiC襯底生產(chǎn)線，涵蓋了從原料合成、晶體生長、襯底加工到晶片檢測的全過程。

納設(shè)智能

本屆展會，納設(shè)智能展示了6/8英寸SiC外延設(shè)備方案，具備氣路獨(dú)立可控、工藝指標(biāo)優(yōu)異、機(jī)臺量產(chǎn)穩(wěn)定、NP型靈活切換等特點(diǎn)。

今年1月，納設(shè)智能自主研發(fā)的首臺原子層沉積設(shè)備完成了所有生產(chǎn)和測試流程，順利出貨。

鎵仁半導(dǎo)體

本屆展會，鎵仁半導(dǎo)體展示了2/4/6英寸氧化鎵襯底、半絕緣型氧化鎵方形襯底、導(dǎo)電型氧化鎵方形襯底、非故意摻雜氧化鎵方形襯底等各類產(chǎn)品。

氧化鎵材料的高擊穿電壓及低導(dǎo)通電阻特性在功率電子器件方面有巨大應(yīng)用潛力，包括新能源汽車、光伏逆變器、軌道交通、國家電網(wǎng)、空間應(yīng)用等。氧化鎵材料的禁帶寬度達(dá)到4.85eV，可見光波段透過率好，可應(yīng)用于日盲紫外探測、輻射探測等領(lǐng)域。此外，氧化鎵單晶與GaN的低失配特性，還適用于生長GaN材料制備高性能的射頻器件，從而在5G通信方面有重要應(yīng)用前景。

乾晶半導(dǎo)體

本屆展會，乾晶半導(dǎo)體展示了4/6英寸半絕緣SiC拋光片、6/8英寸導(dǎo)電型SiC拋光片、6英寸SiC肖基特二極管晶圓、TO-220封裝SiC二極管等眾多產(chǎn)品。

目前，乾晶半導(dǎo)體6英寸SiC單晶及拋光片產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量供貨，8英寸產(chǎn)品可供小批量測試。

晶鎵半導(dǎo)體

本屆展會，晶鎵半導(dǎo)體展示了GaN自支撐襯底、GaN厚膜晶片等產(chǎn)品。其GaN單晶襯底主要應(yīng)用于藍(lán)綠光激光顯示、激光照明、微波通訊、電力電子等領(lǐng)域。

晶鎵半導(dǎo)體成立于2023年8月，主要從事第三代半導(dǎo)體材料GaN單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是少數(shù)具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的GaN單晶襯底生產(chǎn)制造廠家。

芯三代

本屆展會，芯三代展示了SiC外延設(shè)備方案及客戶外延片產(chǎn)品。

芯三代目前聚焦SiC等第三代半導(dǎo)體裝備，代表產(chǎn)品為用于大規(guī)模量產(chǎn)SiC外延生長的CVD設(shè)備，該設(shè)備產(chǎn)能≥1000片/月，通過工藝優(yōu)化，可超過1200片/月，外延規(guī)格為英寸時(shí)(兼容8英寸)，最高外延生長速率≥60微米/小時(shí)。

該設(shè)備擁有完全獨(dú)立的自主知識產(chǎn)權(quán)，具有獨(dú)創(chuàng)的進(jìn)氣方式、垂直氣流和溫場控制技術(shù)，輔以全自動(dòng)上下料（EFEM）系統(tǒng)和高溫傳盤等手段，在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、Co0成本、長時(shí)間多爐數(shù)連續(xù)自動(dòng)生長控制、低缺陷率、維護(hù)便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢。

爍科晶體

本屆展會，爍科晶體帶來了6/8英寸導(dǎo)電N型SiC襯底、8英寸導(dǎo)電N型SiC晶錠等各類產(chǎn)品。

爍科晶體通過多年自主創(chuàng)新先后完成 4、6、8英寸SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，現(xiàn)已掌握SiC生長裝備制造、碳化硅粉料制備，N型及高純半絕緣SiC單晶襯底制備工藝，擁有SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。

普興電子

本屆展會，普興電子展示了8英寸SiC外延片、硅基GaN外延片、氧化鎵外延片等各類外延產(chǎn)品。

今年2月，普興電子官網(wǎng)信息顯示，其“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”進(jìn)行了第一次環(huán)境影響評價(jià)信息公示。本項(xiàng)目總投資35070.16萬元，利用公司1#廠房進(jìn)行改擴(kuò)建，建筑面積約4000平米，購置SiC外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片的生產(chǎn)能力。

天域半導(dǎo)體

本屆展會，天域半導(dǎo)體主要展示了SiC外延片及相關(guān)襯底/器件模塊產(chǎn)品，包括6/8英寸SiC晶圓、6/8英寸SiC襯底、6/8英寸SiC外延片、SiC MOSFET、汽車主驅(qū)模塊等。

天域半導(dǎo)體主要向下游客戶提供SiC外延片產(chǎn)品，用于制作650V-3300V、3300V-20000V單極和雙極功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等。

鎵未來

本屆展會，鎵未來展示了6英寸硅基GaN晶圓和各類GaN封裝產(chǎn)品，適用于PD快充、適配器、驅(qū)動(dòng)電源、逆變器等應(yīng)用場景。

據(jù)悉，戶外電源在休閑娛樂、戶外作業(yè)和應(yīng)急救援等方面應(yīng)用廣泛，為了延長戶外電源的使用壽命和可靠性，特別是針對戶外作業(yè)對防水防塵的應(yīng)用要求，滿足市場對無風(fēng)扇戶外電源設(shè)計(jì)需求，鎵未來率先推出GaN大功率無風(fēng)扇雙向逆變器技術(shù)平臺。

致能科技

本屆展會，致能科技帶來了6英寸硅基GaN晶圓以及各類應(yīng)用方案。

致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設(shè)有生產(chǎn)研發(fā)基地和市場銷售中心。公司致力于GaN功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與生產(chǎn)，已建成外延、器件、封裝、系統(tǒng)的全鏈條研發(fā)及生產(chǎn)能力。

去年11月，致能科技首發(fā)1200V耗盡型（D-Mode）高可靠性GaN器件平臺。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達(dá)到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車等領(lǐng)域。

天成半導(dǎo)體

本屆展會，天成半導(dǎo)體展示了導(dǎo)電型SiC粉料、導(dǎo)電型SiC晶錠、半絕緣型SiC晶錠、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底等產(chǎn)品。

天成半導(dǎo)體將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，利用自蔓延法制備的高純SiC粉料，其純度高達(dá)99.9999%。

恒普技術(shù)

本屆展會，恒普技術(shù)展示了SiC長晶爐、碳化鉭涂層材料等產(chǎn)品。

其中，SiC長晶爐可實(shí)現(xiàn)多區(qū)域獨(dú)立控溫、長晶全周期溫度控制。碳化鉭涂層有助于提高SiC晶體生長質(zhì)量，是“長快、長厚、長大”核心技術(shù)方向之一。

中宜創(chuàng)芯

本屆展會，中宜創(chuàng)芯展示了眾多類型的SiC粉料、SiC晶錠以及SiC襯底產(chǎn)品。

其SiC半導(dǎo)體粉體產(chǎn)品主要分為摻氮SiC粉體、不摻氨SiC粉體、半絕緣SiC粉體和立方SiC粉體四大類，產(chǎn)品純度最高達(dá)到7N級，粒度分8目以上、8目-20目、20目-40目、40目-80目、80目以下作為SiC半導(dǎo)體原料，廣泛用于SiC單晶生長。

頂立科技

本屆展會，頂立科技展示了高溫石墨化爐、化學(xué)氣相沉積爐等設(shè)備。

其中，化學(xué)氣相沉積爐是制備高性能碳基、陶瓷基復(fù)合材料的關(guān)鍵設(shè)備，頂立科技突破了大型沉積裝備溫場/流場均勻控制、智能壓力調(diào)控、腐蝕性液體氣化及精確傳送/進(jìn)給、尾氣處理等一系列關(guān)鍵技術(shù)，掌握了大型SiC、BN及PyC等沉積裝備設(shè)計(jì)及制造相關(guān)的全套技術(shù)，打破了國內(nèi)只能生產(chǎn)小尺寸設(shè)備的局面，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。

季華恒一

本屆展會，季華恒一展示了快速退火爐、高溫外延爐、離子注入機(jī)等設(shè)備。

季華恒一專注于寬禁帶半導(dǎo)體和新能源領(lǐng)域的半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化，著力于開發(fā)滿足高良率、穩(wěn)定生產(chǎn)需求的SiC高溫外延生長系統(tǒng)、高溫離子注入系統(tǒng)、高溫氧化系統(tǒng)、激光退火系統(tǒng)、快速退火系統(tǒng)、真空鍍膜系統(tǒng)等裝備。

創(chuàng)銳光譜

本屆展會，創(chuàng)銳光譜展示了SiC少子壽命質(zhì)量成像檢測系統(tǒng)、SiC襯底位錯(cuò)缺陷光學(xué)無損檢測系統(tǒng)等設(shè)備。

其中，SiC襯底位錯(cuò)缺陷光學(xué)無損檢測系統(tǒng)為SiC襯底位錯(cuò)缺陷專用檢測設(shè)備，可全面替代堿液蝕刻（有損）檢測方式，AI精準(zhǔn)識別BPD、TSD、TED，準(zhǔn)確率＞90%。

中機(jī)新材

本屆展會，中機(jī)新材帶來了SiC襯底粗磨液、SiC襯底精磨液、SiC襯底粗拋液、SiC襯底精拋液等系列產(chǎn)品。

據(jù)悉，傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，且高氯酸產(chǎn)生的環(huán)境污染時(shí)間長、范圍廣、難以根除。而中機(jī)新材首創(chuàng)的團(tuán)聚金剛石技術(shù)，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產(chǎn)過程中的環(huán)保和成本痛點(diǎn)。

飛仕得

本屆展會，飛仕得帶來了SiC器件動(dòng)態(tài)偏壓可靠性設(shè)備ME100DHTXB。

該設(shè)備實(shí)現(xiàn)DHTGB、DHTRB、DHTGB+DHTRB一體三種功能，同時(shí)可兼容HTGB、HTRB功能；每個(gè)抽屜獨(dú)立，匹配獨(dú)立電源，不同抽屜可實(shí)現(xiàn)不同條件、不同封裝器件同步老化；一個(gè)柜體內(nèi)置5個(gè)抽屜，最多可配4個(gè)柜體；不同柜體任意選配DHTGB/DHTRB，增加不同封裝器件老化，新增對應(yīng)抽屜即可，無需再次購買整個(gè)設(shè)備。

宇騰電子

本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍(lán)寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。

宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計(jì)生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專用石英與石墨制品設(shè)計(jì)生產(chǎn)等，為客戶提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。

中環(huán)領(lǐng)先

本屆展會，中環(huán)領(lǐng)先帶來了6英寸SiC外延片、6英寸硅基GaN外延片等產(chǎn)品。

據(jù)悉，中環(huán)領(lǐng)先專注于半導(dǎo)體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)品還在加碼研發(fā)中。

先導(dǎo)集團(tuán)

本屆展會，先導(dǎo)集團(tuán)旗下先為科技帶來了GaN MOCVD外延設(shè)備和SiC外延設(shè)備。

其中，BrillMO系列MOCVD系統(tǒng)適用于6英寸和8英寸功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的溫場和流場設(shè)計(jì),具有成膜質(zhì)量高、產(chǎn)能高、使用成本低等優(yōu)勢,為GaN外延加工提供完備的解決方案。

BriSCore系列CVD系統(tǒng)采用創(chuàng)新的批量式腔體設(shè)計(jì),可同時(shí)加工15片6英寸晶圓，適用于6英寸和8英寸SiC功率芯片的外延制造。BriSCore SiC Epi外延設(shè)備具有產(chǎn)能表現(xiàn)優(yōu)異、使用成本低等優(yōu)勢，為SiC外延加工提供量產(chǎn)解決方案。

南砂晶圓

本屆展會，南砂晶圓帶來了6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶棒、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底片系列產(chǎn)品。

南砂晶圓產(chǎn)品以8英寸、6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底為主，可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。南砂晶圓生產(chǎn)的8英寸導(dǎo)電型SiC襯底的TSD、MPD和SF可達(dá)到0，BPD≤200cm﹣2。

邁為股份

本屆展會，邁為股份帶來了8英寸SiC研磨設(shè)備。

邁為股份于2010年9月成立，是一家集機(jī)械設(shè)計(jì)、電氣研制、軟件開發(fā)、精密制造于一體的高端裝備制造商，公司面向太陽能光伏、顯示、半導(dǎo)體三大行業(yè)，研發(fā)、制造、銷售智能化高端裝備，主要產(chǎn)品包括全自動(dòng)太陽能電池絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線、異質(zhì)結(jié)高效電池制造整體解決方案、OLED柔性屏激光切割設(shè)備、Mini/Micro LED晶圓設(shè)備、半導(dǎo)體晶圓封裝設(shè)備等。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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今年以來，國產(chǎn)SiC技術(shù)和產(chǎn)品在國際市場上似乎越來越受歡迎，可從簽單動(dòng)作窺見一斑。3月，科友半導(dǎo)體與歐洲一家國際知名企業(yè)簽訂長單，簽約額超過2億元人民幣；4月，世紀(jì)金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單，按照協(xié)議約定，世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片，訂單價(jià)值約2億美元（約14.5億元人民幣）。

以上簽單情況在一定程度上反映出，國內(nèi)SiC廠商得到了全球各地客戶的認(rèn)可，在技術(shù)水平、產(chǎn)能等方面擁有了能夠比肩國際SiC巨頭們的實(shí)力。

與此同時(shí)，國際SiC大廠也在積極尋求中國市場的合作與業(yè)務(wù)拓展機(jī)會。其中，意法半導(dǎo)體、安森美、英飛凌等SiC功率器件頭部廠商均在2024年與國內(nèi)企業(yè)達(dá)成新合作，在中國市場的業(yè)務(wù)布局進(jìn)一步深化。

從意法半導(dǎo)體、安森美、英飛凌等廠商的合作對象來看，以車企居多，背后的新能源汽車產(chǎn)業(yè)正是SiC廣泛應(yīng)用的大舞臺。在SiC加速“上車”趨勢下，擁有更多的車企合作伙伴，意味著有望創(chuàng)造更多的業(yè)績增量。

從國內(nèi)外廠商近期的簽單合作情況來看，國內(nèi)SiC廠商出海、國際巨頭全面加碼中國業(yè)務(wù)的“雙向奔赴”態(tài)勢已基本形成，背后的推動(dòng)因素值得細(xì)細(xì)品味。

國內(nèi)SiC廠商加速出海

從國內(nèi)廠商在國際市場的業(yè)務(wù)拓展情況來看，SiC產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均有企業(yè)已成功實(shí)現(xiàn)海外客戶“0”突破，而天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等頭部SiC玩家是其中的代表性企業(yè)。

襯底環(huán)節(jié)，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)都與英飛凌簽署了SiC襯底長期供應(yīng)協(xié)議，兩家廠商的供應(yīng)量都將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。目前，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)已與眾多國內(nèi)外知名客戶開展戰(zhàn)略合作，包括英飛凌、安森美、博世等國際SiC功率器件大廠?；谏鲜龊献鳎炜坪线_(dá)、天岳先進(jìn)不斷深化國際業(yè)務(wù)布局。

外延環(huán)節(jié)，中電化合物已與韓國Power Master公司簽署了長期供應(yīng)SiC材料的協(xié)議，包括8英寸，由此，中電化合物SiC產(chǎn)品成功打入韓國市場。除中電化合物外，瀚天天成、天域半導(dǎo)體SiC外延片出海也已取得積極進(jìn)展，其中，瀚天天成服務(wù)的客戶包括了未具體披露的多家國際先進(jìn)功率器件廠商。

器件環(huán)節(jié)，韓國SK Signet采用了派恩杰1200V 40mΩ SiC MOSFET器件，愛仕特1200V MED系列SiC功率模塊已交付于海外客戶使用，致瞻科技更是通過與韓國INTECH FA合作，將SiC功率模塊等產(chǎn)品推向韓國、日本、東南亞、以及北美市場，由此可見，部分國內(nèi)SiC器件廠商已從國際大廠的“競技場”中成功突圍，占據(jù)了一席之地。

設(shè)備方面，優(yōu)晶科技最新出口至某國際知名客戶的大尺寸電阻法SiC長晶設(shè)備已順利通過驗(yàn)收，這意味著優(yōu)晶科技國際業(yè)務(wù)取得重大突破，有利于其進(jìn)一步拓展國際市場應(yīng)用需求。

對于已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)出海的眾多SiC廠商而言，或多或少都有自己的“拿手好戲”，其中之一便是性價(jià)比。

據(jù)英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部（IPC）總裁Peter Wawer博士此前透露，來自中國的天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等新興襯底廠商，提出的報(bào)價(jià)比某市場調(diào)研機(jī)構(gòu)提供的參考價(jià)低很多。但低價(jià)并不意味著低質(zhì)，從英飛凌的初步測試結(jié)果來看，新興供應(yīng)商的襯底性能和缺陷率與Wolfspeed、Coherent和Resonac等主流供應(yīng)商相比并沒有顯著的差異，良率也在可接受范圍。

由此在一定程度上可以看出，部分國內(nèi)襯底廠商質(zhì)優(yōu)價(jià)廉，具有一定的市場競爭力。當(dāng)然，能夠贏得國際客戶青睞，產(chǎn)能支撐不可或缺。

其中，天岳先進(jìn)上海臨港新工廠已于2023年5月開始交付6英寸導(dǎo)電型SiC襯底，目前產(chǎn)能和產(chǎn)量均在持續(xù)爬坡中。在此基礎(chǔ)上，天岳先進(jìn)在2023年下半年已決定將6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大至96萬片/年。頭部廠商的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模之巨大，業(yè)內(nèi)有目共睹，這不僅有助于滿足國內(nèi)市場需求，也為未來持續(xù)穩(wěn)定供貨海外客戶打下了基礎(chǔ)。

作為器件廠商，派恩杰在與SK Signet的合作中，供貨占比達(dá)60%，且是唯一一家國產(chǎn)廠商，彰顯了客戶對于派恩杰產(chǎn)品的認(rèn)可。而在設(shè)備廠商優(yōu)晶科技的SiC長晶設(shè)備驗(yàn)收過程中，客戶對優(yōu)晶科技的產(chǎn)品和服務(wù)給予了較高評價(jià)，同樣是對優(yōu)晶科技專業(yè)性和實(shí)力的認(rèn)可。

整體來看，在技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)能提升以及性價(jià)比優(yōu)勢等眾多利好因素推動(dòng)下，國內(nèi)SiC廠商正在加速布局海外業(yè)務(wù)，進(jìn)而刺激更多國內(nèi)廠商加入出海大軍。

國際SiC巨頭掘金中國市場

在國內(nèi)SiC廠商加速出海的同時(shí)，國際巨頭們也在積極加碼中國業(yè)務(wù)。事實(shí)上，得益于在技術(shù)研發(fā)方面的先發(fā)優(yōu)勢，部分國際大廠很早就進(jìn)入了中國市場，為國內(nèi)客戶供貨。例如，英飛凌很早就開始研究SiC功率器件，在2001年就以SiC SBD的形式推出了第一款商業(yè)化元件。

而在2023年以來，部分國際廠商在中國市場動(dòng)作頻頻，似乎掀起了一股深耕中國市場的風(fēng)潮。其中，意法半導(dǎo)體先后與三安光電、理想汽車、致瞻科技等廠商達(dá)成新的合作，合作對象遍及SiC產(chǎn)業(yè)鏈上下游。

與本土廠商三安光電合作建設(shè)8英寸SiC器件合資制造工廠，有利于縮短供應(yīng)鏈路，將幫助意法半導(dǎo)體以較高效的方式滿足中國客戶不斷增長的功率器件需求，同時(shí)，通過與國內(nèi)頭部玩家三安光電合作，雙方在技術(shù)迭代升級方面也能夠形成協(xié)同效應(yīng)。

與理想汽車合作，意法半導(dǎo)體看中的是理想汽車新能源車型銷量持續(xù)增長背后的SiC器件需求。盡管理想汽車為了實(shí)現(xiàn)高壓電驅(qū)動(dòng)技術(shù)的自主可控，也在積極布局SiC功率器件領(lǐng)域，但短期內(nèi)，與意法半導(dǎo)體合作以獲得SiC MOSFET成熟產(chǎn)品，也有其必要性。

在意法半導(dǎo)體SiC MOSFET支持下，理想汽車進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場的戰(zhàn)略部署將更加容易實(shí)現(xiàn)，而與頭部車企之一的理想汽車合作，意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品也將隨理想汽車銷量的增長不斷強(qiáng)化品牌影響力，進(jìn)而創(chuàng)造更多與潛在車企合作的機(jī)會。

此外，意法半導(dǎo)體新的合作對象也包括致瞻科技，后者是一家零部件供應(yīng)商，已在新能源汽車400V、800V和1000V平臺上量產(chǎn)了基于SiC的空調(diào)壓縮機(jī)控制器?；诖舜魏献?，意法半導(dǎo)體在推動(dòng)電動(dòng)壓縮機(jī)系統(tǒng)小型化的同時(shí)將進(jìn)一步降低成本，進(jìn)而對車載空調(diào)壓縮機(jī)控制器細(xì)分領(lǐng)域加大滲透。

與意法半導(dǎo)體在中國市場的合作情況類似，英飛凌、安森美、博世等廠商新合作對象也涵蓋SiC廠商、車企以及零部件供應(yīng)商等各類企業(yè)，而加速國際巨頭與國內(nèi)企業(yè)達(dá)成合作的原因是多方面的，其中之一便是國內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展創(chuàng)造的機(jī)遇。

目前，SiC器件似乎已逐漸成為新能源旗艦車型標(biāo)配，從近期各大車企發(fā)布的新車型來看，SiC幾乎都是賣點(diǎn)之一，這表明新能源汽車品牌及用戶群體對于SiC上車的認(rèn)可度正在持續(xù)提升，同時(shí)新車型也是國際廠商SiC技術(shù)和產(chǎn)品的用武之地。

在SiC器件國產(chǎn)替代短期內(nèi)難以大規(guī)模實(shí)現(xiàn)的情況下，國際巨頭仍然有很多機(jī)會進(jìn)一步開拓國內(nèi)新能源汽車市場。

其二，近年來，國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)成長較快，部分企業(yè)在技術(shù)水平方面已然達(dá)到世界先進(jìn)水平，這些重要的技術(shù)突破，也會讓國際巨頭們感受到壓力，于是，與國內(nèi)相關(guān)廠商合作，共同探討先進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)，就成為國際大廠較明智的選擇，通過技術(shù)合作更好地拓展市場，也是國際玩家加碼中國業(yè)務(wù)的一條快車道。

國際巨頭們目前在技術(shù)研發(fā)方面確實(shí)比大部分國內(nèi)廠商要領(lǐng)先，但不代表能夠一直保持優(yōu)勢，而對中國市場的持續(xù)滲透，有助于相關(guān)廠商更好地感知國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)相關(guān)進(jìn)展，進(jìn)而做出積極應(yīng)對，不至于措手不及。

總結(jié)

各行各業(yè)的全球化發(fā)展已是大趨勢，SiC產(chǎn)業(yè)也不例外。對于眾多國際巨頭而言，其業(yè)務(wù)布局早已遍及全球，其中就包括中國業(yè)務(wù)，而通過加速拓展中國這個(gè)目前最大的SiC應(yīng)用市場，相關(guān)國際廠商的全球化布局將會更加穩(wěn)健。

對于國內(nèi)SiC廠商而言，國內(nèi)業(yè)務(wù)發(fā)展到一定階段，出海尋求更廣闊的增長空間順理成章，尤其是在技術(shù)、產(chǎn)能等方面擁有一定的實(shí)力后，拓展海外市場也更加從容。

無論國際還是國內(nèi)廠商，通過“雙向奔赴”，都會讓競爭更加激烈，進(jìn)而加速行業(yè)整合，而頭部廠商有望通過收并購，憑借規(guī)模效應(yīng)強(qiáng)化競爭優(yōu)勢，推動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)在競爭中良性發(fā)展。同時(shí)，存量市場競爭加劇促使相關(guān)廠商在全球范圍內(nèi)尋找更多新興市場拓展業(yè)務(wù)，以獲得業(yè)績增量，反過來又進(jìn)一步加深了SiC產(chǎn)業(yè)的全球化布局，形成良性循環(huán)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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近年來，隨著國家“雙碳”建設(shè)實(shí)施和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大力發(fā)展，碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。作為最具前景的第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅未來將會被大量制造成性能優(yōu)異的電子電力器件，在綠色能源生產(chǎn)、高效電力傳輸、終端電能應(yīng)用等覆蓋的場景發(fā)揮天然優(yōu)勢。碳化硅將為人類減碳行動(dòng)大大助力，圍繞生存環(huán)境持續(xù)改善發(fā)揮作用，推動(dòng)人類社會的進(jìn)步和可持續(xù)發(fā)展。

碳化硅帶來眾多領(lǐng)域的低碳轉(zhuǎn)型

圖片引自全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)英飛凌官方網(wǎng)站

8英寸外延新產(chǎn)品首發(fā)，豐富公司產(chǎn)品組合。本次展會，公司對外首發(fā)展示了最新研發(fā)的8英寸導(dǎo)電外延片，該產(chǎn)品各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到世界領(lǐng)先水平，下一步將會為有需求的客戶率先提供驗(yàn)證。公司致力于打造襯底+外延的一體化解決方案，豐富的產(chǎn)品組合，為客戶提供更全面的保障和服務(wù)。碳化硅導(dǎo)電襯底和導(dǎo)電晶體為公司立身之本和發(fā)展之基，是公司的主打產(chǎn)品，外延產(chǎn)品為公司新產(chǎn)品，為有襯底和外延統(tǒng)一供應(yīng)需求的客戶提供一站式產(chǎn)品和服務(wù)，襯底和外延兩者相輔相成，相互促進(jìn)，是目前行業(yè)內(nèi)非常有競爭力的材料端產(chǎn)品組合。

公司展出主要產(chǎn)品包括6英寸導(dǎo)電襯底、6英寸導(dǎo)電晶體、8英寸導(dǎo)電襯底（500um），8英寸導(dǎo)電襯底(350um)，8英寸外延片、6英寸半絕緣襯底和碳化硅導(dǎo)電粉料

產(chǎn)品獲得國際和國內(nèi)主要客戶批量采購。天科合達(dá)深耕行業(yè)近20年，積累了廣大的國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)客戶資源，贏得了客戶的認(rèn)可與信任?，F(xiàn)階段公司6英寸高規(guī)格襯底產(chǎn)品出貨比例極大，持續(xù)不斷獲得國內(nèi)外重要客戶的批量采購訂單。車規(guī)級、工控級產(chǎn)品成為公司的主要出貨方向，已批量應(yīng)用在新能源汽車、光伏逆變器、工業(yè)電源等車用和工業(yè)領(lǐng)域。隨著新能源汽車等下游市場規(guī)模的不斷擴(kuò)大，公司高規(guī)格產(chǎn)品將更加暢銷，進(jìn)而會推動(dòng)公司營收快速增長。

天科合達(dá)認(rèn)為，國產(chǎn)襯底在2023年發(fā)展突飛猛進(jìn)。2023年，國內(nèi)企業(yè)在與國際競爭中展示出了良好風(fēng)貌，贏得了客戶的認(rèn)可和競爭對手的尊重。在良好的競爭環(huán)境中，大家同臺競技比拼，不斷推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的進(jìn)步。作為國際碳化硅襯底主要生產(chǎn)商之一，天科合達(dá)將繼續(xù)堅(jiān)持成為國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品品質(zhì)之錨，發(fā)展進(jìn)步之矛，堅(jiān)守初心、堅(jiān)持守正創(chuàng)新，通過先進(jìn)的經(jīng)營管理和持續(xù)的技術(shù)迭代不斷降低生產(chǎn)成本。

天科合達(dá)通過緊密綁定優(yōu)質(zhì)的上下游合作伙伴，以產(chǎn)業(yè)合作集群的形勢增加整體產(chǎn)業(yè)鏈的競爭優(yōu)勢，協(xié)同推進(jìn)市場蛋糕越做越大。天科合達(dá)愿與有志于為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展做出貢獻(xiàn)的行業(yè)翹楚攜手并進(jìn)，緊密合作，共商發(fā)展，共贏未來~！

關(guān)于天科合達(dá)

北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2006年9月，是一家專業(yè)從事碳化硅半導(dǎo)體材料及相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)，生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)。公司總部和研發(fā)中心位于北京市大興區(qū)，目前擁有4家全資子公司和一家控股子公司，員工人數(shù)超過2200人。作為亞太區(qū)碳化硅晶片生產(chǎn)制造先行者，天科合達(dá)一直堅(jiān)持創(chuàng)新發(fā)展思路、持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模、立足高品質(zhì)可持續(xù)發(fā)展，竭誠為全球客戶提供具有競爭力的碳化硅產(chǎn)品，力爭成為國際領(lǐng)先的碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)商。（來源：天科合達(dá)）

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