三安光電表示，湖南三安已擁有碳化硅配套產(chǎn)能1.6萬(wàn)片/月，后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)后配套年產(chǎn)能將達(dá)到36萬(wàn)片/年，目前8英寸碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)小批量出貨，8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在安裝調(diào)試中。8月底重慶三安已實(shí)現(xiàn)襯底廠的點(diǎn)亮通線，產(chǎn)能處于起步階段，目前產(chǎn)能1000片/月。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

湖南三安項(xiàng)目方面，7月24日，湖南三安半導(dǎo)體舉行芯片二廠M6B設(shè)備入場(chǎng)儀式，這標(biāo)志著湖南三安碳化硅項(xiàng)目二期通線在即。

據(jù)悉，湖南三安碳化硅項(xiàng)目總投資160億人民幣，旨在打造6英寸/8英寸兼容碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺(tái)。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將具備年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓、48萬(wàn)片8英寸碳化硅晶圓的制造能力。預(yù)計(jì)到今年12月，M6B將實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮通線，8英寸碳化硅芯片將正式投產(chǎn)，湖南三安半導(dǎo)體正式轉(zhuǎn)型為8英寸碳化硅垂直整合制造商。

三安光電還在互動(dòng)平臺(tái)表示，湖南三安針對(duì)車規(guī)級(jí)市場(chǎng)，車載充電機(jī)、空調(diào)壓縮機(jī)用SiC MOSFET已實(shí)現(xiàn)小批量出貨，主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET已在重點(diǎn)新能源汽車客戶處導(dǎo)入可靠性驗(yàn)證。

重慶三安項(xiàng)目方面，2023年6月，三安光電和意法半導(dǎo)體同時(shí)官宣在重慶合資建廠，進(jìn)行8英寸碳化硅芯片大規(guī)模量產(chǎn)計(jì)劃。項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資總額達(dá)32億美元，將于2028年全面達(dá)產(chǎn)。同時(shí)，三安光電獨(dú)立投資70億元人民幣配套建設(shè)一座8英寸碳化硅襯底廠。

其中，“襯底廠”重慶三安由三安光電全資子公司湖南三安于2023年7月全資設(shè)立，專業(yè)從事碳化硅晶圓生長(zhǎng)、襯底制造，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸碳化硅襯底48萬(wàn)片，“芯片廠”安意法由湖南三安（51%）與意法半導(dǎo)體（中國(guó)）投資有限公司（49%）于2023年8月共同出資設(shè)立，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸碳化硅車規(guī)級(jí)MOSFET功率芯片48萬(wàn)片。

目前，主要生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底的重慶三安項(xiàng)目已實(shí)現(xiàn)襯底廠的點(diǎn)亮通線，“芯片廠”安意法預(yù)計(jì)11月底將整體通線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

三安光電Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收41.75億元，凈利同比增2278.24%

10月29日晚間，三安光電公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收41.75億元，同比增長(zhǎng)13.27%；歸母凈利潤(rùn)0.63億元，同比增長(zhǎng)2278.24%；歸母扣非凈利潤(rùn)-0.63億元。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，三安光電全資子公司湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶合資建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠生產(chǎn)設(shè)備將在今年三季度陸續(xù)進(jìn)場(chǎng)安裝和調(diào)試，預(yù)計(jì)11月份將實(shí)現(xiàn)通線，通線后將逐步釋放產(chǎn)能。該合資項(xiàng)目規(guī)劃產(chǎn)能將于2028年達(dá)產(chǎn)，達(dá)成后產(chǎn)能為48萬(wàn)片/年。

而為該合資項(xiàng)目配套建設(shè)的8英寸碳化硅襯底廠目前已實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮通線。未來(lái)，該襯底廠將匹配生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底供應(yīng)給湖南三安與意法半導(dǎo)體合資建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠。

北方華創(chuàng)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收80.18億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅/氮化鎵外延設(shè)備

10月29日晚間，北方華創(chuàng)公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，北方華創(chuàng)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收80.18億元，同比增長(zhǎng)30.12%；歸母凈利潤(rùn)16.82億元，同比增長(zhǎng)55.02%；歸母扣非凈利潤(rùn)16.26億元，同比增長(zhǎng)57.72%。

北方華創(chuàng)形成了半導(dǎo)體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件三大核心業(yè)務(wù)板塊。在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)提供包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長(zhǎng)等關(guān)鍵工藝裝備，服務(wù)于集成電路、功率半導(dǎo)體、三維集成和先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體、新型顯示、新能源光伏和襯底材料等多個(gè)制造領(lǐng)域。

目前，北方華創(chuàng)擁有單晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化鎵等多種材料的外延生長(zhǎng)技術(shù)能力，可滿足不同領(lǐng)域的應(yīng)用需求。截至2023年底，北方華創(chuàng)已推出20余款量產(chǎn)型外延設(shè)備，并已累計(jì)出貨超過(guò)1000腔。

通富微電Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收60.01億元，業(yè)務(wù)覆蓋車用碳化硅產(chǎn)品

10月29日晚間，通富微電公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，通富微電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收60.01億元，同比增長(zhǎng)0.04%；歸母凈利潤(rùn)2.30億元，同比增長(zhǎng)85.32%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.25億元，同比下滑121.20%。

通富微電是集成電路封裝測(cè)試服務(wù)提供商，為全球客戶提供從設(shè)計(jì)仿真到封裝測(cè)試的一站式服務(wù)，其產(chǎn)品、技術(shù)、服務(wù)覆蓋了汽車電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。

在碳化硅領(lǐng)域，通富微電2022年已為國(guó)際知名汽車電子客戶開發(fā)碳化硅產(chǎn)品，應(yīng)用于客戶新能源車載逆變器等領(lǐng)域，在國(guó)內(nèi)首家通過(guò)客戶考核并進(jìn)入量產(chǎn)。

東微半導(dǎo)體Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.61億元，已推出1200V碳化硅MOSFET

10月29日晚間，東微半導(dǎo)體公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，東微半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.61億元，同比增長(zhǎng)10.17%；歸母凈利潤(rùn)0.14億元，同比下滑56.53%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.03億元，同比下滑89.88%。

東微半導(dǎo)體以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。

目前，東微半導(dǎo)體第一代及第二代1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已通過(guò)可靠性測(cè)試工作并開始獲得客戶訂單，其中第二代碳化硅MOSFET已在2024年推出多個(gè)產(chǎn)品。與此同時(shí)，東微半導(dǎo)體正在研發(fā)650V/750V/1200V的第三代、第四代碳化硅MOSFET。

合盛硅業(yè)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收70.99億元，8英寸碳化硅襯底小批量生產(chǎn)

10月29日晚間，合盛硅業(yè)公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，合盛硅業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收70.99億元，同比下滑10.68%；歸母凈利潤(rùn)4.76億元，同比增長(zhǎng)18.42%；歸母扣非凈利潤(rùn)4.16億元，同比增長(zhǎng)20.86%。

合盛硅業(yè)主要產(chǎn)品包括工業(yè)硅、有機(jī)硅和多晶硅三大類。其中，工業(yè)硅是由硅礦石和碳質(zhì)還原劑在礦熱爐內(nèi)冶煉成的產(chǎn)品，主要成分為硅元素，是下游光伏材料、有機(jī)硅材料、合金材料的主要原料。

在碳化硅領(lǐng)域，合盛硅業(yè)6英寸碳化硅襯底已全面量產(chǎn)，晶體良率達(dá)90%以上，外延良率穩(wěn)定在95%以上；在8英寸碳化硅襯底研發(fā)進(jìn)展方面，合盛硅業(yè)已開始小批量生產(chǎn)。

連城數(shù)控Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收14.38億元，正在建設(shè)碳化硅長(zhǎng)晶和加工設(shè)備項(xiàng)目

10月28日晚間，連城數(shù)控公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，連城數(shù)控實(shí)現(xiàn)營(yíng)收14.38億元，同比下滑20.41%；歸母凈利潤(rùn)0.55億元，同比下滑75.41%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.36億元，同比下滑83.59%。

連城數(shù)控立足于光伏及半導(dǎo)體行業(yè)，是提供晶體材料生長(zhǎng)、加工設(shè)備及核心技術(shù)等多方面業(yè)務(wù)支持的集成服務(wù)商。在碳化硅方面，連城數(shù)控于2020年底開始對(duì)碳化硅晶體生長(zhǎng)爐進(jìn)行研發(fā)立項(xiàng)、2021年9月開始對(duì)碳化硅等超硬材料多線切割機(jī)研發(fā)立項(xiàng)。

今年1月，連城數(shù)控下屬子公司連科半導(dǎo)體與無(wú)錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)就“連科第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造及總部基地項(xiàng)目”舉行簽約儀式。該項(xiàng)目計(jì)劃投資不超過(guò)10.5億元建設(shè)半導(dǎo)體大硅片長(zhǎng)晶和加工設(shè)備、碳化硅長(zhǎng)晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。

萬(wàn)業(yè)企業(yè)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.07億元，已研發(fā)碳化硅高溫離子注入機(jī)

10月29日晚間，萬(wàn)業(yè)企業(yè)公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，萬(wàn)業(yè)企業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.07億元，同比下滑71.39%；歸母凈利潤(rùn)0.39億元，同比下滑13.05%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.13億元，同比下滑66.95%。

萬(wàn)業(yè)企業(yè)旗下凱世通和嘉芯半導(dǎo)體主要從事集成電路核心裝備業(yè)務(wù)。凱世通所涉核心裝備業(yè)務(wù)是以離子注入技術(shù)為核心的集研發(fā)、制造、銷售于一體的高端離子注入機(jī)項(xiàng)目。

在碳化硅功率器件摻雜工藝中，需要極高溫度才能得到理想的擴(kuò)散系數(shù)，并可以最大限度地減少離子轟擊對(duì)晶格的破壞，因此高溫離子注入機(jī)成為了碳化硅功率器件制造中關(guān)鍵核心的設(shè)備。凱世通基于已有的技術(shù)積累，研發(fā)了面向碳化硅的高溫離子注入機(jī)。

卓勝微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.83億元，業(yè)務(wù)涵蓋射頻器件

10月29日晚間，卓勝微公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，卓勝微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.83億元，同比下滑23.13%；歸母凈利潤(rùn)0.71億元，同比下滑84.29%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.60億元，同比下滑86.51%。

卓勝微立足于射頻集成電路領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器、射頻濾波器、射頻功率放大器等射頻前端分立器件及各類模組產(chǎn)品解決方案。

安森美Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.619億美元，環(huán)比增長(zhǎng)1.54%

10月29日，安森美公布了2024年第三季度業(yè)績(jī)。2024年Q3，安森美實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.619億美元（約125.72億人民幣），同比下滑19.21%，環(huán)比增長(zhǎng)1.54%，按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則（GAAP）和非GAAP計(jì)算的毛利率分別為45.4%和45.5%，GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率和非GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率分別為25.3%和31.5%，GAAP應(yīng)占收入凈額和非GAAP應(yīng)占收入凈額分別為4.02億美元（約28.68億人民幣）和4.24億美元（約30.25億人民幣），分別同比下滑31.06%和30.34%，GAAP每股攤薄收益為0.93美元，非GAAP每股攤薄收益為0.99美元。

分業(yè)務(wù)來(lái)看，2024年Q3，安森美電源方案部（PSG）、模擬與混合信號(hào)部（AMG）、智能感知部（ISG）營(yíng)收分別為8.29億美元、6.54億美元和2.79億美元。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，安森美在今年7月宣布與大眾汽車集團(tuán)簽署了一項(xiàng)多年協(xié)議，成為其可擴(kuò)展系統(tǒng)平臺(tái)（SSP）下一代主驅(qū)逆變器的主要供應(yīng)商，提供完整的電源箱解決方案。該解決方案在集成模塊中采用了基于碳化硅的技術(shù)，可擴(kuò)展至所有功率級(jí)別的主驅(qū)逆變器，兼容所有車輛類別。

與此同時(shí)，安森美推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiC M3e MOSFET，并計(jì)劃在2030年前推出多代新產(chǎn)品。EliteSiC M3e MOSFET在可靠且經(jīng)過(guò)實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺(tái)能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%。

X-Fab Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.064億美元，環(huán)比增長(zhǎng)1%

10月24日，X-Fab公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，X-Fab實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.064億美元（約14.73億人民幣），在2.05億至2.15億美元的預(yù)期范圍內(nèi)，同比下降12%，環(huán)比增長(zhǎng)1%。息稅折舊攤銷前利潤(rùn)（EBITDA）為5030萬(wàn)美元（約3.59億人民幣），同比下降23%，環(huán)比增長(zhǎng)5%，息稅折舊攤銷前利潤(rùn)率為24.4%；不計(jì)《國(guó)際財(cái)務(wù)報(bào)告準(zhǔn)則》第15號(hào)的影響，息稅折舊攤銷前利潤(rùn)率為23.5%，而預(yù)期目標(biāo)為24-27%。息稅前盈利（EBIT）為2500萬(wàn)美元，同比下降43%，環(huán)比增長(zhǎng)9%。

展望2024年第四季度，X-Fab預(yù)計(jì)營(yíng)收在1.95億至2.05億美元之間，息稅折舊攤銷前利潤(rùn)率在22%至25%之間。X-FAB將全年?duì)I收預(yù)期從8.60-8.80億美元調(diào)整為8.22-8.32億美元，全年EBITDA利潤(rùn)率預(yù)期調(diào)整為23.4-24.0%。

目前，X-Fab正在大力擴(kuò)產(chǎn)碳化硅，其2024年的主要支出將包括馬來(lái)西亞砂拉越的產(chǎn)能擴(kuò)張項(xiàng)目、法國(guó)的持續(xù)產(chǎn)能轉(zhuǎn)換以及德克薩斯州盧伯克碳化硅生產(chǎn)線的進(jìn)一步擴(kuò)建。

2023年，X-FAB在德克薩斯的碳化硅晶圓產(chǎn)量比上一年增加了58%。在砂拉越，X-FAB旨在增加該工廠每月10000片晶圓產(chǎn)能的建筑施工預(yù)計(jì)將在夏季之后完成，并計(jì)劃在今年第四季度開始搬入設(shè)備。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

根據(jù)本次公告，2024年7月1日至2024年9月29日，三安光電及下屬子公司收到與收益相關(guān)、未履行信息披露義務(wù)且未達(dá)披露標(biāo)準(zhǔn)的政府補(bǔ)助款約1040萬(wàn)元。

三安光電2024年第三季度遞延收益分期攤銷轉(zhuǎn)入其他收益的金額預(yù)計(jì)為13398萬(wàn)元，上述兩項(xiàng)合計(jì)金額約14429萬(wàn)元，占其最近一期經(jīng)審計(jì)歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)的39.36%。

三安光電表示，其根據(jù)《企業(yè)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則第16號(hào)—政府補(bǔ)助》的有關(guān)規(guī)定劃分上述各類政府補(bǔ)助，并按會(huì)計(jì)準(zhǔn)則分別確認(rèn)和計(jì)量，將對(duì)其2024年第三季度損益產(chǎn)生積極影響。

根據(jù)三安光電6月底發(fā)布的公告，根據(jù)其與原長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)就第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目簽訂的相關(guān)合同，湖南湘江新區(qū)管理委員會(huì)商務(wù)和市場(chǎng)監(jiān)管局同意撥付其全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱：湖南三安）2024年度科技研發(fā)專項(xiàng)扶持資金2億元。截至2024年6月28日，湖南三安已收到全部款項(xiàng)。

2024年4月1日至2024年6月28日，三安光電及下屬子公司收到與收益相關(guān)、未履行信息披露義務(wù)且未達(dá)披露標(biāo)準(zhǔn)的政府補(bǔ)助款約1438.62萬(wàn)元。

三安光電2024年第二季度遞延收益分期攤銷轉(zhuǎn)入其他收益的金額預(yù)計(jì)為1.5億元。上述三項(xiàng)合計(jì)金額約36438.62萬(wàn)元，占其最近一期經(jīng)審計(jì)歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)的99.41%。

在碳化硅領(lǐng)域，三安光電目前正在通過(guò)旗下子公司湖南三安等全面布局8英寸碳化硅賽道，并且進(jìn)展較快，有望在業(yè)內(nèi)較早完成8英寸轉(zhuǎn)型升級(jí)，疊加政府補(bǔ)助資金支持，三安光電有望進(jìn)一步鞏固其在碳化硅產(chǎn)業(yè)的地位。（來(lái)源：三安光電公告，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)悉，2023年6月，三安光電和意法半導(dǎo)體同時(shí)官宣在重慶合資建廠，進(jìn)行8英寸碳化硅芯片大規(guī)模量產(chǎn)計(jì)劃，成為去年在碳化硅領(lǐng)域引發(fā)廣泛關(guān)注的跨國(guó)合資項(xiàng)目之一。

該碳化硅芯片項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資總額達(dá)32億美元（約226億人民幣），規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅車規(guī)級(jí)MOSFET功率芯片48萬(wàn)片，將于2028年全面達(dá)產(chǎn)。

同時(shí)，三安光電獨(dú)立投資70億元人民幣配套建設(shè)一座8英寸碳化硅襯底廠，專業(yè)從事碳化硅晶圓生長(zhǎng)、襯底制造，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬(wàn)片。為推進(jìn)襯底廠落地實(shí)施，三安光電全資子公司湖南三安于2023年7月全資設(shè)立重慶三安。

隨著重慶三安項(xiàng)目建成投產(chǎn)，有助于滿足新能源汽車市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的碳化硅功率器件產(chǎn)品需求，三安光電也將進(jìn)一步深化車用碳化硅細(xì)分領(lǐng)域布局。

三安光電持續(xù)加碼車用碳化硅

近年來(lái)，隨著新能源汽車市場(chǎng)持續(xù)火熱發(fā)展，車用碳化硅產(chǎn)品需求水漲船高。在此背景下，三安光電通過(guò)旗下全資子公司大力布局碳化硅車用場(chǎng)景。

早在2022年3月，三安光電全資子公司湖南三安與理想汽車的關(guān)聯(lián)公司北京車和家汽車科技有限公司共同設(shè)立合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體有限公司，該合資公司主要專注于碳化硅車規(guī)芯片模組的研發(fā)及生產(chǎn)。

隨后在2022年11月，三安光電披露，湖南三安與新能源汽車客戶簽署了價(jià)值38億元的碳化硅芯片《戰(zhàn)略采購(gòu)意向協(xié)議》，采購(gòu)產(chǎn)品將應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)。

2023年，湖南三安推出了650V-1700V寬電壓范圍的碳化硅MOSFET。其中,1200V/75mΩ MOSFET主要應(yīng)用于新能源汽車的OBC，已處于客戶端導(dǎo)入階段，將逐步批量供貨；同時(shí)，1200V/16mΩ車規(guī)級(jí)芯片已在戰(zhàn)略客戶處進(jìn)行模塊驗(yàn)證。

而在近日，三安光電進(jìn)一步披露，湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體一期產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)通線，全橋功率模塊C樣已交付，預(yù)計(jì)將在今年下半年完成產(chǎn)品驗(yàn)證，2025年有望迎來(lái)模塊批量生產(chǎn)。

綜合來(lái)看，三安光電車用碳化硅業(yè)務(wù)布局覆蓋芯片、模塊產(chǎn)品，適用于新能源汽車主驅(qū)、OBC等各類場(chǎng)景，能夠滿足當(dāng)前主流的1200V高壓應(yīng)用。

國(guó)內(nèi)外碳化硅廠商積極搶攻車用市場(chǎng)

在三安光電車用碳化硅項(xiàng)目取得進(jìn)展的同時(shí)，部分國(guó)內(nèi)外主流碳化硅功率器件廠商均在積極搶攻碳化硅車用市場(chǎng)，各有收獲。

其中，英飛凌在2024年動(dòng)作頻頻，不僅與本田、小米、零跑汽車等整車廠商達(dá)成新的合作，為這些車企供應(yīng)碳化硅功率模塊，還與新能源汽車OBC頭部企業(yè)威邁斯有聯(lián)動(dòng)，威邁斯采用了英飛凌CoolSiC混合分立器件，集成了TRENCHSTOP 5快速開關(guān)IGBT和CoolSiC肖特基二極管，用在威邁斯下一代6.6kW OBC/DCDC車載充電機(jī)上。

安森美則與大眾汽車和理想汽攜手合作，安森美成為大眾汽車可擴(kuò)展系統(tǒng)平臺(tái)（SSP）下一代主驅(qū)逆變器的主要供應(yīng)商，提供完整的電源箱解決方案。該解決方案在集成模塊中采用了基于碳化硅的技術(shù)，可擴(kuò)展至所有功率級(jí)別的主驅(qū)逆變器，兼容所有車輛類別；理想汽車將在其下一代800V高壓純電車型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片。

意法半導(dǎo)體在去年12月也與理想汽車簽署了一項(xiàng)碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議。而在今年3月，其又與長(zhǎng)城汽車生態(tài)體系成員之一的芯動(dòng)半導(dǎo)體簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議，與新能源車企圍繞碳化硅進(jìn)一步拓展合作。

國(guó)內(nèi)廠商方面，斯達(dá)半導(dǎo)體在2022年成為國(guó)內(nèi)首家碳化硅模塊批量進(jìn)入車企（用于小鵬G9車型）的廠商；2023年，其自研碳化硅芯片在北汽批量供貨；斯達(dá)半導(dǎo)體自建產(chǎn)線今年也已開始供貨，應(yīng)用范圍覆蓋主驅(qū)逆變器、電源及車載空調(diào)。

中車半導(dǎo)體碳化硅芯片和模塊在新能源汽車場(chǎng)景的應(yīng)用目前正處于測(cè)試和驗(yàn)證階段，并正在建設(shè)8英寸線，能夠滿足每年500臺(tái)車的碳化硅需求。

整體來(lái)看，國(guó)際大廠基于技術(shù)研發(fā)和市場(chǎng)拓展方面的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，在碳化硅車用場(chǎng)景進(jìn)展較快，相關(guān)產(chǎn)品已導(dǎo)入主流新能源車企旗下車型，國(guó)內(nèi)廠商正在奮起直追，也取得了一定成果，一場(chǎng)車用碳化硅市場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)已打響。

小結(jié)

目前，隨著良率、產(chǎn)能等持續(xù)提升，碳化硅價(jià)格下行的趨勢(shì)已漸趨明朗，有望推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)品加速向各個(gè)領(lǐng)域滲透，而新能源汽車產(chǎn)業(yè)作為目前碳化硅最熱門的應(yīng)用市場(chǎng)，有望誕生更多搭載碳化硅的新車型。

隨著越來(lái)越多碳化硅廠商入局車用賽道，競(jìng)爭(zhēng)也將會(huì)日益激烈，進(jìn)而促使相關(guān)企業(yè)在產(chǎn)品性價(jià)比、可靠性等方面持續(xù)優(yōu)化升級(jí)以提升競(jìng)爭(zhēng)力，最終帶動(dòng)碳化硅和新能源汽車兩大產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

開發(fā)車規(guī)級(jí)GaN芯片技術(shù)平臺(tái)

關(guān)于第三代半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)進(jìn)展情況，三安光電表示，其硅基GaN已擁有并升級(jí)了應(yīng)用于手機(jī)快充等消費(fèi)電子市場(chǎng)的650V芯片技術(shù)平臺(tái)，此外，三安光電開發(fā)了大電流、高可靠度應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、人工智能等工業(yè)電源領(lǐng)域的650V-900V高壓芯片技術(shù)平臺(tái)及配套低壓器件技術(shù)，還開發(fā)了應(yīng)用于輕量化車載充電器等關(guān)鍵組件的車規(guī)級(jí)GaN芯片技術(shù)平臺(tái)。

SiC方面，目前，三安光電電動(dòng)汽車主驅(qū)用的車規(guī)級(jí)1200V/16mΩ SiC MOSFET攻克了可靠性問(wèn)題并通過(guò)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，已在重點(diǎn)新能源汽車客戶模塊驗(yàn)證中；工規(guī)級(jí)1700V/1Ω和1200V/32mΩ SiC MOSFET已在光伏及充電樁領(lǐng)域小規(guī)模出貨。公司將加快推出8英寸SiC襯底外延、高效高可靠性SiC二極管及2000V/1700V/1200V/650V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品。

值得一提的是，上個(gè)月在2024北京車展上，三安光電展示了最新研發(fā)成果——1200V 8mΩ SiC MOSFET。據(jù)介紹，這款產(chǎn)品是三安光電目前MOS 1200V電壓平臺(tái)最小導(dǎo)通電阻、最大額定電流產(chǎn)品。該產(chǎn)品采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的元件，車規(guī)應(yīng)用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。

MIP已具備量產(chǎn)條件

在LED業(yè)務(wù)方面，三安光電表示，其Mini LED已應(yīng)用于電視、顯示器、筆記本電腦、車載顯示、VR等領(lǐng)域，與國(guó)內(nèi)外知名客戶深度合作，產(chǎn)品持續(xù)交付，銷售量持續(xù)增長(zhǎng)；并與國(guó)內(nèi)外大廠圍繞Micro LED技術(shù)展開合作，MIP已具備量產(chǎn)條件，產(chǎn)品良率正在不斷提升。

近期，蘋果發(fā)布了2023會(huì)計(jì)年度供應(yīng)鏈名單。值得注意的是，今年的名單中新增了8家中國(guó)大陸企業(yè)，其中就包括LED芯片龍頭廠商三安光電。

同時(shí)，三安光電表示，其車用LED在新能源汽車?yán)瓌?dòng)下發(fā)展勢(shì)頭良好，車用各部位應(yīng)用芯片已進(jìn)入量產(chǎn)批量交貨階段；目前，三安光電全資子公司安瑞光電已與多家知名民族品牌車企建立長(zhǎng)期穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作關(guān)系，并量產(chǎn)多款市場(chǎng)熱門車型的前組合燈、后組合燈、氛圍燈。

LED照明方面，三安光電照明產(chǎn)品能夠?yàn)楦鞣N路燈提供LED光源。

光芯片小批量出貨

光技術(shù)產(chǎn)品中，三安光電工業(yè)和車載雷達(dá)領(lǐng)域用905 EEL、大功率多結(jié)VCSEL和窄線寬DFB激光器已通過(guò)客戶驗(yàn)證并開始小批量發(fā)貨。

此前，三安光電曾對(duì)光芯片業(yè)務(wù)進(jìn)行調(diào)整。去年9月，三安光電發(fā)布公告稱，將對(duì)其光芯片類業(yè)務(wù)進(jìn)行整合，將廈門市三安集成電路有限公司從事的光芯片類業(yè)務(wù)整合至公司的全資孫公司泉州市三安光通訊科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱泉州光通訊）。

三安光電稱，本次內(nèi)部整合完成后，公司光芯片業(yè)務(wù)將由泉州光通訊開展。內(nèi)部整合有助于公司進(jìn)一步促進(jìn)和提升業(yè)務(wù)發(fā)展、協(xié)同和融合，增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

濾波器產(chǎn)能150KK/月

關(guān)于濾波器業(yè)務(wù)，三安光電表示，其濾波器產(chǎn)能為150KK/月，產(chǎn)品覆蓋國(guó)內(nèi)外所需頻段，包含單工器、雙工器、多工器，主要用于移動(dòng)終端、衛(wèi)星通信等通信設(shè)備，服務(wù)于國(guó)內(nèi)某知名客戶、龍旗、聞泰、移遠(yuǎn)、廣和通等客戶。

據(jù)悉，作為射頻前端芯片整合制造服務(wù)提供商，三安光電子公司三安集成具備全面自主的濾波器研發(fā)和制造能力，面向衛(wèi)星通信應(yīng)用推出了LAS1995A3K/RAS2185A3Q產(chǎn)品組。

該產(chǎn)品組針對(duì)天通一號(hào)、ECHOSTAR衛(wèi)星通信服務(wù)所在的n256頻段進(jìn)行設(shè)計(jì)，以1.1*0.9mm的尺寸，支持客戶在消費(fèi)類射頻模塊內(nèi)的小型化布局。經(jīng)客戶端測(cè)試，LAS1995A3K/RAS2185A3Q提供了較好的群延時(shí)性能，提升了系統(tǒng)的通信效率，結(jié)合良好的插損性能和出色的抑制度表現(xiàn)，幫助客戶的設(shè)計(jì)達(dá)成優(yōu)異的信噪比。目前，該產(chǎn)品組已在客戶端累計(jì)出貨超過(guò)5KK套。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

三安光電2023年?duì)I收140.53億，湖南三安SiC產(chǎn)能16000片/月

4月26日晚間，三安光電發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年，三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收140.53億元，同比增長(zhǎng)6.28%；歸母凈利潤(rùn)3.67億元，同比下滑46.50%，歸母扣非凈利潤(rùn)-10.88億元。

報(bào)告顯示，湖南三安產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域，已擁有SiC配套產(chǎn)能16000片/月，硅基氮化鎵產(chǎn)能2000片/月，合作意向及客戶超800家。

產(chǎn)品方面，2023年，湖南三安6英寸SiC襯底已實(shí)現(xiàn)國(guó)際客戶的批量出貨，8英寸襯底外延工藝調(diào)試完成并向重點(diǎn)海外客戶送樣驗(yàn)證。截至2023年末，二極管已推出適用于光伏領(lǐng)域的G5代系產(chǎn)品，累計(jì)出貨超2億顆。電動(dòng)汽車主驅(qū)用的車規(guī)級(jí)1200V/16mΩ SiC MOSFET攻克了可靠性問(wèn)題并通過(guò)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，已在重點(diǎn)新能源汽車客戶模塊驗(yàn)證中；工規(guī)級(jí)1700V/1Ω和1200V/32mΩ SiC MOSFET已在光伏及充電樁領(lǐng)域小規(guī)模出貨。

項(xiàng)目方面，湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體進(jìn)入試生產(chǎn)階段，已實(shí)現(xiàn)全尺寸的手工全橋功率模塊樣件交付客戶，工藝平臺(tái)正在持續(xù)優(yōu)化，預(yù)計(jì)2024年8月正式量產(chǎn)。

湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法，生產(chǎn)SiC外延、芯片獨(dú)家銷售給意法半導(dǎo)體。目前，該合資公司主廠房已封頂，正進(jìn)行內(nèi)部裝修、設(shè)備采購(gòu)、員工培訓(xùn)等開工籌備工作，預(yù)計(jì)2024年配備產(chǎn)能8英寸8000-10000片/月，將于2024年底通線，2025年逐步釋放產(chǎn)能。該合資公司規(guī)劃2028年達(dá)產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后的產(chǎn)能為10000片/周。

為保證合資公司材料的需求，重慶三安（湖南三安全資子公司）將匹配生產(chǎn)SiC襯底產(chǎn)能供應(yīng)給合資公司安意法，預(yù)計(jì)該項(xiàng)目的投產(chǎn)進(jìn)度早于合資公司一個(gè)季度。

華潤(rùn)微2023年?duì)I收99億，SiC和GaN功率器件收入同比增長(zhǎng)135%

4月25日晚間，華潤(rùn)微發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年，華潤(rùn)微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收99.01億元，同比下滑1.59%；歸母凈利潤(rùn)14.79億元，同比下滑43.48%，歸母扣非凈利潤(rùn)11.27億元，同比下滑49.97%。

報(bào)告期內(nèi)，公司產(chǎn)品與方案板塊下游終端應(yīng)用主要圍繞四大領(lǐng)域，其中泛新能源領(lǐng)域（車類及新能源）占比39%，消費(fèi)電子領(lǐng)域占比34%，工業(yè)設(shè)備占比16%，通信設(shè)備占比11%。

2023年，華潤(rùn)微SiC和GaN功率器件銷售收入同比增長(zhǎng)135%。其中，SiC JBS G2平臺(tái)已完成650V和1200V系列共計(jì)40余顆產(chǎn)品開發(fā)，覆蓋目前主流應(yīng)用需求，在多家光伏/充電樁等領(lǐng)域頭部客戶實(shí)現(xiàn)規(guī)模交付，同時(shí)功率密度水平達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先的SiC JBS G3 650V平臺(tái)完成開發(fā)，產(chǎn)品得到客戶認(rèn)可并進(jìn)入系列化。

2023年，華潤(rùn)微SiC MOS在新能源汽車OBC、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多個(gè)客戶批量出貨，在SiC產(chǎn)品銷售中的比例逐步提升至60%以上。其中G1平臺(tái)全系列量產(chǎn)，G2平臺(tái)全系列出樣試產(chǎn)并通過(guò)多家客戶測(cè)試，進(jìn)入批量試產(chǎn)階段，車規(guī)級(jí)SiC MOS和SiC模塊的研發(fā)工作進(jìn)展順利，多款產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)驗(yàn)證。目前公司SiC產(chǎn)線產(chǎn)能升級(jí)已完成，將滿足中長(zhǎng)期客戶需求。

東尼電子2023年?duì)I收18.36億，同比微降

4月26日晚間，東尼電子發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年，東尼電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收18.36億元，同比下降2.76%；歸母凈利潤(rùn)-6.07億元，同比下降868.95%；歸母扣非凈利潤(rùn)-6.30億元，同比下降1,821.85%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，東尼電子表示，2023年，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)雖開始批量供貨，營(yíng)收大幅增長(zhǎng)，但受檢測(cè)設(shè)備更換等因素影響，東尼半導(dǎo)體未能完成SiC重大合同中2023年度產(chǎn)品交付計(jì)劃，量產(chǎn)爬坡階段產(chǎn)品良率偏低，生產(chǎn)成本高企，毛利情況不佳。審慎起見，2023年度東尼半導(dǎo)體對(duì)其存貨、固定資產(chǎn)計(jì)提資產(chǎn)減值準(zhǔn)備合計(jì)5.86億元。

中瓷電子2023年?duì)I收凈利雙雙增長(zhǎng)

4月25日晚間，中瓷電子發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年，中瓷電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收26.76億元，同比增長(zhǎng)6.52%；歸母凈利潤(rùn)4.90億元，同比增長(zhǎng)7.11%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.98億元，同比增長(zhǎng)149.94%。

2023年10月，中瓷電子完成重大資產(chǎn)重組并募集配套資金行為，成為擁有GaN通信基站射頻芯片與器件、SiC功率模塊及其應(yīng)用、電子陶瓷等核心業(yè)務(wù)能力的企業(yè)。重組后其業(yè)務(wù)分為兩大方面：第三代半導(dǎo)體器件及模塊，電子陶瓷材料及元件。

中瓷電子中低壓SiC功率產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域，高壓SiC功率產(chǎn)品瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、動(dòng)力機(jī)車、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)對(duì)硅基IGBT功率產(chǎn)品的覆蓋與替代。

聞泰科技2023年?duì)I收612.13億，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入152.26億

4月22日晚間，聞泰科技發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年，聞泰科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)收612.13億元，同比增長(zhǎng)5.40%；歸母凈利潤(rùn)11.81億元，同比下降19.00%；歸母扣非凈利潤(rùn)11.27億元，同比下降28.58%。

2023年，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)收入52.26億元，同比下降4.85%；凈利潤(rùn)24.26億元，同比下降35.29%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，聞泰科技表示，受宏觀經(jīng)濟(jì)等因素影響，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)經(jīng)過(guò)兩年的強(qiáng)勁周期后，于2022年底增速放緩，2023年到2024年初仍然疲軟。其中，從行業(yè)來(lái)看，汽車領(lǐng)域包括電動(dòng)汽車仍然是其半導(dǎo)體收入來(lái)源的主要方向，來(lái)自該領(lǐng)域的收入占比為62.8%，同比增長(zhǎng)22.95%。第四季度，受全球經(jīng)濟(jì)影響，汽車領(lǐng)域半導(dǎo)體需求增速階段性放緩。從區(qū)域來(lái)看，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入主要來(lái)自于海外，第四季度，歐洲、美洲地區(qū)半導(dǎo)體需求疲弱。

同時(shí)，2023年聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)研發(fā)投入為16.34億元，同比增長(zhǎng)37.20%。

江豐電子2023年?duì)I收26.02億，同比增長(zhǎng)11.89%

4月24日晚間，江豐電子發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年，江豐電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收26.02億元，同比增長(zhǎng)11.89%；歸母凈利潤(rùn)2.55億元，同比下降3.35%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.56億元，同比下降28.65%。

2023年，江豐電子已經(jīng)在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得進(jìn)展，其控股子公司寧波江豐同芯已搭建完成國(guó)內(nèi)首條具備世界先進(jìn)水平、自主化設(shè)計(jì)的第三代半導(dǎo)體功率器件模組核心材料制造生產(chǎn)線，掌握了覆銅陶瓷基板DBC及AMB生產(chǎn)工藝，主要產(chǎn)品高端覆銅陶瓷基板已初步獲得市場(chǎng)認(rèn)可。其控股子公司晶豐芯馳全面布局SiC外延領(lǐng)域，SiC外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶認(rèn)可。

東微半導(dǎo)2023年SiC器件營(yíng)收約為2022年同期533倍

4月26日晚間，東微半導(dǎo)發(fā)布2023年年度報(bào)告。2023年，東微半導(dǎo)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收9.73億元，同比減少12.86%；歸母凈利潤(rùn)1.40億元，同比減少50.76%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.19億元，同比減少55.41%。

2023年，東微半導(dǎo)在第三代半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面進(jìn)行了提前布局，在SiC二極管、SiC MOSFET及SiC MOSFET器件上取得了較大的研發(fā)進(jìn)展，其中，SiC MOSFET持續(xù)出貨，進(jìn)入批量交付階段。報(bào)告期內(nèi)，其原創(chuàng)器件結(jié)構(gòu)的基于18V-20V驅(qū)動(dòng)平臺(tái)的1200V SiC MOSFET完成設(shè)計(jì)流片、可靠性評(píng)估工作，基于15V驅(qū)動(dòng)平臺(tái)的SiC MOSFET器件產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入內(nèi)部驗(yàn)證階段。

2023年，東微半導(dǎo)SiC器件產(chǎn)品（含SiC MOSFET）實(shí)現(xiàn)營(yíng)收70.45萬(wàn)元，約為2022年同期收入水平的533倍。2024年，東微半導(dǎo)主營(yíng)產(chǎn)品將持續(xù)批量出貨并新增多個(gè)產(chǎn)品送測(cè)認(rèn)證。

燕東微2023年?duì)I收21.27億，6英寸SiC產(chǎn)能2000片/月

4月26日晚間，燕東微發(fā)布2023年年度報(bào)告。2023年，燕東微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收21.27億元，同比減少2.22%；歸母凈利潤(rùn)4.52億元，同比減少2.13%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.92億元，同比減少20.03%。

燕東微是一家集芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試于一體的企業(yè)，其主營(yíng)業(yè)務(wù)包括產(chǎn)品與方案和制造與服務(wù)兩大類，主要市場(chǎng)領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、電力電子、新能源和特種應(yīng)用等，產(chǎn)品與方案板塊的產(chǎn)品包括分立器件及模擬集成電路、特種集成電路及器件，其制造與服務(wù)板塊聚焦于提供半導(dǎo)體開放式晶圓制造和封裝測(cè)試服務(wù)。

目前，燕東微擁有一條8英寸晶圓生產(chǎn)線、一條6英寸晶圓生產(chǎn)線、一條6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸晶圓生產(chǎn)線。

2023年，燕東微1200V SiC MOS器件產(chǎn)品已產(chǎn)出合格樣品，各項(xiàng)參數(shù)合格，已提交客戶驗(yàn)證。截至2023年年底，燕東微6英寸SiC生產(chǎn)線已具備量產(chǎn)條件的平臺(tái)包括1200V SiC SBD、1200V SiC MOS工藝平臺(tái)，產(chǎn)能為2000片/月。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

其中，重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項(xiàng)目（生活服務(wù)設(shè)施區(qū)）總建筑面積為2.08萬(wàn)㎡，包括B1、B2棟、B3棟和B4棟等建筑。安意法半導(dǎo)體8英寸SiC外延、芯片項(xiàng)目（生活服務(wù)設(shè)施區(qū)）總建筑面積為3.7萬(wàn)㎡，包括A1棟、A2棟、A3棟、A4棟和C1棟等建筑。

在B1棟順利封頂后，該項(xiàng)目B2、B4、C1三棟也將在年前陸續(xù)封頂，項(xiàng)目整體將在2024年7月前實(shí)現(xiàn)全部交付，合同工期僅為8個(gè)月。

據(jù)悉，該項(xiàng)目業(yè)主方為重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司和安意法半導(dǎo)體有限公司，這兩家公司均為湖南三安為推進(jìn)與意法半導(dǎo)體的SiC合資項(xiàng)目而在2023年設(shè)立的子公司。

2023年6月，意法半導(dǎo)體官宣將與三安光電成立一家合資制造廠，進(jìn)行8英寸SiC器件大規(guī)模量產(chǎn)。該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約32億美元（約230億人民幣），占地462畝，總建筑面積26.5萬(wàn)平方米，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC車規(guī)級(jí)MOSFET功率芯片48萬(wàn)片。項(xiàng)目在取得各項(xiàng)手續(xù)批復(fù)后開始建設(shè)，預(yù)計(jì)2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)，2028年達(dá)產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體官網(wǎng)資料顯示，該合資廠將采用意法半導(dǎo)體SiC專利制造工藝技術(shù)，專注于為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)SiC器件。三安光電也披露，該工廠制造的SiC外延、芯片將獨(dú)家銷售給意法半導(dǎo)體或其指定的任何實(shí)體。

為主導(dǎo)該合資項(xiàng)目實(shí)施，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司和意法半導(dǎo)體（中國(guó)）投資有限公司于2023年8月共同出資成立安意法半導(dǎo)體有限公司，注冊(cè)資金6.12億美元，雙方持股比例分別為51%、49%。

為滿足該合資廠的襯底需求，三安光電也將利用自有SiC襯底工藝，單獨(dú)建造和運(yùn)營(yíng)一個(gè)新的8英寸SiC襯底制造廠，規(guī)劃總投資70億人民幣，占地276畝，采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC襯底48萬(wàn)片，合資公司將與湖南三安簽訂長(zhǎng)期SiC襯底供應(yīng)協(xié)議。

為推進(jìn)SiC襯底制造廠項(xiàng)目實(shí)施，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司于2023年7月全資設(shè)立重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，注冊(cè)資本18億人民幣。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)悉，湖南三安半導(dǎo)體基地項(xiàng)目致力于建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的以SiC等寬禁帶材料為主的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，項(xiàng)目投產(chǎn)后可廣泛用于新能源汽車、高鐵機(jī)車、航空航天和5G通訊等。

2022年7月，湖南三安半導(dǎo)體基地項(xiàng)目二期開建，總投資為80億元，全面達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)50萬(wàn)片6英寸SiC襯底的年產(chǎn)能。近日，二期工程也迎來(lái)了新進(jìn)展。

source：湖南三安半導(dǎo)體

1月23日，三安光電在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司全資子公司湖南三安SiC產(chǎn)能正逐步釋放，湖南三安半導(dǎo)體基地二期工程目前已進(jìn)入廠房裝修后期階段，2024年一季度即將貫通。湖南三安正就已簽署的長(zhǎng)期采購(gòu)協(xié)議著力推進(jìn)產(chǎn)品交付，并持續(xù)跟進(jìn)數(shù)家新能源汽車客戶的合作意向。公司SiC襯底質(zhì)量方面能夠滿足客戶要求，并按期交付給客戶使用。

在新能源汽車領(lǐng)域，SiC器件需求日益增長(zhǎng)，三安光電SiC器件也正在加速上車。據(jù)了解，三安光電SiC MOSFET代工業(yè)務(wù)已與新能源汽車龍頭廠商及配套企業(yè)展開合作，與某知名車企簽署芯片戰(zhàn)略采購(gòu)意向協(xié)議總金額達(dá)38億元，另一重要客戶訂單金額19億元。該公司2022年年報(bào)顯示，已簽署的SiC MOSFET長(zhǎng)期采購(gòu)協(xié)議總金額超70億元。

產(chǎn)品方面，三安光電車規(guī)級(jí)1200V 16mΩ MOSFET芯片已在戰(zhàn)略客戶處進(jìn)行模塊驗(yàn)證，預(yù)計(jì)于2024年正式上車量產(chǎn)。

合作方面，全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體和三安光電于2023年6月共同宣布，雙方將在重慶建立一個(gè)新的8英寸SiC器件合資制造廠。按照計(jì)劃，合資廠將于2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì)在2028年全面建成。該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約32億美元（約合229.6億人民幣）。

與此同時(shí)，三安光電首席執(zhí)行官Simon Lin表示，將利用自研SiC襯底工藝，單獨(dú)新建造和運(yùn)營(yíng)一個(gè)8英寸SiC襯底制造廠，以滿足上述合資廠的襯底需求。

有消息顯示，湖南三安半導(dǎo)體基地項(xiàng)目二期會(huì)在8英寸工藝方面進(jìn)行研發(fā)投入，并在上述三安光電新建的8英寸SiC襯底廠規(guī)模使用。

隨著湖南三安半導(dǎo)體基地項(xiàng)目二期建成達(dá)產(chǎn)，三安光電在SiC技術(shù)和產(chǎn)能方面有望再上一個(gè)臺(tái)階。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)悉，湖南三安主導(dǎo)三安光電旗下SiC/GaN電力電子業(yè)務(wù)，具體以SiC為主，GaN目前占比較小。

早在2020年7月，總投資達(dá)160億元、占地面積達(dá)1000畝的湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目正式開工。湖南三安半導(dǎo)體主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（SiC）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，形成長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝的SiC全產(chǎn)業(yè)鏈。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，將形成約36萬(wàn)片/年的產(chǎn)能。
上半年，得益于SiC市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，湖南三安整體業(yè)績(jī)保持增長(zhǎng)趨勢(shì)，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.82億元，同比增長(zhǎng)178.86%；凈利潤(rùn)為3.32億元，同比增長(zhǎng)266.99%。

為推進(jìn)湖南三安的業(yè)務(wù)發(fā)展，今年8月，三安光電決定以自有資金10億元對(duì)湖南三安增資，后者注冊(cè)資本由20億元增加到30億元。

8英寸方面，湖南三安進(jìn)展較快。今年6月，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會(huì)上首發(fā)8英寸SiC襯底，正式切入8英寸襯底領(lǐng)域；今年10月，湖南三安披露，8英寸SiC襯底已完成開發(fā)，并進(jìn)入小批量生產(chǎn)及送樣階段；近期，湖南三安將重點(diǎn)放在良率提升上，通過(guò)設(shè)備調(diào)試與工藝優(yōu)化，推進(jìn)量產(chǎn)進(jìn)程。

與此同時(shí)，湖南三安與意法半導(dǎo)體合資成立的三安意法半導(dǎo)體（重慶）有限公司承建的8英寸SiC器件廠項(xiàng)目已獲批通過(guò)，預(yù)計(jì)將于2025年完成階段性建設(shè)并投產(chǎn)，2028年進(jìn)入達(dá)產(chǎn)階段。為保障該項(xiàng)目順利實(shí)施，三安光電擬在重慶獨(dú)資設(shè)立子公司生產(chǎn)SiC襯底作為配套，預(yù)計(jì)投資總額70億元。

近年來(lái)，國(guó)內(nèi)SiC廠商在擴(kuò)產(chǎn)方面動(dòng)作頻頻。襯底方面，例如：天岳先進(jìn)擬投資20億元用于募投項(xiàng)目SiC半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，達(dá)產(chǎn)后將新增產(chǎn)能約30萬(wàn)片/年；露笑科技2022年7月完成25.67億元增發(fā)用于推進(jìn)SiC項(xiàng)目，項(xiàng)目完成后將形成年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸導(dǎo)電型SiC襯底片的產(chǎn)能。

器件方面，例如：士蘭微正在推進(jìn)定增事項(xiàng)，其中7.5億元用于SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目，達(dá)產(chǎn)后將新增年產(chǎn)14.4萬(wàn)片SiC MOSFET/SBD芯片的產(chǎn)能；振華科技也正在推進(jìn)定增事項(xiàng)，其中包括建設(shè)一條12萬(wàn)片/年產(chǎn)能的6英寸Si/SiC基功率器件制造線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

整合射頻、光芯片業(yè)務(wù)，轉(zhuǎn)讓三安日本科技、香港集成

按照擬定的業(yè)務(wù)整合方案，三安光電將泉州半導(dǎo)體從事的射頻類業(yè)務(wù)整合至泉州半導(dǎo)體的全資子公司泉州集成，將廈門集成從事的光芯片業(yè)務(wù)整合至三安光電的全資孫公司泉州光通訊。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，整合之后，三安光電的射頻業(yè)務(wù)將由泉州集成和廈門集成開展，光芯片業(yè)務(wù)則由泉州光通訊開展。

股權(quán)轉(zhuǎn)讓部分，三安光電將香港集成持有的三安日本科技100%股權(quán)以9,000 萬(wàn)日元（約合人民幣440萬(wàn)元）轉(zhuǎn)讓給泉州集成，將廈門集成持有的香港集成100%股權(quán)以1,140 萬(wàn)美元（8333萬(wàn)元）轉(zhuǎn)讓給香港三安光電。

業(yè)務(wù)集中度提升，射頻、光芯片業(yè)務(wù)有望加速擴(kuò)張

目前，泉州集成主要從事濾波器業(yè)務(wù)的研發(fā)、銷售及生產(chǎn)，三安日本科技主要從事濾波器的研發(fā)，經(jīng)過(guò)業(yè)務(wù)整合和股權(quán)轉(zhuǎn)讓之后，包含濾波器在內(nèi)的射頻業(yè)務(wù)集中度提升。而廈門集成將光芯片業(yè)務(wù)和香港集成整合和轉(zhuǎn)讓出去之后，業(yè)務(wù)集中度同樣有了明顯的提升。

射頻前端業(yè)務(wù)是三安光電集成電路板塊下的其中一大業(yè)務(wù)，包含濾波器和GaAs射頻部分。濾波器業(yè)務(wù)方面，三安光電近兩年來(lái)業(yè)務(wù)開發(fā)進(jìn)展快速，今年上半年，其濾波器出貨量同比增長(zhǎng)超200%；產(chǎn)品研發(fā)上也不斷傳來(lái)好消息：三安集成已基于自研鍵合多層壓電襯底技術(shù)，在新材料及新建模的基礎(chǔ)上，推出HP-SAW濾波器系列產(chǎn)品，性能上取得了突破。產(chǎn)能方面，濾波器產(chǎn)能目前以SAW技術(shù)路線為主，每月生產(chǎn)150KK。后續(xù)，隨著濾波器產(chǎn)能稼動(dòng)率的提升、產(chǎn)品線的擴(kuò)大，三安光電濾波器的產(chǎn)量和銷量可望進(jìn)一步增長(zhǎng)。

GaAs射頻業(yè)務(wù)涉及HBT、pHEMT等先進(jìn)工藝芯片代工服務(wù)，可覆蓋頻段已延伸至Ka頻段，客戶是國(guó)內(nèi)主要設(shè)計(jì)公司。目前，GaAs射頻產(chǎn)能為15,000片/月。上半年，GaAs射頻產(chǎn)能稼動(dòng)率隨著需求的增加逐步上升，產(chǎn)量呈逐月上升趨勢(shì)。

未來(lái)，泉州集成和廈門集成集中資源，有利于三安光電加快擴(kuò)大射頻前端業(yè)務(wù)的規(guī)模。

光芯片業(yè)務(wù)也是集成電路板塊中的一大業(yè)務(wù)。目前，三安光電的光芯片產(chǎn)品面向光通信和非光通信兩大應(yīng)用，后者主要指光電感測(cè)或功率類應(yīng)用，包括激光雷達(dá)、接近光距離傳感、3D空間以及人臉檢測(cè)、監(jiān)控補(bǔ)光、工業(yè)等，涉及EEL、VCSEL、APD、SPAD等各類激光芯片和接收芯片。根據(jù)半年報(bào)顯示，三安光電目前擁有光芯片產(chǎn)能2,750 片/月。

在光通信應(yīng)用領(lǐng)域，三安光電已可提供滿足400G光模塊應(yīng)用的光收發(fā)芯片，目前正在研發(fā)800G光模塊應(yīng)用的光收發(fā)芯片。在非光通信應(yīng)用領(lǐng)域，三安集成各類激光芯片已實(shí)現(xiàn)單月kk級(jí)別的出貨量，而且，車載雷達(dá)用VCSEL產(chǎn)品已在雷達(dá)客戶以及國(guó)內(nèi)車廠處獲得定點(diǎn)。截至上半年，三安光電所有光技術(shù)業(yè)務(wù)合作客戶已超170家。

本次廈門集成光芯片業(yè)務(wù)的去處，泉州光通訊的業(yè)務(wù)涵蓋光電子器件、電子元件和半導(dǎo)體照明器件、光通訊設(shè)備、集成電路等的制造與銷售。從業(yè)務(wù)上看，協(xié)同優(yōu)勢(shì)凸顯，整合之后，泉州光通訊也將集中更多優(yōu)勢(shì)的資源，擴(kuò)大三安光電的光芯片業(yè)務(wù)。

小結(jié)

從業(yè)務(wù)層面來(lái)看，三安光電的射頻業(yè)務(wù)、光芯片業(yè)務(wù)、SiC/GaN電力電子業(yè)務(wù)、LED芯片業(yè)務(wù)的發(fā)展方向進(jìn)一步清晰和明確了，業(yè)務(wù)的集中有利于其提升內(nèi)部資源利用率，最大程度發(fā)揮子公司孫公司的的強(qiáng)項(xiàng)，達(dá)到擴(kuò)大公司整體業(yè)務(wù)規(guī)模、增強(qiáng)綜合競(jìng)爭(zhēng)力的效果。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。