環(huán)球晶圓表示，補(bǔ)助將用于支持公司位于德州謝爾曼市（Texas）及密蘇里州圣彼得斯市（ Missouri）的先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓廠40億美元投資計(jì)劃。美國(guó)商務(wù)部將根據(jù)GWA和MEMC完成各項(xiàng)專(zhuān)案里程碑的情況，于數(shù)年內(nèi)分次發(fā)放該項(xiàng)補(bǔ)助。

此外，作為獎(jiǎng)勵(lì)條款的一部分，環(huán)球晶圓已同意將其位于德州謝爾曼市的部分現(xiàn)有硅外延晶圓產(chǎn)線改為碳化硅外延晶圓產(chǎn)線，制造6英寸（150mm）或8英寸（200mm）碳化硅外延。

source：環(huán)球晶圓

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域布局方面，環(huán)球晶圓旗下業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅和氮化鎵。碳化硅方面，環(huán)球晶圓在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)碳化硅襯底，在美國(guó)德州生產(chǎn)6英寸和8英寸碳化硅外延。

據(jù)悉，其碳化硅產(chǎn)品已通過(guò)一線大廠認(rèn)證。針對(duì)碳化硅襯底，公司的制造產(chǎn)能主要在中國(guó)臺(tái)灣。

環(huán)球晶圓此前表示，待該地滿(mǎn)載后，出于對(duì)美國(guó)德州電費(fèi)和土地成本的考量，公司不排除在德州進(jìn)行長(zhǎng)晶業(yè)務(wù)。氮化鎵方面，環(huán)球晶母公司中美晶在2021年投資的氮化鎵廠商Transphorm已被日本瑞薩收購(gòu)，環(huán)球晶圓目前與其保持合作關(guān)系。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：X-fab

X-fab介紹，XbloX整合了經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的SiC工藝開(kāi)發(fā)模塊和平面MOSFET生產(chǎn)的模塊，簡(jiǎn)化了入門(mén)流程，并顯著降低了設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間。

通過(guò)將經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的工藝模塊與強(qiáng)大的設(shè)計(jì)規(guī)則、控制計(jì)劃和失效模式及影響分析（FMEA）相結(jié)合，XbloX實(shí)現(xiàn)了更快的原型制作、更簡(jiǎn)便的設(shè)計(jì)評(píng)估和更短的市場(chǎng)上市時(shí)間。該平臺(tái)為客戶(hù)提供了競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，允許設(shè)計(jì)師創(chuàng)建多樣化的產(chǎn)品組合，同時(shí)比傳統(tǒng)開(kāi)發(fā)方法提前多達(dá)九個(gè)月實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。

新一代平臺(tái)在保持穩(wěn)健的工藝控制以及漏電和擊穿性能的同時(shí)，減小了活動(dòng)區(qū)域設(shè)計(jì)單元尺寸。XSICM03平臺(tái)憑借穩(wěn)健的設(shè)計(jì)規(guī)則，允許客戶(hù)創(chuàng)建單元間距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。

這一改進(jìn)使得每片晶圓的芯片數(shù)量比上一代增多30%。利用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的工藝模塊，平臺(tái)確保了柵氧可靠性和器件穩(wěn)健性。豐富的PCM庫(kù)和增強(qiáng)的設(shè)計(jì)支持使得客戶(hù)能夠快速流片，從而加速產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。

X-fab Texas的首席執(zhí)行官Rico Tillner評(píng)論道：“通過(guò)其簡(jiǎn)化的方法，我們的下一代工藝平臺(tái)滿(mǎn)足了汽車(chē)、工業(yè)和能源應(yīng)用中對(duì)高性能SiC器件日益增長(zhǎng)的需求。公司通過(guò)加速原型制作和設(shè)計(jì)評(píng)估，使現(xiàn)有和新客戶(hù)能夠創(chuàng)建應(yīng)用優(yōu)化的產(chǎn)品組合，顯著縮短上市時(shí)間。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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2024年12月18日至12月23日招股，預(yù)期定價(jià)日為12月24日，預(yù)期股份將于12月30日開(kāi)始在聯(lián)交所買(mǎi)賣(mài)。

source：英諾賽科

文件顯示，英諾賽科已與基石投資者意法半導(dǎo)體（“ST”）、江蘇國(guó)有企業(yè)混合所有制改革基金(有限合伙)（“江蘇國(guó)企混改基金”）、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項(xiàng)母基金(有限合伙)（蘇州高端裝備）及蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司（“東方創(chuàng)聯(lián)”）訂立基石投資協(xié)議。

基石投資者已同意在若干條件規(guī)限下，按發(fā)售價(jià)認(rèn)購(gòu)或促使其指定實(shí)體認(rèn)購(gòu)（視情況而定）有關(guān)數(shù)目的發(fā)售股份，購(gòu)入總金額為1億美元（折合人民幣約7.28億元）。

目前，公司主要股東有深圳市招銀成長(zhǎng)拾柒號(hào)股權(quán)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)、Inno Holding、SK China、蘇州市吳江產(chǎn)業(yè)投資有限公司、深圳華業(yè)天成投資有限公司、駱薇薇、JAY HYUNG SON。

據(jù)悉，英諾賽科此次募集資金主要用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)能、產(chǎn)品組合以及研發(fā)等，具體如下：

一、約60%用來(lái)擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能（從截至2024年6月30日的每月12,500片晶圓增加至未來(lái)五年的每月70,000片晶圓）、購(gòu)買(mǎi)及升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員。

二、約20.0%將用于研發(fā)及擴(kuò)大公司的產(chǎn)品組合，以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場(chǎng)（如消費(fèi)電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車(chē)電子及數(shù)據(jù)中心）的滲透率。英諾賽科計(jì)劃推出新產(chǎn)品，包括低電壓及高電壓氮化鎵晶圓、分立器件及集成電路。

三、約10%將用于擴(kuò)大英諾賽科氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)。四、約10.0%將用于公司運(yùn)營(yíng)資金及其他一般企業(yè)用途。集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理

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據(jù)介紹，芯辰半導(dǎo)體目前已實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)范圍760nm~1700nm外延片的量產(chǎn)，外延均勻性為激射中心波長(zhǎng)外2nm之內(nèi)。其中典型波長(zhǎng)的激光芯片外延片，如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已在自主產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)VCSEL或DFB芯片驗(yàn)證。

source：芯辰半導(dǎo)體

此外，相關(guān)外延片已獲客戶(hù)長(zhǎng)期合作訂單，其中砷化鎵外延片最大可支持6英寸晶圓、磷化銦外延片最大可支持4英寸晶圓，同時(shí)配套有相關(guān)晶圓質(zhì)量檢測(cè)設(shè)備。公開(kāi)資料顯示，芯辰半導(dǎo)體專(zhuān)注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片。

其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達(dá)、生物醫(yī)學(xué)和先進(jìn)裝備等多個(gè)領(lǐng)域。公司采用IDM模式，致力于在太倉(cāng)打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地。

今年9月初，芯辰半導(dǎo)體旗下砷化鎵、磷化銦高端光電子芯片IDM生產(chǎn)線完成試運(yùn)行。該產(chǎn)線包含了從芯片設(shè)計(jì)、材料外延、光刻、刻蝕、鍍膜等芯片工藝到封裝測(cè)試的完整工藝研發(fā)平臺(tái)和產(chǎn)品生產(chǎn)線。同月，公司光芯片封測(cè)平臺(tái)建設(shè)完成并對(duì)外開(kāi)放。

10月底，總投資達(dá)8億元的芯辰半導(dǎo)體項(xiàng)目一期在江蘇太倉(cāng)實(shí)現(xiàn)了投產(chǎn)，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)8000萬(wàn)顆光芯片、產(chǎn)值10億元。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，于2023年12月開(kāi)工建設(shè)。據(jù)稱(chēng)項(xiàng)目將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。

據(jù)“睿悅投資”消息，截至日前，福建晶旭半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)能75萬(wàn)片氧化鎵外延生產(chǎn)基地，主體結(jié)構(gòu)已全部封頂，預(yù)計(jì)明年可以達(dá)到初步生產(chǎn)使用狀態(tài)。

公開(kāi)資料顯示，晶旭半導(dǎo)體是一家專(zhuān)注于5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條技術(shù)、以IDM模式運(yùn)行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資約2.3億元，采用租賃芯屏高科技產(chǎn)業(yè)園廠房形式，用于建設(shè)IGBT及碳化硅（SiC）產(chǎn)線核心設(shè)備項(xiàng)目，生產(chǎn)智能測(cè)試分選機(jī)設(shè)備、甲酸真空焊接爐、SiC芯片測(cè)試分選機(jī)及晶圓老化測(cè)試設(shè)備等，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值約2.8億元。

項(xiàng)目于今年7月正式簽約，10月企業(yè)順利投產(chǎn)，11月產(chǎn)品交付客戶(hù)端，截至目前訂單已超5000萬(wàn)元。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，近期，第三代半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)投產(chǎn)、出貨等消息不斷。除賽美泰克之外，近兩月還有多個(gè)設(shè)備企業(yè)項(xiàng)目有新進(jìn)展。

·晶馳機(jī)電

11月2日，晶馳機(jī)電在河北石家莊投建半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目投產(chǎn)。該項(xiàng)目總投資2億元，占地約50.26畝，總建筑面積約20000平方米，項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期建設(shè)計(jì)劃時(shí)間為2025年—2026年。項(xiàng)目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心，專(zhuān)注于第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)。

11月26日，晶馳機(jī)電在浙江嘉興投建的半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目也實(shí)現(xiàn)了投產(chǎn)。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值1.4億元。

·廣州粵升

11月18日，廣州粵升實(shí)現(xiàn)碳化硅（SiC）外延設(shè)備的大批量出貨。

·中導(dǎo)光電

11月20日，中導(dǎo)光電宣布獲得國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體頭部客戶(hù)的8英寸碳化硅（SiC）晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備訂單。

·芯谷半導(dǎo)體

11月20日，芯谷半導(dǎo)體研發(fā)智造項(xiàng)目?jī)纱毖邪l(fā)樓主體結(jié)構(gòu)正式封頂，預(yù)計(jì)明年12月底即可交付使用。

該項(xiàng)目占地面積110.9畝，建筑面積約30萬(wàn)平方米，計(jì)劃總投資16.8億元，規(guī)劃建造2幢研發(fā)辦公樓、4幢高標(biāo)準(zhǔn)廠房。項(xiàng)目建成后將用于第三代半導(dǎo)體及集成電路專(zhuān)用設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)。

·弗昂元

11月28日，上海弗昂元科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“弗昂元”）投建的SiC模塊封裝設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目簽約江蘇姜堰。項(xiàng)目總投資1.15億元，租用廠房約9200㎡ ，主要從事SiC模塊封裝設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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漆間啟表示，日本相關(guān)公司管理層廣泛支持彼此合作，但在行政階層卻進(jìn)展不多。面對(duì)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者、德國(guó)的英飛凌科技（Infineon Technologies），日本相關(guān)企業(yè)與之差距逐步拉開(kāi)，壓力增大。

漆間啟在彭博的訪談中強(qiáng)調(diào)，日本國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)者太多，而功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要不斷創(chuàng)新技術(shù)，在現(xiàn)在還有機(jī)會(huì)贏得市占時(shí)，企業(yè)合作是有依據(jù)的，“我們不應(yīng)該一直彼此爭(zhēng)斗，我們需要團(tuán)結(jié)”。

目前，全球的工業(yè)技術(shù)公司競(jìng)相研發(fā)出更小、更輕、效能更佳的半導(dǎo)體，供應(yīng)給電動(dòng)汽車(chē)或是其他需要高電壓的電子設(shè)備。

日本是個(gè)汽車(chē)生產(chǎn)大國(guó)，但在電動(dòng)汽車(chē)推廣方面卻還在掙扎。日本政府現(xiàn)在提供2000億日?qǐng)A補(bǔ)貼，助力公司規(guī)劃、研發(fā)新一代使用碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體。該投資計(jì)劃，帶動(dòng)了一些日本半導(dǎo)體大廠之間合作。

漆間啟認(rèn)為，日商的結(jié)盟不僅是在產(chǎn)能方面，也要在研發(fā)和銷(xiāo)售上合作，才能取得一定優(yōu)勢(shì)。

集邦化合物半導(dǎo)體了解到，在碳化硅領(lǐng)域，已有日本大企開(kāi)展合作。

·日本電裝與富士電機(jī)

2024年11月29日，日本電裝與富士電機(jī)共同投資的碳化硅（SiC）半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得補(bǔ)貼，該項(xiàng)目投資額達(dá)2116億日元（折合人民幣約102億元），補(bǔ)助金額最高達(dá)705億日元（折合人民幣約34億元）。

據(jù)悉，在該合作項(xiàng)目中，電裝將負(fù)責(zé)生產(chǎn)SiC襯底，而富士電機(jī)將負(fù)責(zé)制造SiC功率器件，并將擴(kuò)建所需設(shè)施。項(xiàng)目預(yù)計(jì)產(chǎn)能為每年31萬(wàn)片/年，并計(jì)劃從2027年5月開(kāi)始供貨。

·羅姆與東芝

5月，羅姆宣布將與東芝就半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面進(jìn)行業(yè)務(wù)談判，預(yù)計(jì)談判將持續(xù)一年左右。兩家公司旨在加強(qiáng)旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)全方面合作，涵蓋技術(shù)開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、采購(gòu)和物流等領(lǐng)域。

同月，羅姆和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體器件，這一計(jì)劃還得到了日本政府的支持。

合作項(xiàng)目總投資為3883億日元（折合人民幣約180億元），其中政府將支持1294億日元（折合人民幣約60億元），占比高達(dá)三分之一。羅姆旗下位于宮崎縣的工廠將負(fù)責(zé)生產(chǎn)SiC功率器件和SiC晶圓，而東芝旗下位于石川縣的工廠將以生產(chǎn)Si芯片為主。

·日裝與三菱電機(jī)

2023年10月，Coherent宣布成立一家子公司獨(dú)立運(yùn)營(yíng)SiC業(yè)務(wù)，該子公司已獲得日裝和三菱電機(jī)共計(jì)10億美元的投資（分別投資5億美元）。此外，三方還簽訂了長(zhǎng)期供貨協(xié)議，Coherent將為這兩家日本公司供應(yīng)6/8英寸SiC襯底和外延片。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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從技術(shù)趨勢(shì)分析，第三季SiC（碳化硅）逆變器滲透率較前一季微增1%，但較去年同期下降2%。值得關(guān)注的是，中國(guó)市場(chǎng)貢獻(xiàn)全球約65%的SiC逆變器裝機(jī)量，盡管其核心零件的功率模塊仍由國(guó)際半導(dǎo)體廠商主導(dǎo)，但“國(guó)產(chǎn)替代”策略正在推動(dòng)本土廠商實(shí)現(xiàn)突破，未來(lái)可能挑戰(zhàn)國(guó)際企業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

在一級(jí)供應(yīng)商的競(jìng)爭(zhēng)格局上，比亞迪受益于旗下車(chē)型熱銷(xiāo)，第三季牽引逆變器裝機(jī)市占率季增1%，達(dá)18%，首度超越日廠Denso，成為市占率最高的公司。匯川技術(shù)的市占率亦提升至6%，顯示出中國(guó)廠商在該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力持續(xù)增強(qiáng)?？傮w而言，中國(guó)廠商、日本廠商和Tesla合計(jì)占據(jù)全球裝機(jī)量的一半，而歐美廠商影響力則逐漸減弱。

TrendForce集邦咨詢(xún)表示，牽引逆變器區(qū)域的分化日益明顯，中國(guó)市場(chǎng)裝機(jī)量占全球總量的61%，歐洲則在市場(chǎng)萎縮的壓力下積極改革，削減支出以提升電動(dòng)車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈的競(jìng)爭(zhēng)力。短期內(nèi)，中國(guó)市場(chǎng)的穩(wěn)定需求將繼續(xù)支撐牽引逆變器市場(chǎng)的增長(zhǎng)。長(zhǎng)期來(lái)看，歐洲汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈若能成功實(shí)施改革，將有助于提振全球牽引逆變器與電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的整體表現(xiàn)。來(lái)源：TrendForce集邦咨詢(xún)

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該項(xiàng)目將通過(guò)增加先進(jìn)的晶圓制造設(shè)備，擴(kuò)建全球首個(gè)6英寸（150mm）InP生產(chǎn)線，以擴(kuò)大InP器件的規(guī)?；a(chǎn)。

6英寸InP晶圓（ source：Coherent）

據(jù)悉，今年3月，Coherent宣布已建立全球首個(gè)6英寸InP晶圓生產(chǎn)能力。公司分別在其德克薩斯州謝爾曼和瑞典J?rf?lla的晶圓廠建設(shè)了6英寸InP產(chǎn)能，未來(lái)將實(shí)現(xiàn)60%以上的成本降幅，賦能光通訊、數(shù)據(jù)通信收發(fā)器、AI智能互聯(lián)、消費(fèi)電子及可穿戴設(shè)備用先進(jìn)傳感、醫(yī)療與汽車(chē)、甚至往后的6G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用場(chǎng)景。

Coherent預(yù)期在未來(lái)幾年，InP大部分生產(chǎn)將從3英寸向6英寸過(guò)渡，以充分利用大尺寸晶圓、更高產(chǎn)量及更優(yōu)性能等的優(yōu)勢(shì)，鞏固其在通信和傳感領(lǐng)域的可持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)力。
除了InP，Coherent今年在碳化硅（SiC）與砷化鎵（GaAs）領(lǐng)域都有不同程度進(jìn)展。

·碳化硅領(lǐng)域

2024年4月，Coherent基于CHIPS法案獲得1500萬(wàn)美元的資金，用于加速下一代寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體（分別為碳化硅和單晶金剛石）的商業(yè)化。

9月26日，Coherent宣布推出其8英寸碳化硅外延片，其350微米和500微米厚度的襯底和外延晶圓目前正在出貨中。

·砷化鎵領(lǐng)域

9月27日，為簡(jiǎn)化運(yùn)營(yíng)，Coherent將其位于英國(guó)北部達(dá)勒姆郡牛頓艾克利夫（Newton Aycliffe,County Durham）的晶圓廠出售給了英國(guó)政府，售價(jià)為2000萬(wàn)英鎊。

Newton Aycliffe晶圓廠主要面向通信和航空航天與國(guó)防領(lǐng)域制造III-V族化合物半導(dǎo)體射頻微電子和光電子器件，生產(chǎn)用于戰(zhàn)斗機(jī)等軍事技術(shù)的砷化鎵半導(dǎo)體。

Coherent首席執(zhí)行官Jim Anderson表示：“剝離Newton Aycliffe工廠是公司優(yōu)化投資組合和簡(jiǎn)化運(yùn)營(yíng)努力的一部分，這使我們能夠?qū)⑼顿Y和資本集中在公司最長(zhǎng)期增長(zhǎng)和盈利能力的領(lǐng)域。”（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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中國(guó)工程院范滇元院士、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所趙德剛研究員、林學(xué)春研究員、華中科技大學(xué)唐霞輝教授、蘇州大學(xué)王永光教授、廣東省激光行業(yè)協(xié)會(huì)邵火秘書(shū)長(zhǎng)、中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院王禮研究員等評(píng)審專(zhuān)家共同出席此次會(huì)議，項(xiàng)目承擔(dān)單位相關(guān)負(fù)責(zé)人及技術(shù)骨干30余人參會(huì)。啟動(dòng)會(huì)由項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、先導(dǎo)激光牛奔博士主持。

會(huì)前，光智科技總經(jīng)理劉留先生代表會(huì)議承辦單位致辭。他表示，先導(dǎo)科技集團(tuán)是一家起源于稀散金屬材料，全球領(lǐng)先的泛半導(dǎo)體高端材料、器件、模組、系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、回收的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

先導(dǎo)激光依托集團(tuán)的垂直一體化發(fā)展戰(zhàn)略和資源優(yōu)勢(shì)，專(zhuān)注于高性能激光光源及解決方案，在半導(dǎo)體激光器、光纖激光器、固體激光器、氣體激光器以及智能激光裝備領(lǐng)域快速發(fā)展，建立了材料、器件、模組、系統(tǒng)和整機(jī)五大平臺(tái)能力。

瑯琊區(qū)人民政府副區(qū)長(zhǎng)柴棟棟先生發(fā)表致辭，分享了瑯琊區(qū)大力實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，遵循“追光逐器”的產(chǎn)業(yè)發(fā)展思路。

同時(shí)，他對(duì)項(xiàng)目推進(jìn)提出了三點(diǎn)指導(dǎo)意見(jiàn)：一是聚焦技術(shù)攻關(guān)，釋放創(chuàng)新動(dòng)能；二是聚焦成果轉(zhuǎn)化，助力產(chǎn)業(yè)發(fā)展；三是聚焦協(xié)同聯(lián)動(dòng)，形成工作合力。他預(yù)祝項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)取得圓滿(mǎn)成功，希望項(xiàng)目高效推進(jìn)，快速轉(zhuǎn)化，加速區(qū)域科技創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展的有機(jī)融合。

隨后，項(xiàng)目總負(fù)責(zé)人牛奔博士向與會(huì)專(zhuān)家簡(jiǎn)要匯報(bào)了項(xiàng)目的研究背景、總體目標(biāo)和考核指標(biāo)，重點(diǎn)匯報(bào)了項(xiàng)目年度指標(biāo)規(guī)劃及完成情況、重要進(jìn)展及成果、項(xiàng)目組織實(shí)施管理機(jī)制等內(nèi)容。四個(gè)課題負(fù)責(zé)人分別圍繞各課題具體研究任務(wù)及目標(biāo)，詳細(xì)匯報(bào)了本年度取得的進(jìn)展情況。

與會(huì)專(zhuān)家在聽(tīng)取各課題匯報(bào)后，對(duì)項(xiàng)目實(shí)施過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)及項(xiàng)目管理方面進(jìn)行了充分質(zhì)詢(xún)和討論。

專(zhuān)家組組長(zhǎng)范滇元院士表示，項(xiàng)目瞄準(zhǔn)氮化鎵藍(lán)光激光產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需求，開(kāi)展全鏈條高功率氮化鎵藍(lán)光加工系統(tǒng)裝備的國(guó)產(chǎn)化開(kāi)發(fā)及應(yīng)用研究，實(shí)現(xiàn)氮化鎵藍(lán)光激光襯底、外延芯片、封裝模組、加工裝備及制造工藝的核心技術(shù)自主可控。

項(xiàng)目是推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代的重要舉措，對(duì)安徽省乃至全國(guó)激光器產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展具有重要意義。最后，先導(dǎo)電科總經(jīng)理朱劉先生代表集團(tuán)朱世會(huì)董事長(zhǎng)對(duì)項(xiàng)目的成功啟動(dòng)表達(dá)了高度的肯定和熱烈的祝賀。

他強(qiáng)調(diào)，項(xiàng)目的成功啟動(dòng)是先導(dǎo)科技集團(tuán)從全球化視角出發(fā)，積極引進(jìn)高端人才和技術(shù)，致力于趕超國(guó)際先進(jìn)水平的重要體現(xiàn)。他對(duì)各位專(zhuān)家的蒞臨指導(dǎo)表示衷心的感謝，并期待項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)更加深入?yún)f(xié)同攻關(guān)，為推動(dòng)國(guó)內(nèi)氮化鎵藍(lán)光技術(shù)進(jìn)步和自主可控做出重要貢獻(xiàn)。（來(lái)源：先導(dǎo)科技）

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