目前，功率氮化鎵在消費電子領域應用已漸入佳境，并正在逐步向各類應用場景滲透。整體來看，功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)已進入快速發(fā)展階段。

功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析

從技術方面來看，9月11日英飛凌宣布，其已成功開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術和效率顯著提升。

12英寸氮化鎵技術的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設備，有利于加快全面規(guī)?；慨a(chǎn)并降低產(chǎn)線建設成本。

從產(chǎn)業(yè)化方面來看，消費電子仍然是功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機等領域。

在當前十分火熱的新能源汽車領域，越來越多的氮化鎵相關廠商開始探索氮化鎵車用可能性。其中，車載充電機（OBC）被視為最佳突破點，第一個符合汽車AEC-Q101標準的功率氮化鎵產(chǎn)品在2017年發(fā)布，截至目前，已有多家廠商推出豐富的汽車級產(chǎn)品。

AI技術的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應對更高端的AI運算，服務器電源的效能、功率密度必須進一步提高，氮化鎵已成為關鍵解決技術之一。

而在機器人等電機驅(qū)動場景，氮化鎵的應用潛力也正在逐漸浮現(xiàn)。TI、EPC等持續(xù)推動著氮化鎵于電機驅(qū)動領域的應用，并不斷吸引新玩家進入。

從市場規(guī)模來看，TrendForce集邦咨詢認為，功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)正處于關鍵的突圍時刻，幾大潛力應用同步推動著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。

“助燃”機器人產(chǎn)業(yè)，為什么是氮化鎵？

從氮化鎵功率器件市場規(guī)模數(shù)據(jù)不難看出，盡管目前功率氮化鎵的主戰(zhàn)場仍然是消費電子市場，但未來在汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景的應用能見度較高，規(guī)模有望占據(jù)半壁江山。

而在除消費電子之外的各類潛力應用場景中，以電機驅(qū)動為基礎的機器人產(chǎn)業(yè)特別是人形機器人領域是功率氮化鎵當前導入進度較慢但未來有著廣闊應用空間的市場。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，在2025年各機器人大廠逐步實現(xiàn)量產(chǎn)的前提下，預估2027年全球人形機器人市場產(chǎn)值有望超越20億美元，2024年至2027年間的市場規(guī)模年復合成長率將達154%。

人形機器人市場規(guī)模增長的原因是多方面的，包括科技進步、市場需求、政策支持等。從技術方面來看，機器人的核心系統(tǒng)構成包括傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)。這其中，氮化鎵有非常豐富的應用場景，包括電機控制、激光雷達系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池BMS等。

人形機器人的動力核心是電機與電機驅(qū)動芯片，電機驅(qū)動芯片是電機實現(xiàn)精準高效控制的關鍵，這也是電機驅(qū)動芯片導入氮化鎵技術的最主要原因。氮化鎵技術導入電機驅(qū)動芯片后，為機器人驅(qū)動系統(tǒng)提供了更高的能效比、更優(yōu)的熱管理和更合理化的設計。

具體來看，氮化鎵器件的應用，提升了系統(tǒng)整體效率、減輕了重量和體積、延長了機器人使用壽命并增強其在各種工作環(huán)境中的可靠性。

而在激光雷達系統(tǒng)中，使用氮化鎵器件與使用傳統(tǒng)的硅器件相比，展現(xiàn)出了更快的響應速度和更低的功耗，使得雷達系統(tǒng)能夠以更窄的脈沖寬度、更大的峰值電流和更高的功率運行，從而顯著提升圖像的分辨率和系統(tǒng)的整體表現(xiàn)。

整體來看，氮化鎵功率器件正在機器人的運動、感官等重要零部件發(fā)揮作用，推動機器人的普及應用。

部分功率器件大廠進軍機器人領域

在機器人產(chǎn)業(yè)氮化鎵應用需求驅(qū)動下，TI、EPC、納微、東漸氮化鎵等企業(yè)圍繞機器人應用開始了在氮化鎵業(yè)務方面的新一輪群雄逐鹿，并各自取得了一定的成果。

TI在今年7月推出了適用于電機集成式伺服驅(qū)動器和機器人應用的48V、850W小型三相氮化鎵逆變器參考設計TIDA-010936。同月，東漸氮化鎵與海神機器人簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同研發(fā)新一代高性能芯片，以推進智慧物業(yè)管理機器人場景應用。

8月在PCIM Asia 2024展會上，EPC展示了一款人形機器人樣品。該機器人中的一些關節(jié)組件采用了氮化鎵技術。

10月，納微半導體正式發(fā)布了新一代高度集成的氮化鎵功率芯片GaNSlim系列，納微開啟進入48V AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和機器人市場。

此外，今年國內(nèi)也有一起工業(yè)機器人搭載氮化鎵技術的案例落地——新工綠氫在年初推出自主研發(fā)設計的“天工一號”自動駕駛充電機器人。

總結

盡管目前已有不少氮化鎵相關廠商涉足機器人領域，但短期內(nèi)氮化鎵技術在機器人場景的應用仍然面臨挑戰(zhàn)。

相較于傳統(tǒng)的硅基半導體材料，氮化鎵的制備成本較高，這主要是由于其制備過程需要昂貴的原材料和設備，以及較高的能耗。如何降低氮化鎵的制備成本，提高其市場競爭力，是氮化鎵市場應用當前面臨的挑戰(zhàn)之一；此外，如何提高氮化鎵器件的穩(wěn)定性和壽命，確保其在實際應用中的可靠性，也是當前研究的重點。

隨著成本的進一步下探以及可靠性持續(xù)提升，氮化鎵技術將向AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、機器人等要求更嚴苛的領域進一步滲透。

長遠來看，機器人特別是人形機器人的大規(guī)模應用，將使人們的生活更加便捷和舒適，未來發(fā)展?jié)摿薮螅熬笆枪饷鞯?。隨著人形機器人市場規(guī)模的持續(xù)增長，氮化鎵產(chǎn)業(yè)有望吃到又一波紅利。（文：集邦化合物半導體Zac）

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source：X-fab

X-fab介紹，XbloX整合了經(jīng)過驗證的SiC工藝開發(fā)模塊和平面MOSFET生產(chǎn)的模塊，簡化了入門流程，并顯著降低了設計風險和產(chǎn)品開發(fā)時間。

通過將經(jīng)過驗證的工藝模塊與強大的設計規(guī)則、控制計劃和失效模式及影響分析（FMEA）相結合，XbloX實現(xiàn)了更快的原型制作、更簡便的設計評估和更短的市場上市時間。該平臺為客戶提供了競爭優(yōu)勢，允許設計師創(chuàng)建多樣化的產(chǎn)品組合，同時比傳統(tǒng)開發(fā)方法提前多達九個月實現(xiàn)生產(chǎn)。

新一代平臺在保持穩(wěn)健的工藝控制以及漏電和擊穿性能的同時，減小了活動區(qū)域設計單元尺寸。XSICM03平臺憑借穩(wěn)健的設計規(guī)則，允許客戶創(chuàng)建單元間距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。

這一改進使得每片晶圓的芯片數(shù)量比上一代增多30%。利用經(jīng)過驗證的工藝模塊，平臺確保了柵氧可靠性和器件穩(wěn)健性。豐富的PCM庫和增強的設計支持使得客戶能夠快速流片，從而加速產(chǎn)品開發(fā)。

X-fab Texas的首席執(zhí)行官Rico Tillner評論道：“通過其簡化的方法，我們的下一代工藝平臺滿足了汽車、工業(yè)和能源應用中對高性能SiC器件日益增長的需求。公司通過加速原型制作和設計評估，使現(xiàn)有和新客戶能夠創(chuàng)建應用優(yōu)化的產(chǎn)品組合，顯著縮短上市時間。（集邦化合物半導體Morty編譯）

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官微資料顯示，清連科技致力于提供高性能功率器件高可靠封裝解決方案，團隊依托納米金屬燒結材料與封裝設備研發(fā)基礎，開發(fā)了全系列銀/銅燒結材料與配套解決方案。其中，具有獨立知識產(chǎn)權的銀燒結產(chǎn)品已通過車規(guī)級認證并形成批量訂單，銅燒結產(chǎn)品已向國內(nèi)外眾多頭部客戶提供制樣并完成驗證。

據(jù)悉，銀/銅燒結工藝是以碳化硅為代表的高性能功率器件芯片封裝的核心技術，技術門檻較高。此次融資完成后，清連科技將進一步提升銀/銅燒結產(chǎn)品與設備的量產(chǎn)能力，加速客戶服務中心建設。

值得一提的是，近期還有另外一家碳化硅銀燒結技術相關廠商完成了新一輪融資。

10月22日，據(jù)中科光智官微消息，中科光智完成了A+輪融資，融資金額為數(shù)千萬元人民幣，由重慶科技創(chuàng)新投資集團有限公司控股（持股比例99%）子公司重慶科創(chuàng)長嘉私募股權投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）投資。

2024年上半年，中科光智研發(fā)出高精度全自動貼片機、納米銀壓力燒結機兩款碳化硅芯片封裝工藝設備，均已進入市場驗證階段。銀燒結技術用于電力電子功率模塊、碳化硅器件封裝等，能夠顯著提高這些器件的可靠性、效率和壽命。

值得關注的是，清連科技本輪融資新增股東之一的哈勃科技（哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司）為華為投資控股有限公司全資子公司，投資領域為第三代半導體（碳化硅）、EDA工具、芯片設計、激光設備、半導體核心材料等多個領域。（集邦化合物半導體Zac整理）

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在此背景下，國內(nèi)外功率器件大廠圍繞碳化硅芯片開始了新一輪角逐，市場上不時傳出各類利好消息。近日，美國商務部表示，已與德國汽車零部件供應商博世（Bosch）達成初步協(xié)議，將為博世在加州的碳化硅功率半導體工廠興建計劃，提供多達2.25億美元（約16.38億人民幣）的補貼。

據(jù)悉，美國商務部將以這筆補貼支持博世將在加州羅斯維爾市（Roseville）投資19億美元（約138.33億人民幣），把制造設施轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)碳化硅功率半導體工廠的計劃。博世預期，這座半導體工廠2026年起將以200毫米（8英寸）晶圓生產(chǎn)芯片。美國商務部稱，博世這座工廠產(chǎn)能全開時，在全美碳化硅芯片制造產(chǎn)能中的占比將超過40%。

博世持續(xù)蓄力碳化硅

隨著碳化硅在汽車電子領域的優(yōu)勢逐步顯現(xiàn)，作為全球第一大汽車零部件及系統(tǒng)供應商，博世早在2019年就開始探索碳化硅車用業(yè)務。

2021年底，博世開始在德國羅伊特林根工廠大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅芯片，以應用于電動和混動汽車的電力電子器件中。目前，博世針對該工廠的規(guī)劃已經(jīng)過多次修改，投資金額和產(chǎn)能不能提升。

近年來，博世在全球范圍內(nèi)持續(xù)加碼碳化硅布局，尤其是中國和美國兩個大市場。

隨著中國新能源汽車市場的火熱發(fā)展，博世在2023年1月12日與蘇州工業(yè)園區(qū)管理委員會簽署投資協(xié)議，并宣布在蘇州投資建立博世新能源汽車核心部件及自動駕駛研發(fā)制造基地。

據(jù)悉，博世計劃在未來幾年內(nèi)累計向該項目投資約70億人民幣。項目研發(fā)生產(chǎn)方向則將圍繞新能源汽車核心部件，包括商用車電動化所需的配備了新一代碳化硅功率模塊單元的電驅(qū)產(chǎn)品。

隨后在2023年8月，博世表示，其已經(jīng)收購了加州芯片制造商TSI Semiconductors，將在美國建立碳化硅芯片制造基地。隨著博世在美國獲得補貼，并開始碳化硅芯片工廠建設計劃，該公司碳化硅芯片產(chǎn)能有望進一步提升。

值得關注的是，博世位于加州羅斯維爾市的碳化硅工廠將生產(chǎn)8英寸碳化硅芯片，將推動博世成為碳化硅功率器件領域又一家轉(zhuǎn)型8英寸的廠商。

8英寸碳化硅芯片投產(chǎn)潮來襲

TrendForce集邦咨詢認為，碳化硅從6英寸升級到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但可以提升芯片產(chǎn)量，8英寸能夠生產(chǎn)的芯片數(shù)量約為6英寸碳化硅晶圓的1.8倍，向8英寸轉(zhuǎn)型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同時，8英寸襯底厚度增加有助于在加工時保持幾何形狀，減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。

由于8英寸有利于降低碳化硅器件成本，在碳化硅產(chǎn)業(yè)競爭日趨激烈的情況下，包括意法半導體、英飛凌、安森美等國際功率器件大廠以及士蘭微、方正微電子等國內(nèi)廠商都在致力于通過8英寸轉(zhuǎn)型降本增效，提升競爭力。

國際廠商方面，作為全球碳化硅襯底龍頭，Wolfspeed是目前少有的已量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的廠商。今年6月Wolfspeed曾表示，其位于美國紐約的莫霍克谷8英寸碳化硅晶圓工廠的利用率達到了20%。

意法半導體則計劃在2025年將碳化硅產(chǎn)品全面升級為8英寸。為達成這一目標，意法半導體與三安光電合資在重慶建設8英寸碳化硅器件廠，目前8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在安裝調(diào)試中，預計2025年完成階段性建設并逐步投產(chǎn)。

英飛凌則在今年8月宣布其位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠一期項目正式啟動運營，預計2025年可實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

安森美位于韓國富川的碳化硅晶圓廠已于2023年完成擴建，計劃于2025年完成相關技術驗證后過渡到8英寸生產(chǎn)，屆時產(chǎn)能將擴大到當前規(guī)模的10倍。

羅姆在日本福岡縣筑后工廠的碳化硅新廠房已于2022年開始量產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)將切換為8英寸晶圓產(chǎn)線。按照羅姆的規(guī)劃，其預計在2025年量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓。

為順應8英寸轉(zhuǎn)型趨勢，三菱電機位于熊本縣正在建設的8英寸碳化硅晶圓廠將提前開始運營。該工廠的運作日期將從2026年4月變更為2025年11月。

國內(nèi)企業(yè)中，士蘭微8英寸碳化硅功率器件項目已進入土方工程收尾階段，一期項目預計將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)；芯聯(lián)集成擁有一條8英寸碳化硅晶圓試驗線，其8英寸碳化硅晶圓工程批已于今年4月20日下線，計劃今年四季度正式開始向客戶送樣，2025年進入規(guī)模量產(chǎn)；方正微電子當前有兩個Fab，其中，F(xiàn)ab2的8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線預計將于2024年底通線。

從上述各大廠商的8英寸發(fā)展規(guī)劃可以看出，2025年有望成為8英寸碳化硅器件密集投產(chǎn)期，進而推動碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈全面進入8英寸時代。（文：集邦化合物半導體Zac）

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據(jù)悉，該項目總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)，于2023年12月開工建設。據(jù)稱項目將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領域的空白。

據(jù)“睿悅投資”消息，截至日前，福建晶旭半導體有限公司年產(chǎn)能75萬片氧化鎵外延生產(chǎn)基地，主體結構已全部封頂，預計明年可以達到初步生產(chǎn)使用狀態(tài)。

公開資料顯示，晶旭半導體是一家專注于5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條技術、以IDM模式運行的廠商。其核心技術是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片。（集邦化合物半導體整理）

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該項目將通過增加先進的晶圓制造設備，擴建全球首個6英寸（150mm）InP生產(chǎn)線，以擴大InP器件的規(guī)?；a(chǎn)。

6英寸InP晶圓（ source：Coherent）

據(jù)悉，今年3月，Coherent宣布已建立全球首個6英寸InP晶圓生產(chǎn)能力。公司分別在其德克薩斯州謝爾曼和瑞典J?rf?lla的晶圓廠建設了6英寸InP產(chǎn)能，未來將實現(xiàn)60%以上的成本降幅，賦能光通訊、數(shù)據(jù)通信收發(fā)器、AI智能互聯(lián)、消費電子及可穿戴設備用先進傳感、醫(yī)療與汽車、甚至往后的6G無線網(wǎng)絡、衛(wèi)星通信網(wǎng)絡等應用場景。

Coherent預期在未來幾年，InP大部分生產(chǎn)將從3英寸向6英寸過渡，以充分利用大尺寸晶圓、更高產(chǎn)量及更優(yōu)性能等的優(yōu)勢，鞏固其在通信和傳感領域的可持續(xù)競爭力。
除了InP，Coherent今年在碳化硅（SiC）與砷化鎵（GaAs）領域都有不同程度進展。

·碳化硅領域

2024年4月，Coherent基于CHIPS法案獲得1500萬美元的資金，用于加速下一代寬帶隙和超寬帶隙半導體（分別為碳化硅和單晶金剛石）的商業(yè)化。

9月26日，Coherent宣布推出其8英寸碳化硅外延片，其350微米和500微米厚度的襯底和外延晶圓目前正在出貨中。

·砷化鎵領域

9月27日，為簡化運營，Coherent將其位于英國北部達勒姆郡牛頓艾克利夫（Newton Aycliffe,County Durham）的晶圓廠出售給了英國政府，售價為2000萬英鎊。

Newton Aycliffe晶圓廠主要面向通信和航空航天與國防領域制造III-V族化合物半導體射頻微電子和光電子器件，生產(chǎn)用于戰(zhàn)斗機等軍事技術的砷化鎵半導體。

Coherent首席執(zhí)行官Jim Anderson表示：“剝離Newton Aycliffe工廠是公司優(yōu)化投資組合和簡化運營努力的一部分，這使我們能夠?qū)⑼顿Y和資本集中在公司最長期增長和盈利能力的領域?！保罨衔锇雽wMorty編譯）

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本次增資完成后，中車時代半導體仍為株洲中車時代電氣股份有限公司控股子公司，后者持股比例由96.1680%變更為77.7771%。

具體來看，中車時代半導體新引入的股東陣容包括株洲國投、上汽集團、南方電網(wǎng)、陽光電源、國家能源集團、山東能源集團、華電集團、三峽、國電投、陽光電源、國新發(fā)展、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期等。

中車時代半導體成立于2019年1月，已成為國際少數(shù)同時掌握大功率晶閘管、IGCT、IGBT及SiC器件及其組件技術的IDM（集成設計制造）模式企業(yè)代表，擁有芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)完整產(chǎn)業(yè)鏈。

除本次增資外，中車時代半導體今年還相繼完成2輪融資。3月22日，據(jù)“科創(chuàng)板日報”消息，高科集團參股公司株洲中車時代高新投資有限公司（以下簡稱：時代投資）參與的基金完成對中車時代半導體6.3億元人民幣的戰(zhàn)略投資，其中時代投資出資4700萬元。

而在今年4月，中車時代半導體完成新一輪融資，常州市產(chǎn)業(yè)投資基金（有限合伙）參股子基金電投融合創(chuàng)新（常州）股權投資合伙企業(yè)（有限合伙）成功投資中車時代半導體。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：順義科創(chuàng)

據(jù)悉，2021年12月15日，瑞能微恩半導體科技（北京）有限公司在順義落地，租用科創(chuàng)芯園壹號建設“6英寸車規(guī)級功率半導體晶圓生產(chǎn)基地建設項目”；2022年9月7日，項目正式開工建設。

該項目總投資9.26億元，租賃面積3.08萬平方米，將建設6吋車規(guī)級功率半導體晶圓生產(chǎn)基地。

后續(xù)，項目將進入全面機電安裝階段，預計2025年1月完成設備入場，3月完成設備調(diào)試，6月正式投產(chǎn)，將生產(chǎn)車規(guī)級功率半導體晶圓，年產(chǎn)能12萬片。

瑞能微恩半導體科技（北京）有限公司由瑞能半導體科技股份有限公司100%持股（下文簡稱“瑞能半導體”）。據(jù)官網(wǎng)介紹，瑞能半導體成立于2015年，公司主要產(chǎn)品包括碳化硅器件、晶閘管、快恢二極管、IGBT、模塊等，產(chǎn)品廣泛應用于消費電子、工業(yè)制造、新能源及汽車等領域。（來源：順義科創(chuàng)、集邦化合物半導體整理）

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source：江蘇姜堰

據(jù)悉，該項目由上海弗昂元科技有限公司投資建設，項目總投資1.15億元，租用廠房約9200㎡，主要從事碳化硅模塊封裝設備研發(fā)生產(chǎn)。

據(jù)集邦化合物半導體觀察，目前，碳化硅模塊正在加速“上車”，近期已有多家碳化硅功率器件相關廠商披露了車用業(yè)務最新進展，包括國揚電子、意法半導體、華潤微等。

11月27日，據(jù)國基南方官微消息，其控股（持股比例67.4007%）子公司國揚電子近日收到國內(nèi)重點車企量產(chǎn)定點函，將為該車企批量配套車規(guī)級塑封碳化硅（SiC）功率部件。

隨后在12月3日，意法半導體和雷諾集團達成了一項多年期協(xié)議——作為雙方在Amper超高效電動動力系統(tǒng)逆變器電源盒方面合作的一部分，從2026年開始，意法半導體將為雷諾集團供應碳化硅功率模塊。其中，Ampere是由意法半導體和雷諾集團共同打造的電動汽車智能制造商。后續(xù)，Ampere與意法半導體將共同優(yōu)化功率模塊。

與此同時，華潤微接受投資機構調(diào)研時表示，其碳化硅二極管、碳化硅MOSFET產(chǎn)品均已實現(xiàn)批量供貨，同時碳化硅模塊產(chǎn)品已在上量階段，相關產(chǎn)品正在圍繞新能源汽車、充電樁等領域全面推廣上量。

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金（約666億人民幣）。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：采埃孚官微

據(jù)介紹，沈陽電驅(qū)動工廠的主打產(chǎn)品為新能源汽車的電驅(qū)動系統(tǒng)，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術，圍繞800伏平臺持續(xù)升級，既可以提升安全等級又可以優(yōu)化成本。

截至目前，采埃孚在中國共有三家電驅(qū)動工廠。2022年9月，采埃孚電驅(qū)動技術（杭州）有限公司二期項目投產(chǎn)，主要生產(chǎn)800伏電驅(qū)動橋總成和減速器產(chǎn)品。在此期間，采埃孚電驅(qū)動科技（沈陽）有限公司新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)制造項目竣工，產(chǎn)品覆蓋電機、電控和電驅(qū)動系統(tǒng)的生產(chǎn)裝配以及測試。近日開業(yè)的采埃孚電驅(qū)動系統(tǒng)（沈陽）有限公司是采埃孚在華第三家電驅(qū)動生產(chǎn)基地。

在車用碳化硅業(yè)務方面，去年4月，采埃孚和意法半導體共同發(fā)布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。

根據(jù)合同條款，采埃孚將自2025年起向意法半導體采購數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對車規(guī)級SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構，這些SiC器件將集成到該平臺中。

而在今年6月，采埃孚開始與NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）合作，為電動汽車（EV）開發(fā)基于碳化硅的下一代牽引逆變器解決方案，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。（集邦化合物半導體Zac整理）

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