據(jù)介紹，美迪凱微電子的年產(chǎn)20億顆（件、套）半導(dǎo)體器件建設(shè)項(xiàng)目和美迪凱光學(xué)半導(dǎo)體的半導(dǎo)體晶圓制造及封測(cè)項(xiàng)目都在按計(jì)劃推進(jìn)；公司射頻芯片主要為設(shè)計(jì)公司代工，Normal SAW、TC-SAW、TF-SAW均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，包括晶圓制造和封裝測(cè)試；BAW項(xiàng)目諧振器收集已完成，已開始全流程樣品試做；公司第三代半導(dǎo)體封測(cè)已實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

官網(wǎng)資料顯示，杭州美迪凱光電科技股份有限公司成立于2010年8月，是一家從事光學(xué)光電子、半導(dǎo)體光學(xué)、半導(dǎo)體微納電路、智能終端的研發(fā)、制造和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。

在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的趨勢(shì)下，封測(cè)領(lǐng)域不時(shí)傳出廠商新動(dòng)態(tài)，近期三菱電機(jī)、晶能微電子等企業(yè)都披露了新進(jìn)展。

11月20日，據(jù)三菱電機(jī)官網(wǎng)消息，三菱電機(jī)將投資約100億日元（約4.67億人民幣）在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠。該工廠最初于2023年3月14日宣布，預(yù)計(jì)于2026年10月開始運(yùn)營(yíng)。

另?yè)?jù)溫嶺發(fā)布消息，近日，晶能微電子車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封測(cè)基地二期項(xiàng)目正式開工。據(jù)悉，2023年5月，溫嶺新城開發(fā)區(qū)與晶能微電子簽約車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封測(cè)基地項(xiàng)目，項(xiàng)目共分兩期實(shí)施建設(shè)。其中，一期擴(kuò)建項(xiàng)目主要建設(shè)一條車規(guī)級(jí)Si/SiC器件先進(jìn)封裝產(chǎn)線，已于今年7月正式投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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目前，功率氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類應(yīng)用場(chǎng)景滲透。整體來看，功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入快速發(fā)展階段。

功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析

從技術(shù)方面來看，9月11日英飛凌宣布，其已成功開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。

12英寸氮化鎵技術(shù)的一大優(yōu)勢(shì)是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備，有利于加快全面規(guī)?；慨a(chǎn)并降低產(chǎn)線建設(shè)成本。

從產(chǎn)業(yè)化方面來看，消費(fèi)電子仍然是功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng)，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機(jī)等領(lǐng)域。

在當(dāng)前十分火熱的新能源汽車領(lǐng)域，越來越多的氮化鎵相關(guān)廠商開始探索氮化鎵車用可能性。其中，車載充電機(jī)（OBC）被視為最佳突破點(diǎn)，第一個(gè)符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的功率氮化鎵產(chǎn)品在2017年發(fā)布，截至目前，已有多家廠商推出豐富的汽車級(jí)產(chǎn)品。

AI技術(shù)的演進(jìn)，帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升，CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應(yīng)對(duì)更高端的AI運(yùn)算，服務(wù)器電源的效能、功率密度必須進(jìn)一步提高，氮化鎵已成為關(guān)鍵解決技術(shù)之一。

而在機(jī)器人等電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，氮化鎵的應(yīng)用潛力也正在逐漸浮現(xiàn)。TI、EPC等持續(xù)推動(dòng)著氮化鎵于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的應(yīng)用，并不斷吸引新玩家進(jìn)入。

從市場(chǎng)規(guī)模來看，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時(shí)刻，幾大潛力應(yīng)用同步推動(dòng)著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長(zhǎng)。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。

“助燃”機(jī)器人產(chǎn)業(yè)，為什么是氮化鎵？

從氮化鎵功率器件市場(chǎng)規(guī)模數(shù)據(jù)不難看出，盡管目前功率氮化鎵的主戰(zhàn)場(chǎng)仍然是消費(fèi)電子市場(chǎng)，但未來在汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景的應(yīng)用能見度較高，規(guī)模有望占據(jù)半壁江山。

而在除消費(fèi)電子之外的各類潛力應(yīng)用場(chǎng)景中，以電機(jī)驅(qū)動(dòng)為基礎(chǔ)的機(jī)器人產(chǎn)業(yè)特別是人形機(jī)器人領(lǐng)域是功率氮化鎵當(dāng)前導(dǎo)入進(jìn)度較慢但未來有著廣闊應(yīng)用空間的市場(chǎng)。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，在2025年各機(jī)器人大廠逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的前提下，預(yù)估2027年全球人形機(jī)器人市場(chǎng)產(chǎn)值有望超越20億美元，2024年至2027年間的市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合成長(zhǎng)率將達(dá)154%。

人形機(jī)器人市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)的原因是多方面的，包括科技進(jìn)步、市場(chǎng)需求、政策支持等。從技術(shù)方面來看，機(jī)器人的核心系統(tǒng)構(gòu)成包括傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)。這其中，氮化鎵有非常豐富的應(yīng)用場(chǎng)景，包括電機(jī)控制、激光雷達(dá)系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池BMS等。

人形機(jī)器人的動(dòng)力核心是電機(jī)與電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是電機(jī)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)高效控制的關(guān)鍵，這也是電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片導(dǎo)入氮化鎵技術(shù)的最主要原因。氮化鎵技術(shù)導(dǎo)入電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片后，為機(jī)器人驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供了更高的能效比、更優(yōu)的熱管理和更合理化的設(shè)計(jì)。

具體來看，氮化鎵器件的應(yīng)用，提升了系統(tǒng)整體效率、減輕了重量和體積、延長(zhǎng)了機(jī)器人使用壽命并增強(qiáng)其在各種工作環(huán)境中的可靠性。

而在激光雷達(dá)系統(tǒng)中，使用氮化鎵器件與使用傳統(tǒng)的硅器件相比，展現(xiàn)出了更快的響應(yīng)速度和更低的功耗，使得雷達(dá)系統(tǒng)能夠以更窄的脈沖寬度、更大的峰值電流和更高的功率運(yùn)行，從而顯著提升圖像的分辨率和系統(tǒng)的整體表現(xiàn)。

整體來看，氮化鎵功率器件正在機(jī)器人的運(yùn)動(dòng)、感官等重要零部件發(fā)揮作用，推動(dòng)機(jī)器人的普及應(yīng)用。

部分功率器件大廠進(jìn)軍機(jī)器人領(lǐng)域

在機(jī)器人產(chǎn)業(yè)氮化鎵應(yīng)用需求驅(qū)動(dòng)下，TI、EPC、納微、東漸氮化鎵等企業(yè)圍繞機(jī)器人應(yīng)用開始了在氮化鎵業(yè)務(wù)方面的新一輪群雄逐鹿，并各自取得了一定的成果。

TI在今年7月推出了適用于電機(jī)集成式伺服驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人應(yīng)用的48V、850W小型三相氮化鎵逆變器參考設(shè)計(jì)TIDA-010936。同月，東漸氮化鎵與海神機(jī)器人簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同研發(fā)新一代高性能芯片，以推進(jìn)智慧物業(yè)管理機(jī)器人場(chǎng)景應(yīng)用。

8月在PCIM Asia 2024展會(huì)上，EPC展示了一款人形機(jī)器人樣品。該機(jī)器人中的一些關(guān)節(jié)組件采用了氮化鎵技術(shù)。

10月，納微半導(dǎo)體正式發(fā)布了新一代高度集成的氮化鎵功率芯片GaNSlim系列，納微開啟進(jìn)入48V AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和機(jī)器人市場(chǎng)。

此外，今年國(guó)內(nèi)也有一起工業(yè)機(jī)器人搭載氮化鎵技術(shù)的案例落地——新工綠氫在年初推出自主研發(fā)設(shè)計(jì)的“天工一號(hào)”自動(dòng)駕駛充電機(jī)器人。

總結(jié)

盡管目前已有不少氮化鎵相關(guān)廠商涉足機(jī)器人領(lǐng)域，但短期內(nèi)氮化鎵技術(shù)在機(jī)器人場(chǎng)景的應(yīng)用仍然面臨挑戰(zhàn)。

相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料，氮化鎵的制備成本較高，這主要是由于其制備過程需要昂貴的原材料和設(shè)備，以及較高的能耗。如何降低氮化鎵的制備成本，提高其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，是氮化鎵市場(chǎng)應(yīng)用當(dāng)前面臨的挑戰(zhàn)之一；此外，如何提高氮化鎵器件的穩(wěn)定性和壽命，確保其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性，也是當(dāng)前研究的重點(diǎn)。

隨著成本的進(jìn)一步下探以及可靠性持續(xù)提升，氮化鎵技術(shù)將向AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、機(jī)器人等要求更嚴(yán)苛的領(lǐng)域進(jìn)一步滲透。

長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，機(jī)器人特別是人形機(jī)器人的大規(guī)模應(yīng)用，將使人們的生活更加便捷和舒適，未來發(fā)展?jié)摿薮螅熬笆枪饷鞯?。隨著人形機(jī)器人市場(chǎng)規(guī)模的持續(xù)增長(zhǎng)，氮化鎵產(chǎn)業(yè)有望吃到又一波紅利。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：巴中經(jīng)開區(qū)

據(jù)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人介紹，第一批58臺(tái)設(shè)備主要是封裝前端固晶、共晶熱機(jī)設(shè)備，用于芯片生產(chǎn)的粘片工序，預(yù)計(jì)在下周還將到達(dá)第二批設(shè)備，主要是焊線、塑封、測(cè)試等設(shè)備，整線設(shè)備到達(dá)后將進(jìn)行安裝調(diào)試。

據(jù)悉，該項(xiàng)目由四川深矽微科技有限公司投資建設(shè)，計(jì)劃總投資3億元，分兩期建設(shè)，一期使用巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期標(biāo)準(zhǔn)化廠房6000平方米，主要建設(shè)車規(guī)級(jí)功率器件以及部分芯片級(jí)封裝生產(chǎn)線；二期入駐巴中低空經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園，使用廠房2萬(wàn)平方米，建設(shè)高密度封裝生產(chǎn)線、設(shè)計(jì)開發(fā)高密度模具和引線框架生產(chǎn)基地。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：Carbontech

據(jù)報(bào)道，Diamond Foundry Europe位于西班牙特魯希略的晶圓廠計(jì)劃于2025年開始生產(chǎn)單晶金剛石芯片。該晶圓廠將采用等離子體反應(yīng)器技術(shù)生產(chǎn)人造金剛石晶片。

金剛石不僅硬度驚人，還擁有卓越的導(dǎo)熱性能、極高的電子遷移率，擁有耐高壓、大射頻、低成本、耐高溫等多重優(yōu)異性能參數(shù)，以及其他優(yōu)異的物理特性。

具體來看，金剛石半導(dǎo)體具有超寬禁帶（5.45eV）、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)（10MV/cm）、高載流子飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率（2000W/m·k）等材料特性，以及優(yōu)異的器件品質(zhì)因子（Johnson、Keyes、Baliga），采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件，克服器件的“自熱效應(yīng)”和“雪崩擊穿”等技術(shù)瓶頸。

此外，金剛石擁有優(yōu)異的物理特性，在光學(xué)領(lǐng)域具有良好透光性和折射率，適用于光電器件的研發(fā)；電學(xué)方面，其絕緣性能和介電常數(shù)使其在復(fù)雜電路中發(fā)揮穩(wěn)定作用；機(jī)械性能方面，高強(qiáng)度和耐磨性確保芯片能夠承受極端工作條件。

這些特性使得金剛石在芯片制造領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力，常被用于高功率密度、高頻率電子器件的散熱。金剛石半導(dǎo)體被認(rèn)為是極具前景的新型半導(dǎo)體材料，被業(yè)界譽(yù)為“終極半導(dǎo)體材料”。

全球范圍內(nèi)，對(duì)金剛石半導(dǎo)體的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作正在如火如荼地進(jìn)行。從Element Six贏得UWBGS項(xiàng)目，到華為積極布局金剛石半導(dǎo)體技術(shù)，從Diamond Foundry在2022年收購(gòu)德國(guó)的Audiatec公司后培育出全球首個(gè)單晶金剛石晶圓，到Advent Diamond在金剛石摻磷技術(shù)上的突破，再到法國(guó)Diamfab計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)4英寸金剛石晶圓的量產(chǎn)，以及日本、美國(guó)、韓國(guó)等國(guó)家的全面發(fā)力，金剛石半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程正在持續(xù)向前推進(jìn)。

在國(guó)內(nèi)，啟晶科技、科之誠(chéng)等金剛石晶圓企業(yè)，已經(jīng)成功研制出大尺寸、高質(zhì)量的金剛石晶圓片。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：長(zhǎng)飛先進(jìn)

據(jù)介紹，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個(gè)環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目正推進(jìn)建設(shè)并對(duì)設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試，預(yù)計(jì)2025年5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。

據(jù)長(zhǎng)飛先進(jìn)官微此前消息，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過200億元，占地面積約22.94萬(wàn)㎡，建筑面積約30.15萬(wàn)㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、成品庫(kù)、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。項(xiàng)目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬(wàn)片碳化硅晶圓及外延、6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域。

據(jù)了解，近期除長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地外，還有2個(gè)碳化硅芯片/模塊項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展，分別位于江蘇東臺(tái)、福建廈門。

11月21日，相關(guān)環(huán)保網(wǎng)披露的文件顯示，士蘭微旗下廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司碳化硅功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目已驗(yàn)收。該項(xiàng)目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。項(xiàng)目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬(wàn)片/年、SBD芯片28.8萬(wàn)片/年。

12月6日，瑞福芯科技“車規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地東臺(tái)高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，公司與東臺(tái)高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《補(bǔ)充協(xié)議》。投資協(xié)議顯示，整個(gè)項(xiàng)目投資10-15億元，分兩期實(shí)施，首期投資3億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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官微資料顯示，清連科技致力于提供高性能功率器件高可靠封裝解決方案，團(tuán)隊(duì)依托納米金屬燒結(jié)材料與封裝設(shè)備研發(fā)基礎(chǔ)，開發(fā)了全系列銀/銅燒結(jié)材料與配套解決方案。其中，具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的銀燒結(jié)產(chǎn)品已通過車規(guī)級(jí)認(rèn)證并形成批量訂單，銅燒結(jié)產(chǎn)品已向國(guó)內(nèi)外眾多頭部客戶提供制樣并完成驗(yàn)證。

據(jù)悉，銀/銅燒結(jié)工藝是以碳化硅為代表的高性能功率器件芯片封裝的核心技術(shù)，技術(shù)門檻較高。此次融資完成后，清連科技將進(jìn)一步提升銀/銅燒結(jié)產(chǎn)品與設(shè)備的量產(chǎn)能力，加速客戶服務(wù)中心建設(shè)。

值得一提的是，近期還有另外一家碳化硅銀燒結(jié)技術(shù)相關(guān)廠商完成了新一輪融資。

10月22日，據(jù)中科光智官微消息，中科光智完成了A+輪融資，融資金額為數(shù)千萬(wàn)元人民幣，由重慶科技創(chuàng)新投資集團(tuán)有限公司控股（持股比例99%）子公司重慶科創(chuàng)長(zhǎng)嘉私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）投資。

2024年上半年，中科光智研發(fā)出高精度全自動(dòng)貼片機(jī)、納米銀壓力燒結(jié)機(jī)兩款碳化硅芯片封裝工藝設(shè)備，均已進(jìn)入市場(chǎng)驗(yàn)證階段。銀燒結(jié)技術(shù)用于電力電子功率模塊、碳化硅器件封裝等，能夠顯著提高這些器件的可靠性、效率和壽命。

值得關(guān)注的是，清連科技本輪融資新增股東之一的哈勃科技（哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司）為華為投資控股有限公司全資子公司，投資領(lǐng)域?yàn)榈谌雽?dǎo)體（碳化硅）、EDA工具、芯片設(shè)計(jì)、激光設(shè)備、半導(dǎo)體核心材料等多個(gè)領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：晶盛機(jī)電

據(jù)介紹，晶盛機(jī)電圍繞硅、藍(lán)寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體襯底材料開發(fā)了一系列關(guān)鍵設(shè)備并延伸至化合物襯底材料領(lǐng)域，賦能全球半導(dǎo)體及光伏等產(chǎn)業(yè)。此前，晶盛機(jī)電已于2016年成立晶盛機(jī)電日本株式會(huì)社，開啟半導(dǎo)體裝備國(guó)際化研發(fā)之路，并與普萊美特日本株式會(huì)社共同設(shè)立了合資公司，逐步在全球構(gòu)建起研發(fā)和供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)。

據(jù)悉，晶盛機(jī)電正在持續(xù)拓展海外市場(chǎng)。10月23日晚間，晶盛機(jī)電公布了2024年第三季度報(bào)告。晶盛機(jī)電表示，報(bào)告期內(nèi)，其碳化硅材料實(shí)現(xiàn)8英寸產(chǎn)能的快速爬坡，并拓展了海外客戶。

今年以來，除晶盛機(jī)電外，國(guó)內(nèi)碳化硅相關(guān)廠商加速出海步伐，并各自取得了一定的進(jìn)展。

3月22日，據(jù)高測(cè)股份官微消息，其8英寸半導(dǎo)體金剛線切片機(jī)再簽新訂單，設(shè)備交付后將發(fā)往歐洲某半導(dǎo)體企業(yè)，這是高測(cè)股份半導(dǎo)體設(shè)備收獲的首個(gè)海外客戶。

而在4月，世紀(jì)金芯與日本某客戶簽訂碳化硅襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸碳化硅襯底共13萬(wàn)片，訂單價(jià)值約2億美元（約14.57億人民幣）。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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在此背景下，國(guó)內(nèi)外功率器件大廠圍繞碳化硅芯片開始了新一輪角逐，市場(chǎng)上不時(shí)傳出各類利好消息。近日，美國(guó)商務(wù)部表示，已與德國(guó)汽車零部件供應(yīng)商博世（Bosch）達(dá)成初步協(xié)議，將為博世在加州的碳化硅功率半導(dǎo)體工廠興建計(jì)劃，提供多達(dá)2.25億美元（約16.38億人民幣）的補(bǔ)貼。

據(jù)悉，美國(guó)商務(wù)部將以這筆補(bǔ)貼支持博世將在加州羅斯維爾市（Roseville）投資19億美元（約138.33億人民幣），把制造設(shè)施轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體工廠的計(jì)劃。博世預(yù)期，這座半導(dǎo)體工廠2026年起將以200毫米（8英寸）晶圓生產(chǎn)芯片。美國(guó)商務(wù)部稱，博世這座工廠產(chǎn)能全開時(shí)，在全美碳化硅芯片制造產(chǎn)能中的占比將超過40%。

博世持續(xù)蓄力碳化硅

隨著碳化硅在汽車電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)逐步顯現(xiàn)，作為全球第一大汽車零部件及系統(tǒng)供應(yīng)商，博世早在2019年就開始探索碳化硅車用業(yè)務(wù)。

2021年底，博世開始在德國(guó)羅伊特林根工廠大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅芯片，以應(yīng)用于電動(dòng)和混動(dòng)汽車的電力電子器件中。目前，博世針對(duì)該工廠的規(guī)劃已經(jīng)過多次修改，投資金額和產(chǎn)能不能提升。

近年來，博世在全球范圍內(nèi)持續(xù)加碼碳化硅布局，尤其是中國(guó)和美國(guó)兩個(gè)大市場(chǎng)。

隨著中國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的火熱發(fā)展，博世在2023年1月12日與蘇州工業(yè)園區(qū)管理委員會(huì)簽署投資協(xié)議，并宣布在蘇州投資建立博世新能源汽車核心部件及自動(dòng)駕駛研發(fā)制造基地。

據(jù)悉，博世計(jì)劃在未來幾年內(nèi)累計(jì)向該項(xiàng)目投資約70億人民幣。項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)方向則將圍繞新能源汽車核心部件，包括商用車電動(dòng)化所需的配備了新一代碳化硅功率模塊單元的電驅(qū)產(chǎn)品。

隨后在2023年8月，博世表示，其已經(jīng)收購(gòu)了加州芯片制造商TSI Semiconductors，將在美國(guó)建立碳化硅芯片制造基地。隨著博世在美國(guó)獲得補(bǔ)貼，并開始碳化硅芯片工廠建設(shè)計(jì)劃，該公司碳化硅芯片產(chǎn)能有望進(jìn)一步提升。

值得關(guān)注的是，博世位于加州羅斯維爾市的碳化硅工廠將生產(chǎn)8英寸碳化硅芯片，將推動(dòng)博世成為碳化硅功率器件領(lǐng)域又一家轉(zhuǎn)型8英寸的廠商。

8英寸碳化硅芯片投產(chǎn)潮來襲

TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，碳化硅從6英寸升級(jí)到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但可以提升芯片產(chǎn)量，8英寸能夠生產(chǎn)的芯片數(shù)量約為6英寸碳化硅晶圓的1.8倍，向8英寸轉(zhuǎn)型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同時(shí)，8英寸襯底厚度增加有助于在加工時(shí)保持幾何形狀，減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。

由于8英寸有利于降低碳化硅器件成本，在碳化硅產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的情況下，包括意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等國(guó)際功率器件大廠以及士蘭微、方正微電子等國(guó)內(nèi)廠商都在致力于通過8英寸轉(zhuǎn)型降本增效，提升競(jìng)爭(zhēng)力。

國(guó)際廠商方面，作為全球碳化硅襯底龍頭，Wolfspeed是目前少有的已量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的廠商。今年6月Wolfspeed曾表示，其位于美國(guó)紐約的莫霍克谷8英寸碳化硅晶圓工廠的利用率達(dá)到了20%。

意法半導(dǎo)體則計(jì)劃在2025年將碳化硅產(chǎn)品全面升級(jí)為8英寸。為達(dá)成這一目標(biāo)，意法半導(dǎo)體與三安光電合資在重慶建設(shè)8英寸碳化硅器件廠，目前8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在安裝調(diào)試中，預(yù)計(jì)2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)。

英飛凌則在今年8月宣布其位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)2025年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

安森美位于韓國(guó)富川的碳化硅晶圓廠已于2023年完成擴(kuò)建，計(jì)劃于2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后過渡到8英寸生產(chǎn)，屆時(shí)產(chǎn)能將擴(kuò)大到當(dāng)前規(guī)模的10倍。

羅姆在日本福岡縣筑后工廠的碳化硅新廠房已于2022年開始量產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)將切換為8英寸晶圓產(chǎn)線。按照羅姆的規(guī)劃，其預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓。

為順應(yīng)8英寸轉(zhuǎn)型趨勢(shì)，三菱電機(jī)位于熊本縣正在建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠將提前開始運(yùn)營(yíng)。該工廠的運(yùn)作日期將從2026年4月變更為2025年11月。

國(guó)內(nèi)企業(yè)中，士蘭微8英寸碳化硅功率器件項(xiàng)目已進(jìn)入土方工程收尾階段，一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)；芯聯(lián)集成擁有一條8英寸碳化硅晶圓試驗(yàn)線，其8英寸碳化硅晶圓工程批已于今年4月20日下線，計(jì)劃今年四季度正式開始向客戶送樣，2025年進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)；方正微電子當(dāng)前有兩個(gè)Fab，其中，F(xiàn)ab2的8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于2024年底通線。

從上述各大廠商的8英寸發(fā)展規(guī)劃可以看出，2025年有望成為8英寸碳化硅器件密集投產(chǎn)期，進(jìn)而推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈全面進(jìn)入8英寸時(shí)代。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

此前，鐳赫技術(shù)曾在2023年12月完成千萬(wàn)級(jí)人民幣天使輪融資，由東方富海獨(dú)家投資。本輪融資資金主要用于購(gòu)買設(shè)備零部件、建設(shè)廠房以及擴(kuò)充團(tuán)隊(duì)。

公開資料顯示，鐳赫技術(shù)由王巖松博士和Philippe GASTALDO博士于2022年創(chuàng)立，是一家結(jié)合了歐洲技術(shù)基礎(chǔ)與國(guó)內(nèi)本地化團(tuán)隊(duì)而成的新興半導(dǎo)體前道檢測(cè)量測(cè)設(shè)備供應(yīng)商。

目前，鐳赫技術(shù)已完成檢測(cè)系列所有設(shè)備的內(nèi)部開發(fā)，覆蓋12英寸硅片、碳化硅（SiC）及先進(jìn)封裝等方面，共推出七款檢測(cè)設(shè)備，涵蓋檢測(cè)系列各品類，覆蓋多種尺寸和材料。

在量測(cè)設(shè)備方面，鐳赫技術(shù)計(jì)劃在2025年一季度開始進(jìn)行測(cè)試，預(yù)計(jì)明年上半年完成全部檢測(cè)量測(cè)設(shè)備的首測(cè)，各類設(shè)備驗(yàn)證時(shí)間到2025年年終，此后實(shí)現(xiàn)各類設(shè)備批量生產(chǎn)。

近期，除鐳赫技術(shù)外，國(guó)內(nèi)還有多家碳化硅檢測(cè)量測(cè)設(shè)備相關(guān)廠商完成了新一輪融資，顯示了設(shè)備賽道的火熱發(fā)展，其中包括國(guó)科測(cè)試、忱芯科技等。

10月29日，據(jù)天眼查披露消息，第三代半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備企業(yè)蘇州國(guó)科測(cè)試科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：國(guó)科測(cè)試）近日完成數(shù)千萬(wàn)元人民幣A輪融資，由鑫霓資產(chǎn)獨(dú)家投資，本輪融資資金將會(huì)用于批量產(chǎn)業(yè)化、人才建設(shè)、晶圓AOI研發(fā)和市場(chǎng)開拓。

國(guó)科測(cè)試在蘇州總部有6000多平米的生產(chǎn)基地，專注于第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域電學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)及機(jī)器視覺設(shè)備的智能制造。

12月3日，據(jù)忱芯科技官微消息，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體測(cè)試裝備提供商忱芯科技近期已完成B輪融資，金額為2億元，本輪融資由國(guó)投創(chuàng)業(yè)領(lǐng)投，陽(yáng)光融匯和老股東火山石投資跟投。本輪融資資金將主要用于公司前瞻產(chǎn)品研發(fā)、新產(chǎn)品量產(chǎn)及全球化業(yè)務(wù)布局。

目前，忱芯科技的碳化硅功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品線涵蓋了碳化硅基功率半導(dǎo)體器件的測(cè)試環(huán)節(jié)，覆蓋功率半導(dǎo)體晶圓級(jí)測(cè)試、芯片級(jí)測(cè)試、單管/模塊級(jí)測(cè)試和系統(tǒng)級(jí)測(cè)試。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：投資順義

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資6.3億元，占地60畝，總建筑面積6.47萬(wàn)平方米，2023年8月開工建設(shè)，主要建設(shè)內(nèi)容包含2棟生產(chǎn)廠房、2棟綜合配套建筑、6棟?；穾?kù)房、1棟動(dòng)力中心以及地下車庫(kù)等11棟單體建筑。

該項(xiàng)目主要聚焦于第三代半導(dǎo)體企業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、制造及應(yīng)用等多個(gè)環(huán)節(jié)，致力于實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全鏈條的覆蓋，包括設(shè)計(jì)、晶圓加工、襯底和外延制備以及設(shè)備和材料的研發(fā)。

近年來，北京順義區(qū)加速發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2023年2月，北京順義區(qū)印發(fā)《順義區(qū)進(jìn)一步促進(jìn)第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（以下簡(jiǎn)稱：措施），加快打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。措施適用于從事第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域襯底、外延、芯片設(shè)計(jì)/制造環(huán)節(jié)，封裝測(cè)試以及關(guān)鍵裝備和芯片直接應(yīng)用的企業(yè)、事業(yè)單位、社會(huì)團(tuán)體、民辦非企業(yè)等機(jī)構(gòu)。

在項(xiàng)目建設(shè)方面，順義區(qū)規(guī)劃建設(shè)總面積約20萬(wàn)平方米的三代半標(biāo)廠，第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（一期）7.4萬(wàn)平方米科創(chuàng)芯園壹號(hào)已投入使用，聚集了瑞能、特思迪、漠石科技、金冠電氣、清能智聯(lián)等三代半企業(yè)入駐。

截至目前，順義區(qū)初步形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測(cè)及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局，集聚了國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾、泰科天潤(rùn)、瑞能半導(dǎo)體、特思迪等重點(diǎn)企業(yè)20余家。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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