時(shí)代電氣：營(yíng)收破百億，凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)30%

2024年上半年，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入人民幣102.84億元，同比增長(zhǎng)19.99%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)人民幣15.07億元，同比增長(zhǎng)30.56%，增長(zhǎng)主要系營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)帶來毛利潤(rùn)增長(zhǎng)。

報(bào)告期內(nèi)，功率半導(dǎo)體板塊業(yè)務(wù)方面，時(shí)代電氣已有產(chǎn)線滿載運(yùn)營(yíng)，宜興3期項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計(jì)2024年下半年投產(chǎn)，中低壓器件產(chǎn)能持續(xù)提升；

電網(wǎng)和軌交用高壓器件各項(xiàng)目持續(xù)交付；IGBT 7.5代芯片技術(shù)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)批量交付，碳化硅（SiC）產(chǎn)品完成第4代溝槽柵芯片開發(fā)，SiC產(chǎn)線改造完成，新能源車用SiC產(chǎn)品處于持續(xù)驗(yàn)證階段。
報(bào)告期內(nèi)，在SiC芯片技術(shù)方面，公司突破高可靠性低界面缺陷柵氧氮化、低損傷高深寬比溝槽刻蝕、亞微米精細(xì)光刻、高溫離子選區(qū)注入、高溫激活退火等關(guān)鍵工藝技術(shù)；

攻克有源區(qū)柵氧電場(chǎng)屏蔽、JFET區(qū)摻雜、載流子擴(kuò)展以及高可靠性、高效率空間電場(chǎng)調(diào)制場(chǎng)環(huán)終端設(shè)計(jì)等功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)；

掌握了具有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MOSFET芯片及SBD芯片的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)，構(gòu)建了全套特色先進(jìn)SiC工藝技術(shù)的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺(tái)，全電壓等級(jí)MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏、工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。

國(guó)博電子：發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品

2024上半年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入13.02元，較上年同期減少32.21%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)2.44億元，較上年同期減少20.77%。

國(guó)博電子表示，報(bào)告期內(nèi)公司營(yíng)業(yè)收入同比下降32.21%：主要系報(bào)告期內(nèi)T/R組件和射頻模塊業(yè)務(wù)收入減少所致。

據(jù)悉，國(guó)博電子主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
T/R組件領(lǐng)域，公司積極推進(jìn)射頻組件設(shè)計(jì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，重點(diǎn)圍繞W波段有源相控微系統(tǒng)、低剖面寬帶毫米波數(shù)字陣列等新領(lǐng)域，持續(xù)開展相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，積極推進(jìn)異構(gòu)集成技術(shù)產(chǎn)品化技術(shù)，為新一代產(chǎn)品開拓打下基礎(chǔ)。

公司積極開展T/R組件應(yīng)用領(lǐng)域拓展，在低軌衛(wèi)星和商業(yè)航天領(lǐng)域均開展了技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品開發(fā)工作，多款產(chǎn)品已開始交付客戶。

射頻模塊領(lǐng)域，上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品。新技術(shù)持續(xù)攻關(guān)，改善產(chǎn)品的線性度、效率等性能。預(yù)計(jì)下半年新一代的產(chǎn)品開發(fā)及應(yīng)用，器件綜合競(jìng)爭(zhēng)力進(jìn)一步提升。射頻芯片領(lǐng)域，2024年，5G基站市場(chǎng)整體保持平穩(wěn)，5G-A通感基站試點(diǎn)帶動(dòng)基站射頻芯片銷售增長(zhǎng)。

新產(chǎn)品方面，公司為下一代基站平臺(tái)新研數(shù)款物料穩(wěn)步推進(jìn)中。終端射頻芯片產(chǎn)品持續(xù)穩(wěn)定交付，系列化新產(chǎn)品研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，積極推進(jìn)基于新型半導(dǎo)體工藝的產(chǎn)品開發(fā)工作，拓展公司終端射頻芯片品類。新領(lǐng)域和新客戶方面積極推進(jìn)ODU及衛(wèi)星通信芯片開發(fā)推廣，部分產(chǎn)品已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。

燕東微：預(yù)計(jì)年內(nèi)累計(jì)交付硅光芯片5000片

公司2024上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入6.16億元，較上年同期下降43.10%，歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)-0.15億元，由盈轉(zhuǎn)虧，主要原因是市場(chǎng)需求發(fā)生變化，部分產(chǎn)品價(jià)格下降及需求下滑所致。
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報(bào)告期內(nèi)，公司產(chǎn)品與方案板塊銷售收入3.05億元，同比減少55.06%，主要受客觀因素影響，客戶需求放緩，導(dǎo)致產(chǎn)品與方案板塊收入同比下降。

2024年上半年新增客戶百余家，累計(jì)完成了22款單片集成電路，15款混合集成電路研制，開發(fā)了5V和40V SOI CMOS特種工藝平臺(tái)，并加大在模擬開關(guān)、有源濾波器模塊、高精度線性光耦、微型光電隔離通信模塊、電感數(shù)字隔離器、光電隔離電壓檢測(cè)模塊、ASIC等特種新產(chǎn)品方面的研制力度。

制造與服務(wù)業(yè)務(wù)板塊銷售收入2.80億元，同比減少23.45%。從2022年下半年度開始，外部市場(chǎng)環(huán)境持續(xù)低迷，尤其是消費(fèi)類電子市場(chǎng)產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng)加大，進(jìn)入2024年上半年以來，消費(fèi)類市場(chǎng)逐步回暖，訂單需求實(shí)現(xiàn)小幅增長(zhǎng)，但平均產(chǎn)品售價(jià)較高點(diǎn)仍有較大幅度降幅，導(dǎo)致消費(fèi)類產(chǎn)品收入較同期仍有一定下滑。

燕東微硅光平臺(tái)分別在8英寸產(chǎn)線和12英寸產(chǎn)線均取得較大進(jìn)展，其中8英寸SiN工藝平臺(tái)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，8英寸SOI工藝平臺(tái)完成部分關(guān)鍵器件開發(fā)；12英寸SOI工藝平臺(tái)完成部分關(guān)鍵工藝開發(fā)。

2024年上半年，公司在硅光芯片制造領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了波導(dǎo)損耗改善、工藝集成優(yōu)化等技術(shù)突破，特別是在SiN工藝平臺(tái)上，成功實(shí)現(xiàn)了硅光芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá)1000片。公司將積極拓展應(yīng)用領(lǐng)域，擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模，月度需求超過1000片，預(yù)計(jì)年度內(nèi)累計(jì)交付客戶超5000片。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)悉，國(guó)博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目由南京國(guó)博電子有限公司投資建設(shè)，占地面積約203畝，總投資30億元，新建廠房及附屬設(shè)施，新增設(shè)備五百余臺(tái)套。項(xiàng)目分兩期建設(shè)，其中一期用地面積約103畝，建筑面積約15.1萬(wàn)平方米；二期用地面積約100畝，建筑面積約7.6萬(wàn)平方米。

上述一期項(xiàng)目投資額20億元，中試廠房、芯片廠房、模塊廠房等設(shè)施已于2023年竣工投產(chǎn)；二期項(xiàng)目將重點(diǎn)補(bǔ)充射頻集成電路封測(cè)制造能力，建成后與一期形成射頻集成電路規(guī)?；O(shè)計(jì)、制造能力，打造成為寬禁帶半導(dǎo)體器件及模塊供應(yīng)商、5G通信技術(shù)國(guó)內(nèi)發(fā)展先行者。

據(jù)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所發(fā)布的信息顯示，國(guó)博電子是其下屬控股公司，專業(yè)從事集成電路、射頻微波模塊及子系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，具有30多年射頻微波集成電路、模塊產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。公司產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、微波毫米波通信、衛(wèi)星通信等系統(tǒng)，打破了國(guó)外的技術(shù)壟斷。

2018年，國(guó)博電子在南京江寧開發(fā)區(qū)啟動(dòng)了上述“射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化”建設(shè)項(xiàng)目，建成后，將形成年產(chǎn)化合物半導(dǎo)體原片6萬(wàn)片、射頻基礎(chǔ)電路5億只、射頻模塊1000萬(wàn)只的設(shè)計(jì)制造能力，滿足5G及未來移動(dòng)通信基站和終端市場(chǎng)需求。

此前有媒體報(bào)道稱，上述“年產(chǎn)化合物半導(dǎo)體原片6萬(wàn)片”，為“6英寸工藝氮化鎵（GaN）射頻功率器件制造”。

2019年，國(guó)博電子曾表示，公司在基站和終端的小信號(hào)產(chǎn)品以及中功率產(chǎn)品方面都實(shí)現(xiàn)了批量化量產(chǎn)，目前正在進(jìn)入的領(lǐng)域主要有GaN大功率器件，以及毫米波基站多通道硅基相控陣芯片以及III-V族毫米波射頻收發(fā)前端芯片。

值得一提的是，江寧開發(fā)區(qū)是國(guó)內(nèi)較早布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的開發(fā)園區(qū)，2023年全年，園區(qū)新引進(jìn)英諾賽科、博銳半導(dǎo)體、芯干線等一批產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source:國(guó)博電子

梅濱表示射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化(二期)項(xiàng)目將進(jìn)一步鞏固和拓展“設(shè)計(jì)-制造-封測(cè)”全產(chǎn)業(yè)鏈能力，不斷提升射頻集成電路和高密度集成領(lǐng)域的研發(fā)生產(chǎn)能力，致力于發(fā)展成為射頻電子領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，打造全國(guó)重要的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新高地。

黃成文表示，集成電路產(chǎn)業(yè)既是新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，也是江寧區(qū)“5+4+5”產(chǎn)業(yè)集群的重要組成部分。

射頻集成電路產(chǎn)業(yè)園是以國(guó)基南方控股上市公司國(guó)博電子為主體打造的南京市首批產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)園區(qū)，正奮力打造國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)一流、自主可控的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

據(jù)悉，國(guó)博電子成立于2000年，位于南京市江寧區(qū)，隸屬于中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司。國(guó)博電子主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

前不久，國(guó)博電子公布了2023年的半年度業(yè)績(jī)報(bào)告，今年上半年?duì)I收約為19.21億元，同比增加10.67%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)約為3.09億元，同比增加17.75%；基本每股增加0.77元，同比增加5.48%。

source:國(guó)博電子

據(jù)悉，國(guó)博電子射頻集成產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目占地面積約203畝，新建廠房及附屬設(shè)施。項(xiàng)目分兩期建設(shè)，其中一期目前已建成投產(chǎn)；二期重點(diǎn)補(bǔ)充射頻集成電路封測(cè)制造能力，建成后與一期形成射頻集成電路規(guī)?；O(shè)計(jì)、制造能力，努力打造成為寬禁帶半導(dǎo)體器件及模塊國(guó)內(nèi)最大供應(yīng)商、5G通信技術(shù)國(guó)內(nèi)發(fā)展主要引領(lǐng)者。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Morty整理）

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項(xiàng)目與公司已建設(shè)的項(xiàng)目一期地塊為相鄰區(qū)域，投資預(yù)計(jì)為6.98億元，其中土地使用權(quán)購(gòu)置費(fèi)預(yù)計(jì)0.40億元，設(shè)計(jì)采購(gòu)施工總承包費(fèi)用預(yù)計(jì)6.02億元。

據(jù)公告，若國(guó)博電子本次成功購(gòu)得標(biāo)的地塊，計(jì)劃在接收標(biāo)的土地之日起的6個(gè)月內(nèi)開工建設(shè)，并在開工后24個(gè)月內(nèi)完成竣工驗(yàn)收備案，預(yù)計(jì)在竣工驗(yàn)收之日后24個(gè)月實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

國(guó)博電子成立于2000年，主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。建立了以化合物半導(dǎo)體為核心的技術(shù)體系和系列化產(chǎn)品布局，產(chǎn)品主要包括有源相控陣T/R組件、砷化鎵基站射頻集成電路等，覆蓋軍用與民用領(lǐng)域，是目前國(guó)內(nèi)能夠批量提供有源相控陣T/R組件及系列化射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的領(lǐng)先企業(yè)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

根據(jù)招股書，公司直接控股股東為國(guó)基南方，持有公司 39.81%的股份。中國(guó)電科通過國(guó)基南方、中國(guó)電科五十五所和中電科投資間接控制公司61.62%的股份，為公司實(shí)際控制人。

公司于2022年7月上市，上市大漲39.08%，市值達(dá)388億元。

2022年前三季度，公司主營(yíng)收入26.61億元，同比上升59.71%；歸母凈利潤(rùn)4.02億元，同比上升37.63%；扣非凈利潤(rùn)3.86億元，同比上升38.48%。

其中，第三季度主營(yíng)收入9.25億元，同比上升73.29%；單季度歸母凈利潤(rùn)1.4億元，同比上升40.6%；單季度扣非凈利潤(rùn)1.32億元，同比上升38.45%。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）

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項(xiàng)目與公司已建設(shè)的項(xiàng)目一期地塊為相鄰區(qū)域，投資預(yù)計(jì)為6.98億元，其中土地使用權(quán)購(gòu)置費(fèi)預(yù)計(jì)0.40億元，設(shè)計(jì)采購(gòu)施工總承包費(fèi)用預(yù)計(jì)6.02億元。

據(jù)公告，若國(guó)博電子本次成功購(gòu)得標(biāo)的地塊，計(jì)劃在接收標(biāo)的土地之日起的6個(gè)月內(nèi)開工建設(shè)，并在開工后24個(gè)月內(nèi)完成竣工驗(yàn)收備案，預(yù)計(jì)在竣工驗(yàn)收之日后24個(gè)月實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

國(guó)博電子成立于2000年，主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。建立了以化合物半導(dǎo)體為核心的技術(shù)體系和系列化產(chǎn)品布局，產(chǎn)品主要包括有源相控陣T/R組件、砷化鎵基站射頻集成電路等，覆蓋軍用與民用領(lǐng)域，是目前國(guó)內(nèi)能夠批量提供有源相控陣T/R組件及系列化射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的領(lǐng)先企業(yè)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

根據(jù)招股書，公司直接控股股東為國(guó)基南方，持有公司 39.81%的股份。中國(guó)電科通過國(guó)基南方、中國(guó)電科五十五所和中電科投資間接控制公司61.62%的股份，為公司實(shí)際控制人。

公司于2022年7月上市，上市大漲39.08%，市值達(dá)388億元。

2022年前三季度，公司主營(yíng)收入26.61億元，同比上升59.71%；歸母凈利潤(rùn)4.02億元，同比上升37.63%；扣非凈利潤(rùn)3.86億元，同比上升38.48%。

其中，第三季度主營(yíng)收入9.25億元，同比上升73.29%；單季度歸母凈利潤(rùn)1.4億元，同比上升40.6%；單季度扣非凈利潤(rùn)1.32億元，同比上升38.45%。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）

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