據LEDinside了解，近日，三安光電市值重新突破1000億元大關。
上個月，三安光電發(fā)布公告披露了2019年年度業(yè)績預減公告。公告顯示，三安光電預計2019年年度實現歸屬于上市公司股東的凈利潤與上年同期283,015.81萬元相比減少127,360萬元到155,660萬元，同比下降45%到55%。
三安光電表示，公司所處的LED行業(yè)前三季度價格降幅較大，進入第四季度產品價格才逐漸趨于穩(wěn)定，由于報告期內公司成本下降的幅度低于產品價格降幅，導致毛利率下滑，經營業(yè)績下降。公司集成電路業(yè)務前三季度實現銷售規(guī)模較小，從第四季度才開始上量，減虧幅度有限，集成電路業(yè)務全年繼續(xù)虧損。
因此，尋找新的“藍海”市場已經成為行業(yè)共識，除了Mini LED、Micro LED、紫外、紅外、植物照明等應用領域外，化合物半導體也成為LED企業(yè)進行布局的一大方向。
由于化合物半導體可用于通訊、軍工、新能源等領域，具有重要的戰(zhàn)略意義，近幾年來，國家大力扶持半導體產業(yè)。再加上5G商用化、新能源汽車等新興應用的發(fā)展以及相關政策的出臺，加速了化合物半導體的國產化進程。
國內外LED相關企業(yè)，比如三安光電、華燦光電、CREE等，很早就開始布局了化合物半導體市場，其中三安的布局不乏有大手筆之作。
“333億?！?017年12月5日，三安光電發(fā)布公告稱，公司與福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府簽署了《投資合作協(xié)議》，公司將在福建省泉州芯谷南安園區(qū)投資333億元從事產業(yè)化項目，全部項目五年內實現投產，七年內全部項目實現達產。項目具體包括七大產業(yè)化項目：高端氮化鎵 LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產業(yè)化項目；高端砷化鎵 LED 外延、芯片的研發(fā)與制造產業(yè)化項目；大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產業(yè)化項目；光通訊器件的研發(fā)與制造產業(yè)化項目；射頻、濾波器的研發(fā)與制造產業(yè)化項目；功率型半導體（電力電子）的研發(fā)與制造產業(yè)化項目；特種襯底材料研發(fā)與制造、特種封裝產品應用研發(fā)與制造產業(yè)化項目。
“120億?！?019年4月25日，三安光電宣布將投資120億，在湖北省葛店經濟技術開發(fā)區(qū)管理委員會轄區(qū)內投資興辦III-V族化合物半導體項目，主要生產經營Mini/Micro LED外延與芯片產品及相關應用的研發(fā)、生產、銷售。7月29日，三安葛店Mini/Micro LED顯示芯片產業(yè)化項目正式開工。
“70億。”2019年11月，三安光電發(fā)布公告宣布向長沙先導高芯以及格力電器擬募集資金總額為不超過70億元發(fā)力高端半導體。其中，先導高芯認購50億元，格力電器認購20億元。項目主要包括氮化鎵、砷化鎵、特種封裝三大業(yè)務板塊及公共配套建設；主要產品包括高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、RS紅光/紅外產品、Mini/Micro LED芯片、車用LED照明、植物照明LED芯片、大功率激光器、太陽電池芯片等。
幾大手筆之作體現的是三安光電對于化合物半導體市場的信心。之前，三安光電在回復投資者問題時表示，公司將鞏固LED龍頭企業(yè)地位，力促光電業(yè)的發(fā)展，致力于化合物半導體集成電路業(yè)務成為全球行業(yè)領先企業(yè)，努力打造具有國際競爭力的半導體廠商。(LEDinside James整理)
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