天岳先進(jìn)介紹，公司董事長宗艷民先生率團(tuán)于2024年8月30日訪問了海信集團(tuán)，公司家電集團(tuán)研發(fā)技術(shù)負(fù)責(zé)人與海信空調(diào)事業(yè)部負(fù)責(zé)人等就SiC（碳化硅）半導(dǎo)體材料和器件的技術(shù)進(jìn)展方向，以及SiC功率器件在白色家電上的應(yīng)用展開了廣泛深度的交流。

來源：天岳先進(jìn)

近幾年來，在全球推行節(jié)能減碳的趨勢下，各國相繼頒布更高的能效規(guī)范，各行各業(yè)在發(fā)展過程中對提高能效的重視程度不斷提升。

以家電領(lǐng)域的空調(diào)為例，家用空調(diào)新能效標(biāo)準(zhǔn)在2020年實施，因此提高產(chǎn)品能效成為空調(diào)產(chǎn)品升級的重要方向，而SiC器件因其耐高溫、耐高壓、高功率、高頻率等優(yōu)異的性能和突出的“節(jié)能”效果受到空調(diào)等白色家電領(lǐng)域的廣泛關(guān)注，已成為白色家電領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新重點方向之一，應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換、逆變器等多種場景。

具體來看，SiC可通過提高效率，減少空調(diào)散熱器的尺寸和熱管理成本；同時，通過更高的開關(guān)頻率，降低磁性元件的成本和尺寸，實現(xiàn)更高的功率密度；此外，SiC低電磁干擾的特性可減少電磁干擾濾波器和相關(guān)研發(fā)的成本。結(jié)合這些優(yōu)勢，SiC可幫助客戶提升系統(tǒng)性能、降低系統(tǒng)成本。

英飛凌、Wolfspeed、三菱電機(jī)、羅姆等SiC產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)廠商一直以來也在積極開拓白色家電市場。其中，Wolfspeed在2022年便公開介紹過其在空調(diào)等家電市場的布局和進(jìn)展。據(jù)當(dāng)時介紹，其SiC二極管已用于家用和商用空調(diào)行業(yè)，系統(tǒng)優(yōu)勢相比于傳統(tǒng)的快恢復(fù)二極管更高。在空調(diào)壓縮機(jī)的驅(qū)動上，當(dāng)時也已有客戶在使用Wolfspeed的SiC MOSFET替代原有的IGBT方案，以實現(xiàn)更高的效率和功率密度。

三菱電機(jī)也在其空調(diào)產(chǎn)品中引入了基于SiC的功率半導(dǎo)體模塊，用在空調(diào)的逆變器中，大幅提高了系統(tǒng)的能效，同時減小了功率模塊的體積和重量。

除了空調(diào)之外，SiC在其他家電產(chǎn)品中的應(yīng)用前景也備受看好。比如，Wolfspeed同步拓展了SiC在電視機(jī)等更多白色家電產(chǎn)品中的應(yīng)用場景，此前已經(jīng)與重點客戶合作應(yīng)用SiC MOSFET和SiC二極管。

盡管目前SiC在家電領(lǐng)域也仍然未到大規(guī)模應(yīng)用的階段，但其技術(shù)成熟度以及成本效益已經(jīng)有了較大的提升，接下來有望進(jìn)一步打開空調(diào)、電視機(jī)、微波爐等更多家電產(chǎn)品的市場。

就天岳先進(jìn)與海信的合作來看，天岳先進(jìn)目前已是SiC技術(shù)推廣、產(chǎn)品應(yīng)用及產(chǎn)能擴(kuò)充等各方面的主要力量之一，而海信旗下有海信（Hisense）、東芝電視（Toshiba TV）、容聲（Ronshen）、gorenje、ASKO等多個品牌，家電產(chǎn)品系列多元化，加上其在產(chǎn)業(yè)發(fā)展上，正在向產(chǎn)業(yè)高端和高端產(chǎn)業(yè)上推進(jìn)，具備充分的條件導(dǎo)入SiC技術(shù)。未來，雙方的合作有望助力SiC加速滲透白色家電市場。（集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理）

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值得注意的是，這次昂瑞微第二次沖刺IPO。2023年2月26日，昂瑞微便與中信建設(shè)簽署了輔導(dǎo)協(xié)議，并向北京監(jiān)管局報送了輔導(dǎo)備案登記材料，但在2023年輔導(dǎo)結(jié)束后撤回輔導(dǎo)備案。據(jù)悉，撤回申請主要是受到監(jiān)管IPO政策收緊影響，暫停了近半年時間的新股受理之后已重新啟動，昂瑞微順勢打算重啟上市計劃。

昂瑞微曾獲華為哈勃、小米集團(tuán)投資

官網(wǎng)顯示，昂瑞微成立于2012年，是一家深耕射頻前端和無線通信領(lǐng)域、多元化前瞻布局的復(fù)合型芯片設(shè)計公司，國家重點專精特新小巨人企業(yè)。公司總部位于北京，在北京、大連、廣州設(shè)有研發(fā)中心，在深圳、上海、西安、韓國設(shè)有銷售/技術(shù)支持中心，在蘇州設(shè)有生產(chǎn)運營中心。

企查查官網(wǎng)顯示，昂瑞微成立至今已完成7輪融資，其中2020年共完成兩輪戰(zhàn)略融資，分別由小米集團(tuán)及華為哈勃投資，持股比例均為4.1626%。

來源：企查查

昂瑞微擁有基于CMOS、GaAs、SiGe、SOI、GaN等多種工藝的芯片設(shè)計和大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗，核心產(chǎn)品線涵蓋三大類：射頻前端芯片、無線連接芯片、模擬類芯片，主要應(yīng)用于智能手機(jī)、汽車電子、儲能、工業(yè)、高性能計算、物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴等領(lǐng)域。據(jù)悉，昂瑞微每年芯片的出貨量超過10億顆。

據(jù)悉，昂瑞微的產(chǎn)品拓展已進(jìn)入全線突破階段，射頻前端系列產(chǎn)品客戶包括榮耀、小米、三星、摩托羅拉、中興、聯(lián)想、OPPO、vivo、傳音、華勤、龍旗、聞泰等已進(jìn)入的知名品牌和方案商。

射頻前端市場國產(chǎn)化替代加速推進(jìn)

射頻前端行業(yè)涵蓋了射頻功率放大器、濾波器、射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器等產(chǎn)品，該市場目前仍被美國Skyworks、Qorvo、Broadcom、Qualcomm等和日本Murata壟斷，集中度很高。

不過，在5G技術(shù)的推動及國家政策的支持下，國內(nèi)射頻前端技術(shù)正加速縮小與國際先進(jìn)水平的差距。隨著5G通信技術(shù)的廣泛應(yīng)用和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，射頻前端芯片的市場需求將持續(xù)增長，這為國內(nèi)廠商提供了巨大的市場機(jī)遇。

據(jù)悉，國內(nèi)射頻前端廠商通過技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級，在5G相關(guān)的射頻前端器件需求方面取得了進(jìn)展，尤其是在5G手機(jī)射頻前端方案方面，國內(nèi)廠商已取得一些突破，例如在Sub-6GHz UHB L-PAMiF產(chǎn)品中的競爭力逐漸增強(qiáng)。

目前，國內(nèi)射頻前端主要玩家包括唯捷創(chuàng)芯、卓勝微、飛驤科技等，前兩家已是A股上市公司，飛驤科技科創(chuàng)板IPO申請已到問詢狀態(tài)。其中，唯捷創(chuàng)芯在國產(chǎn)化率較低的射頻放大器領(lǐng)域占據(jù)國產(chǎn)主要份額。

近日，唯捷創(chuàng)芯及卓勝微已披露了2024年上半年業(yè)績。

唯捷創(chuàng)芯上半年實現(xiàn)營收10.71億元，同比增長20.28%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1126.86萬元，同比扭虧為盈。報告期內(nèi)，唯捷創(chuàng)芯滲透新的客戶群體，高集成度模組L-PAMiD產(chǎn)品和接收端產(chǎn)品市場規(guī)模逐步擴(kuò)大，推動營收同比增長。

卓勝微實現(xiàn)營收22.85億元，同比增長37.20%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤3.54億元，同比下降3.32%。上半年，卓勝微擴(kuò)大了對射頻模組產(chǎn)品的市場開拓力度，其中，濾波器模組在產(chǎn)品中成長速度位居第一，是其業(yè)績增長的根本驅(qū)動因素。

目前，昂瑞微暫未披露業(yè)績相關(guān)數(shù)據(jù)，但從獲得華為哈勃和小米集團(tuán)等投資可見，其發(fā)展?jié)撃苁艿缴漕l前端市場以及資本市場的認(rèn)可，未來發(fā)展值得期待。

長遠(yuǎn)來看，隨著射頻前端市場國產(chǎn)化替代加速進(jìn)行，包括昂瑞微等在內(nèi)的國內(nèi)廠商在技術(shù)、市場、資本等多方面均取得了積極的進(jìn)展，未來隨著5G技術(shù)的進(jìn)一步普及和應(yīng)用，國產(chǎn)射頻前端廠商有望獲得更多的市場機(jī)會。（集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理）

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據(jù)了解，基本半導(dǎo)體從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片等，產(chǎn)品服務(wù)于全球電動汽車、光伏儲能、軌道交通、工業(yè)控制和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域客戶。

賀利氏電子是電子封裝材料應(yīng)用領(lǐng)域的材料及匹配材料解決方案專家，滿足市場對功率模塊高效率和可靠性的需求。

基本半導(dǎo)體表示，采用賀利氏電子材料的車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品已在幾個國內(nèi)主流車企批量應(yīng)用，出貨量進(jìn)入全球碳化硅模塊新能源車市場前列，基本半導(dǎo)體成為了國內(nèi)第一批量產(chǎn)上車的碳化硅行業(yè)頭部企業(yè)。

通過本次合作，基本半導(dǎo)體將與賀利氏共同應(yīng)對電動汽車、光伏儲能等市場日益增長的需求。（來源：基本半導(dǎo)體、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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三安光電：上半年SiC營收超5億元

上半年，三安光電實現(xiàn)營業(yè)收入76.79億元，同比增長18.70%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.84億元，同比增長8.44%。按行業(yè)劃分，三安光電上半年LED外延芯片主營業(yè)務(wù)收入實現(xiàn)同比增長13.61%，集成電路業(yè)務(wù)營收同比增長16.85%。

集成電路業(yè)務(wù)包含射頻前端、電力電子及光技術(shù)三大板塊。報告期內(nèi)，湖南三安主導(dǎo)的碳化硅及氮化鎵等電力電子業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收5.12億元，凈利潤為299萬元。

據(jù)披露，湖南三安目前8英寸襯底已小批量試生產(chǎn)并在客戶端驗證。產(chǎn)能方面，目前其擁有碳化硅配套產(chǎn)能16,000 片/月，硅基氮化鎵產(chǎn)能2,000片/月。

碳化硅功率模塊方面，湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體一期產(chǎn)線實現(xiàn)通線，全橋功率模塊C樣已交付，預(yù)計將在今年下半年完成產(chǎn)品驗證，2025 年有望迎來模塊批量生產(chǎn)。

另外，湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶合資建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠生產(chǎn)設(shè)備將在三季度陸續(xù)進(jìn)場安裝和調(diào)試，預(yù)計11月份將實現(xiàn)通線，通線后將逐步釋放產(chǎn)能。合資公司規(guī)劃產(chǎn)能將于2028 年達(dá)產(chǎn)，達(dá)成后產(chǎn)能為48萬片/年。

而配套在重慶建設(shè)的8英寸襯底廠預(yù)計8月底將實現(xiàn)襯底廠的點亮通線。未來，湖南三安的全資子公司重慶三安將匹配生產(chǎn)碳化硅襯底供應(yīng)給湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法（生產(chǎn)碳化硅外延、芯片）。

硅基氮化鎵方面，湖南三安面向消費電子、工業(yè)及汽車應(yīng)用領(lǐng)域均有新的進(jìn)展。其中，在車用領(lǐng)域，其已完成低壓（60-200V）器件技術(shù)平臺的定型，下一步將開發(fā)針對車載激光雷達(dá)、動力電池系統(tǒng)等特定應(yīng)用場景的典型產(chǎn)品。

北方華創(chuàng)：上半年半導(dǎo)體設(shè)備市占率穩(wěn)步攀升

上半年，北方華創(chuàng)實現(xiàn)營收123.35億元，同比增長46.38%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤27.81億元，同比增長54.54%。

北方華創(chuàng)立足于半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域，形成了半導(dǎo)體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件三大核心業(yè)務(wù)板塊。在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)提供包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長等關(guān)鍵工藝裝備，服務(wù)于集成電路、功率半導(dǎo)體、三維集成和先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體、新型顯示、新能源光伏和襯底材料等多個制造領(lǐng)域。

目前，其擁有單晶硅、多晶硅、SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等多種材料的外延生長技術(shù)能力，可滿足不同領(lǐng)域的應(yīng)用需求。截至2023年底，北方華創(chuàng)已推出20余款量產(chǎn)型外延設(shè)備，并已累計出貨超過1000腔。

據(jù)其在業(yè)績預(yù)告中披露，上半年其應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的刻蝕、薄膜沉積、清洗、爐管和快速退火等工藝裝備工藝覆蓋度及市場占有率持續(xù)穩(wěn)步攀升，收入同比穩(wěn)健增長。報告期內(nèi)，隨著營收規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，規(guī)模效應(yīng)逐漸顯現(xiàn)；智能制造助力運營水平有效提升；成本費用率穩(wěn)定下降，使得歸母凈利潤同比持續(xù)增長。

連城數(shù)控：上半年驗收設(shè)備數(shù)量同比增長

上半年，連城數(shù)控實現(xiàn)營收25.3億元，同比增長33.79%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為3.21億元，同比增長38.21%

連城數(shù)控立足于光伏及半導(dǎo)體行業(yè)，是提供晶體材料生長、加工設(shè)備及核心技術(shù)等多方面業(yè)務(wù)支持的集成服務(wù)商。上半年，連城數(shù)控拓展晶體生長及加工設(shè)備、電池片設(shè)備等產(chǎn)品的銷售業(yè)務(wù)，驗收設(shè)備數(shù)量同比增長，主營業(yè)務(wù)實現(xiàn)穩(wěn)健發(fā)展。

在碳化硅方面，連城數(shù)控于2020年底開始對碳化硅晶體生長爐進(jìn)行研發(fā)立項、2021年9月開始對碳化硅等超硬材料多線切割機(jī)研發(fā)立項。

今年1 月，連城數(shù)控下屬子公司連科半導(dǎo)體與無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)人民政府就“連科第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造及總部基地項目”舉行簽約儀式。該項目計劃投資不超過10.5億元建設(shè)半導(dǎo)體大硅片長晶和加工設(shè)備、碳化硅長晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。

新產(chǎn)品方面，其下屬子公司連科半導(dǎo)體、連強(qiáng)智能在今年SEMICON CHINA展會上展出了8英寸碳化硅專用切片機(jī)等系列產(chǎn)品和解決方案。

聞泰科技：上半年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收70.4億元

上半年，聞泰科技實現(xiàn)營收335.89億元，同比增長15.01%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤1.4億元，同比下降88.78%。

聞泰科技主營業(yè)務(wù)分為半導(dǎo)體與產(chǎn)品集成兩大方向。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)采用IDM垂直整合制造模式，產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET 器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）、碳化硅（SiC）二極管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以及模擬IC和邏輯IC。

今年上半年，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收70.4億元，同比下降7.90%，業(yè)務(wù)毛利率 34.95%，實現(xiàn)凈利潤10.8億元，同比下降 22.40%。值得注意的是，第二季度收入與利潤環(huán)比實現(xiàn)增長，毛利率水平較第一季度大幅度改善。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，2023年，聞泰科技實現(xiàn)了GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品工業(yè)和消費領(lǐng)域的銷售，同時E-M產(chǎn)品通過所有測試認(rèn)證，于2024年開始銷售。SiC方面，聞泰科技實現(xiàn)了SiC整流管的工業(yè)消費級的量產(chǎn)和MOS的工業(yè)消費級的測試驗證，以及SiC MOS產(chǎn)品線的建立，推動產(chǎn)品進(jìn)入1200V高壓市場，拓展新的增長空間。今年上半年，聞泰科技加快了功率分立器件（IGBT、SiC和GaN）和模塊等的研發(fā)。

聞泰科技指出，上半年，新能源汽車行業(yè)仍面臨去庫存和價格競爭的挑戰(zhàn)。面對汽車功率半導(dǎo)體的庫存調(diào)整周期，公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在亞太地區(qū)的市場表現(xiàn)較好地抵消了歐美市場需求的疲軟。工業(yè)、消費電子市場逐漸復(fù)蘇，AI 數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域的增速較快，同時也加快了在國產(chǎn)新能源頭部企業(yè)的市場開拓，產(chǎn)品供應(yīng)量和單車價值都穩(wěn)步提升。

聞泰科技表示，盡管上半年整體業(yè)績承壓，公司也通過一系列措施，力爭在下半年實現(xiàn)業(yè)績的環(huán)比大幅度改善。

卓勝微：上半年濾波器模組產(chǎn)品增速第一

上半年，卓勝微實現(xiàn)營收22.85億元，同比增長37.20%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤3.54億元，同比下降3.32%。

卓勝微立足于射頻集成電路領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器、射頻濾波器、射頻功率放大器等射頻前端分立器件及各類模組產(chǎn)品解決方案，同時還對外提供低功耗藍(lán)牙微控制器芯片。

上半年，卓勝微擴(kuò)大射頻模組產(chǎn)品的市場開拓力度，其中，濾波器模組在產(chǎn)品中成長速度位居第一，是其業(yè)績增長的根本驅(qū)動因素。報告期內(nèi)，射頻模組占總營收比例已達(dá)到42.29%，創(chuàng)下有史以來最高比例，卓勝微預(yù)計占比將在未來持續(xù)增長。

拓荊科技：第二季度凈利潤環(huán)比大幅改善

上半年，拓荊科技實現(xiàn)營收12.67億元，同比增長26.22%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.29億元，同比增長3.64%。其中，第二季度營收達(dá)7.95億元，同比增長32.22%，環(huán)比增長68.53%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤1.19億元，同比增長67.43%，環(huán)比增長1,032.79%。

拓荊科技專注于研發(fā)和生產(chǎn)高端半導(dǎo)體專用設(shè)備，是國內(nèi)薄膜沉積行業(yè)頭部廠商之一，產(chǎn)品線包括離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。

上半年，受益于公司持續(xù)高強(qiáng)度的研發(fā)投入，在推進(jìn)產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化和各產(chǎn)品系列迭代升級的過程中取得了重要成果，超高深寬比溝槽填充CVD設(shè)備、PE-ALD SiN工藝設(shè)備、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工藝設(shè)備等新產(chǎn)品及新工藝經(jīng)下游用戶驗證導(dǎo)入，拓荊科技收入穩(wěn)步增長。

值得一提的是，今年3月，拓荊科技宣布擬投資11億元建設(shè)“高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目”。該項目擬在沈陽市渾南區(qū)購置土地建設(shè)新的產(chǎn)業(yè)化基地，包括生產(chǎn)潔凈間、立體庫房、測試實驗室等。建成后，公司產(chǎn)能將進(jìn)一步提高，以支撐其PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品未來的產(chǎn)業(yè)化需求，從而推動業(yè)務(wù)規(guī)模持續(xù)增長，提升整體競爭力和盈利能力。

民德電子：SiC外延片等高價值產(chǎn)品陸續(xù)量產(chǎn)

上半年，民德電子實現(xiàn)營收1.61億元，同比下降12.16%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為-770萬元。
民德電子主要從事條碼識別設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)，以及半導(dǎo)體設(shè)計和分銷業(yè)務(wù)。其中，半導(dǎo)體設(shè)計和分銷業(yè)務(wù)包括功率半導(dǎo)體設(shè)計業(yè)務(wù)和電子元器件分銷業(yè)務(wù)。上半年，民德電子營收主要來源于信息識別及自動化產(chǎn)品業(yè)務(wù)和半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

目前，民德電子正在構(gòu)建功率半導(dǎo)體的smart IDM生態(tài)圈，以晶圓代工+超薄背道代工為主干，上游獲取設(shè)備、晶圓原材料、掩模版、電子氣體等原料供給，下游與設(shè)計公司合作，開發(fā)出多樣化的產(chǎn)品。

報告期內(nèi)，民德電子功率半導(dǎo)體smart IDM生態(tài)圈核心環(huán)節(jié)企業(yè)產(chǎn)能不斷提升：晶圓代工廠廣芯微電子自上年12 月量產(chǎn)以來，產(chǎn)品系列不斷豐富，產(chǎn)能逐步提升；超薄背道代工廠芯微泰克已得到國內(nèi)多家知名半導(dǎo)體設(shè)計公司和晶圓廠客戶的認(rèn)可，多款產(chǎn)品實現(xiàn)批量產(chǎn)出；晶圓原材料企業(yè)晶睿電子保持持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，外延片產(chǎn)銷量快速增長，特種傳感器用硅片、SOI、MEMS 傳感器用雙拋片、SiC外延片等高價值產(chǎn)品陸續(xù)量產(chǎn)。

芯導(dǎo)科技：上半年毛利率同比增長2.16個百分點

上半年，芯導(dǎo)科技實現(xiàn)營收1.55億元，同比增長18.79%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為5221.45萬元，同比增長36.44%。

芯導(dǎo)科技專注于模擬集成電路和功率器件的開發(fā)及銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、網(wǎng)絡(luò)通信、安防工控、儲能、汽車電子、光伏逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。

在功率器件領(lǐng)域，芯導(dǎo)科技針對第三代半導(dǎo)體GaN HEMT產(chǎn)品開發(fā)了高壓P-GaN HEMT技術(shù)平臺。2023年，其650V GaN HEMT產(chǎn)品已初步形成產(chǎn)品系列化，形成110mR-900mR范圍，采用DFN5060、DFN8080、TO252、TO220、TO220F等多種封裝形式的產(chǎn)品陣容，并在電源、PD快充適配等領(lǐng)域重點推廣，部分客戶當(dāng)時已進(jìn)入小批量運行階段。同時，中低壓GaN HEMT產(chǎn)品的改進(jìn)工作也在有序推進(jìn)中。

在新能源應(yīng)用場景，芯導(dǎo)科技堅持GaN相關(guān)器件及驅(qū)動控制器的開發(fā)，高整合度驅(qū)動器芯片已在客戶端完成驗證，并實現(xiàn)小批量出貨。

今年上半年下游需求回暖及廠商持續(xù)推進(jìn)庫存去化，半導(dǎo)體行業(yè)也逐步呈現(xiàn)了復(fù)蘇跡象，受益于消費電子市場景氣度回暖，芯導(dǎo)科技主營產(chǎn)品所處的市場需求相較于去年同期有所提升；同時，芯導(dǎo)科技積極推進(jìn)產(chǎn)品更新迭代，加強(qiáng)供應(yīng)鏈的合作及開發(fā)，相比上年同期，毛利率增長2.16個百分點。（集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理）

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據(jù)了解，三安意法半導(dǎo)體項目包含建設(shè)一座8英寸SiC晶圓（芯片）廠和配套的一座8英寸SiC襯底廠，預(yù)計總投資約300億元人民幣，將整合8英寸車規(guī)級SiC襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造。

其中，晶圓廠由三安光電與意法半導(dǎo)體合資32億美元成立，雙方為此在重慶設(shè)立合資公司安意法半導(dǎo)體有限公司（注冊資本為6.12億美元），三安光電和意法半導(dǎo)體分別持股51%和49%。

日前，三安光電在半年報中披露，安意法生產(chǎn)設(shè)備將在今年Q3陸續(xù)進(jìn)場安裝和調(diào)試，預(yù)計11月份將實現(xiàn)通線，通線后將逐步釋放產(chǎn)能，未來將主要生產(chǎn)8英寸SiC外延和芯片，銷售給意法半導(dǎo)體。合資公司規(guī)劃產(chǎn)能將于2028 年達(dá)產(chǎn)，達(dá)成后產(chǎn)能為8英寸車規(guī)級SiC MOSFET功率芯片48萬片/年，面向新能源汽車主驅(qū)逆變器、充電樁和車載充電器等應(yīng)用。

作為配套，三安光電在重慶同步建設(shè)一座8英寸襯底廠，并為此設(shè)立了重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（湖南三安的全資子公司），注冊資本為18億元。該工廠預(yù)計總投資額為70億人民幣，占地276畝，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計8英寸SiC襯底48萬片/年。據(jù)半年報披露，該襯底廠預(yù)計8月底將實現(xiàn)點亮通線。未來，重慶三安將匹配生產(chǎn)碳化硅襯底供應(yīng)給安意法

值得一提的是，意法半導(dǎo)體正在推進(jìn)旗下晶圓廠從6英寸向8英寸過渡，而湖南三安項目的加快建設(shè)將一定程度上助推意法半導(dǎo)體加速向8英寸轉(zhuǎn)型。

根據(jù)6月消息顯示，意法半導(dǎo)體計劃明年第三季度意大利卡塔尼亞的SiC晶圓廠將過渡到8英寸；新加坡的晶圓廠隨后也將過渡到8英寸；而在中國的合資工廠安意法則預(yù)計明年第四季度開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓。按照最新進(jìn)度，8英寸晶圓廠預(yù)計年底通線后將逐步釋放產(chǎn)能，而8英寸襯底廠提前到本月底投產(chǎn)，表明湖南三安已提前做好準(zhǔn)備，匹配后續(xù)安意法對襯底材料的需求。

市場需求方面，根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024 全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。TrendForce集邦咨詢預(yù)測，2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元。

未來，隨著兩座工廠產(chǎn)能的釋放以及下游需求的持續(xù)增長，湖南三安的SiC業(yè)務(wù)有望實現(xiàn)產(chǎn)銷兩旺，帶動三安光電整體業(yè)績進(jìn)一步增長。就今年上半年來看，三安光電實現(xiàn)營業(yè)收入76.79億元，同比增長18.70%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.84億元，同比增長8.44%。其中，湖南三安實現(xiàn)營收5.12億元，凈利潤為299萬元。（集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理）

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本次研究 Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN Diodes Using Ion Implantation Technologies，導(dǎo)入離子注入技術(shù)于異質(zhì)磊晶生長的同質(zhì)結(jié)氧化鎵PN二極管元件中，結(jié)果展示出優(yōu)異的電性表現(xiàn)。氧化鎵 (Gallium Oxide, Ga2O3) 在高壓及高溫應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大潛力，為未來高功率電子元件開辟了新的可能性。這一研究成果已發(fā)表于國際頂級材料科學(xué)期刊Materials Today Advances。

(圖示：各式半導(dǎo)體材料的理論導(dǎo)通電阻與崩潰電壓關(guān)系，以氧化鎵 (Ga2O3) 為代表的第四代半導(dǎo)體在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出優(yōu)越性能，為功率電子器件開辟新途徑。)

第四代半導(dǎo)體氧化鎵 (Ga2O3) 因其優(yōu)異的性能，被視為下一代半導(dǎo)體材料的代表，擁有超寬能隙 (4.8 eV)、超高臨界擊穿場強(qiáng) (8 MV/cm) 等特性，較現(xiàn)有的硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等材料具有顯著優(yōu)勢。這些特性使得氧化鎵特別適用于電動車、電網(wǎng)系統(tǒng)、航空航天等高功率應(yīng)用場景。

此次鴻海研究院與陽明交大電子所通力合作，以創(chuàng)新的離子布植技術(shù)成功制造出具備優(yōu)異電性表現(xiàn)的氧化鎵 PN 二極管 (PN diode)，利用磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實現(xiàn)了第四代半導(dǎo)體 P 型 Ga2O3 的制造，并在其上重新生長 N 型和 N+ 型 Ga2O3，形成了 PN Ga2O3 二極管。這一突破性技術(shù)除了能大幅提升元件的穩(wěn)定性和可靠性，并顯著降低電阻。

(圖示：由鴻海研究院半導(dǎo)體所及陽明交大電子所研究團(tuán)隊合力制作的氧化鎵 PN 二極管示意圖與元件剖面?zhèn)纫晥D。)

論文詳細(xì)闡述了這種新型 Ga2O3 PN 二極管的制作過程和性能特征。實驗結(jié)果顯示，該元件具有 4.2 V 的開啟電壓和 900 V 的擊穿電壓，展現(xiàn)出元件優(yōu)異的高壓耐受性能。

氧化鎵元件將有望成為具有競爭力的電力電子元件，能直接與碳化硅元件競爭。目前，中國、日本和美國在氧化鎵研究領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。日本已實現(xiàn)4英寸和6英寸氧化鎵晶圓的產(chǎn)業(yè)化，而中國多家科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)也在積極推進(jìn)相關(guān)研究與產(chǎn)品開發(fā)。

(圖說：由鴻海研究院半導(dǎo)體所及陽明交大電子所研究團(tuán)隊合力制作的氧化鎵 PN 二極管元件與電性表現(xiàn)分析， (a) 線性刻度 I-V 曲線；(b) 擊穿 (breakdown) 電性表現(xiàn)行為。)

鴻海表示，隨著氧化鎵技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，未來可以期待其在更多高壓、高溫和高頻領(lǐng)域中有更廣泛應(yīng)用。（來源：鴻海集團(tuán)）

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據(jù)外媒報道，BelGaN現(xiàn)已收到多項競標(biāo)，其中，一家瑞典-芬蘭財團(tuán)以位于赫爾辛基的7 Semiconductors Oy為名義給出了15億瑞典克朗（約合人民幣10.5億元）的報價。

作為本項競標(biāo)的支持者之一，Spirit Ventures風(fēng)險投資公司Gerard de Bourbon表示，他們?yōu)橹θ鸬湓诎雽?dǎo)體領(lǐng)域重新獲得領(lǐng)先地位已努力了近3年，并透露最初的計劃是在此地建立一家半導(dǎo)體工廠，但后來開始與比利時展開相關(guān)討論。在本次給出報價之前，他們先發(fā)出了競購意向書，預(yù)計交易金額約15億瑞典克朗。

除了該財團(tuán)之外，BelGaN此前的所有者也有意收購6英寸和8英寸晶圓代工廠，比利時企業(yè)家Guido Dumarey也提出了報價，但競標(biāo)金額尚未披露。

據(jù)悉，奧德納爾德工廠最早于1983年作為MIETEC成立，隨后相繼被Alcatel和AMI收購，又于2008年出售給安森美半導(dǎo)體（OnSemi）。報道稱，安森美此前在重組過程中試圖出售該CMOS硅晶圓廠，但未能找到買家，最后于2022年將其剝離分拆，BelGaN硅基GaN代工廠由此成立（中國資本）。

在GaN領(lǐng)域，該硅晶圓廠早在2009年開始投入相關(guān)技術(shù)研發(fā)工作，并于2023年6月推出了首款650V E-Mode eGaN技術(shù)，2023年底宣布將生產(chǎn)依托650V eGaN技術(shù)的第一代產(chǎn)品，并采購了AIXTRON愛思強(qiáng)的G10-GaN設(shè)備。

去年以來，BelGaN在GaN技術(shù)和業(yè)務(wù)上持續(xù)取得新進(jìn)展。比如，2023年12月，BelGaN展示了1200V E-Mode GaN-on-Si技術(shù)；2024年3月宣布“BEL1 650V eGaN平臺”已獲得多個主要客戶的訂單并準(zhǔn)備批量生產(chǎn)，同時披露擴(kuò)產(chǎn)計劃。

但實際上，該公司一直面臨著現(xiàn)金流短缺的問題，加上由于在需要大量投資以支持轉(zhuǎn)型的過程中未能成功找到額外投資，最終在7月30日申請破產(chǎn)保護(hù)。（集邦化合物半導(dǎo)體Jenny編譯）

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消費電子市場走向成熟，GaN初闖高功率市場受挫

GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）同為性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，二者在擊穿電場、高溫性能、高功率處理能力以及化學(xué)穩(wěn)定性等方面存在共同之處，但相比之下，GaN在開關(guān)頻率和能效上更加突出，因此更適合高頻應(yīng)用領(lǐng)域，有助于實現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換、減少開關(guān)損耗、降低熱耗散、縮小元件尺寸等。

按應(yīng)用劃分，GaN主要面向光電子、射頻通訊、功率半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域，對應(yīng)消費電子、無線通信、數(shù)據(jù)中心、汽車、航空航天、國防軍工等細(xì)分場景。其中，光電子是GaN最快普及的應(yīng)用，至今已有很多年的發(fā)展歷史，但GaN真正“火”起來是在近幾年的功率半導(dǎo)體市場，并首先崛起于消費電子快充應(yīng)用。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024全球GaN Power Device市場分析報告》數(shù)據(jù)顯示，2020年全球GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為0.5億美金，至2022年成長至1.8億美金，年復(fù)合增長率約53%。其中，2022年的市場規(guī)模相比2021年大幅增長了125%。

也就是在這一年，GaN高速滲透快充市場，并開始向家電、智能手機(jī)等其他消費場景拓展；與此同時，新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)的迭代升級，使得GaN作為更為符合新需求的理想材料之一亦被寄予了厚望。在此背景下，GaN廠商從低功率朝向高功率市場延伸便順理成章。

然而，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，一方面，快充、適配器等消費電子市場不斷成熟，可供廠商發(fā)揮的空間、可分的“蛋糕”持續(xù)縮?。涣硪环矫?，在汽車、數(shù)據(jù)中心等高功率應(yīng)用領(lǐng)域，由于技術(shù)可靠性、成本等問題，多數(shù)GaN廠商處于產(chǎn)品研發(fā)、驗證、送樣、項目合作階段，真正落地的案例鮮少，這也側(cè)面反映GaN打開高功率市場需更多的技術(shù)和時間沉淀。

GaN產(chǎn)業(yè)步入整合期，量到質(zhì)的改變開始顯現(xiàn)

為了突破高壓大功率市場，不少廠商開始嘗試新結(jié)構(gòu)、新工藝路線，其中包括有望全面解鎖GaN優(yōu)良特性的垂直GaN元件，但這條路并不好走。隨著時間的推移，各家廠商面臨前期大量投入難以兌現(xiàn)的壓力，而持續(xù)創(chuàng)新的研發(fā)投入需求則帶來了資金的壓力，多方面承壓之下，退場者隨之出現(xiàn)。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，今年1-3月，美國垂直GaN器件廠NexGen Power Systems與Odyssey Semiconductor相繼宣布倒閉、破產(chǎn)。

同樣地，GaN頭部廠商也面臨更進(jìn)一步發(fā)展以及長遠(yuǎn)立足的難題，于是有了GaN Systems并入功率半導(dǎo)體大廠英飛凌（Infineon），Transphorm并入全球半導(dǎo)體芯片大廠瑞薩電子（Renesas），Odyssey Semiconductor并入Power Integrations（PI）。

雖然沒有出現(xiàn)產(chǎn)能過剩或惡性價格戰(zhàn)等現(xiàn)象，但GaN功率半導(dǎo)體市場顯然也進(jìn)入了一輪洗牌調(diào)整期。從并購、倒閉破產(chǎn)案可見，未來能夠馳騁GaN“沙場”的定是具備過硬綜合競爭力的廠商，這其實對于GaN產(chǎn)業(yè)而言利大于弊，因為優(yōu)勢資源的不斷集中有利于推動技術(shù)加快產(chǎn)業(yè)化，實現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。

在供應(yīng)鏈資源大整合之際，廠商的技術(shù)沉淀與項目開發(fā)進(jìn)展也到了一個新的階段，隨之而來的便是GaN技術(shù)逐步從量到質(zhì)的改變。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，經(jīng)過幾年的技術(shù)儲備，GaN相關(guān)廠商目前在消費電子增量市場、電動汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心等市場都取得了更多實質(zhì)性的進(jìn)展，并逐步收獲成果。

以汽車和新能源應(yīng)用為例，納微半導(dǎo)體（Navitas）2023年針對車載OBC及路邊充電樁場景引入新的GaNSafe技術(shù)（配合其SiC技術(shù)），截至今年第二季度，納微22kW車載充電機(jī)（OBC）方案已有15個客戶項目在推進(jìn)至評審階段，其預(yù)計電動汽車領(lǐng)域?qū)⒃?025年底獲得首批由GaN技術(shù)帶來的收入。

在太陽能/儲能市場，納微此前已打入美國前五大太陽能設(shè)備制造商中三家的供應(yīng)鏈，截至今年第二季度，納微已有6個相關(guān)的客戶項目推進(jìn)至評審階段，預(yù)計將于明年在美國實現(xiàn)GaN基微型逆變器的量產(chǎn)。

國內(nèi)廠商中，鎵未來（GaNext）實現(xiàn)了國產(chǎn)GaN突破光伏微逆市場，其集成型Cascode 技術(shù)GaN功率器件設(shè)計已用在微型逆變器龍頭廠商的2000W新型逆變器中；氮矽科技也與全球頭部逆變器設(shè)計公司及知名制造商建立了戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開發(fā)一款基于GaN技術(shù)的新一代微型逆變器。

汽車應(yīng)用方面，氮矽科技今年發(fā)布了一款超高開關(guān)頻率（>100MHz）驅(qū)動芯片，適用于高速汽車激光雷達(dá)系統(tǒng)；同時，該公司正在推進(jìn)多款100V集成驅(qū)動產(chǎn)品的車規(guī)級驗證，這些產(chǎn)品主要適用于車載無線充和DC-DC；鎵未來目前也正在推進(jìn)產(chǎn)品的車規(guī)級認(rèn)證，同步與車廠展開相關(guān)項目研究；IDM廠商能華微則在推進(jìn)1200V產(chǎn)品的車規(guī)級認(rèn)證······

AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等引燃，GaN“上大分”

AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器

數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域也是近幾年GaN廠商重點耕耘的方向之一，從相關(guān)廠商的進(jìn)展可見，GaN在數(shù)據(jù)中心電源市場的應(yīng)用已經(jīng)邁出了一大步，而AI技術(shù)的興起為該市場再添了一把火。

在AI生態(tài)中，數(shù)據(jù)中心對高速運算和電力都有著龐大的需求。根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，NVIDIA（英偉達(dá)） Blackwell平臺將于2025年正式放量，取代既有的Hopper平臺，成為NVIDIA高端GPU（圖形處理器）主力方案，占整體高端產(chǎn)品近83%。在B200和GB200等追求高效能的AI Server機(jī)種，單顆GPU功耗可達(dá)1,000W以上。

面對高漲的功率需求，每個數(shù)據(jù)中心機(jī)柜的功率規(guī)格將從30-40kW推高至100kW，對于數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)來說挑戰(zhàn)極大，而GaN與液冷技術(shù)的結(jié)合，將成為提升AI 數(shù)據(jù)中心能效的關(guān)鍵。

芯片功耗的大幅上升需要服務(wù)器擁有更高的功率密度和效能，GaN能夠降低損耗、提高功率密度，已被視為AI數(shù)據(jù)中心優(yōu)化能源效率的關(guān)鍵技術(shù)之一，吸引了英飛凌、德州儀器（TI）、納微、英諾賽科、Transphorm、能華微、氮矽科技、鎵未來等大批GaN玩家加入布局陣列。其中，納微和英飛凌均公布了AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖，表明搶占該市場制高點的決心。

英飛凌AI數(shù)據(jù)中心電源路線圖

英飛凌融合Si、SiC以及GaN的獨特優(yōu)勢，已推出輸出功率為3 kW和3.3 kW的PSU，8 kW PSU預(yù)計將于2025年第一季度上市，全新8 kW PSU支持最高輸出功率達(dá)300 kW或以上的AI機(jī)架。與3 kW PSU的32 W/in3 相比，其效率和功率密度提升至100 W/in3，進(jìn)一步縮小了系統(tǒng)尺寸并節(jié)省了運營商的成本。

以GaN技術(shù)來看，英飛凌的CoolGaN? 解決方案可為PFC拓?fù)涮峁┏^99%的系統(tǒng)效率。此外，英飛凌收購的GaN Systems則早在2022年就發(fā)布了3.2kW AI服務(wù)器電源供應(yīng)器，并于2023年推出第四代GaN平臺，效率超過鈦金級能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度從100W/in3提升至120W/in3。因此，雙方結(jié)合后在GaN領(lǐng)域產(chǎn)生的效應(yīng)備受看好。

納微去年全新GaNSafe?和Gen-3 Fast碳化硅技術(shù)以及納微專用設(shè)計中心已設(shè)計完成4.5kW CRPS，實現(xiàn)傳統(tǒng)硅解決方案兩倍以上功率密度。在此基礎(chǔ)上，納微7月發(fā)布全新的CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案，功率密度達(dá)137W/in3，效率超97%。

納微AI數(shù)據(jù)中心電源路線圖

納微透露，3.2kW和4.5kW電源方案已有超過60個數(shù)據(jù)中心客戶項目正在研發(fā)中，預(yù)計將在2024-2025年間為納微GaN和SiC的營收帶來數(shù)百萬美元的增長。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體進(jìn)一步了解，納微預(yù)計用于AI數(shù)據(jù)中心電源方案有望于年底實現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

面對AI服務(wù)器興起創(chuàng)造的商機(jī)，GaN廠商顯然加快了步伐。除了英飛凌和納微之外，其他廠商也在通過各自的發(fā)展路線悶聲謀大事，如TI、EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換）、能華微、鎵未來、氮矽科技等。

TI早在2021年便與全球最大的服務(wù)器電源供應(yīng)商臺達(dá)（市占率近5成）就數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源達(dá)成合作，基于其GaN技術(shù)和C2000 MCU實時控制解決方案，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）?；陂L期的合作伙伴關(guān)系，雙方在AI服務(wù)器電源市場的合作成果將備受期待。

鎵未來已與知名院校達(dá)成合作，由其提供理論依據(jù)和技術(shù)支持，共同完成 3.5kW 無風(fēng)扇服務(wù)器電源的開發(fā),通過兩相交錯圖騰柱 PFC及 LLC實現(xiàn)高效率和高功率密度48V電源方案。鎵未來指出，AI 服務(wù)器與傳統(tǒng)服務(wù)器相比具有功率等級高且長時間滿載工作的特性，對于電源的轉(zhuǎn)換效率要求更高，因此采用GaN器件的圖騰柱PFC拓?fù)鋵⑹亲顑?yōu)選擇。

產(chǎn)品開發(fā)方面，EPC將在本月底的PCIM Asia展會展示最新一代GaN FET和IC，涵蓋包括AI服務(wù)器、機(jī)器人等在內(nèi)的各種實際應(yīng)用；氮矽科技多款相關(guān)產(chǎn)品已送樣國內(nèi)頭部知名企業(yè)，并完成了相關(guān)的可靠性測試；能華微1200V GaN產(chǎn)品也已經(jīng)送樣知名服務(wù)器電源廠，正在進(jìn)行可靠性評估。

人形機(jī)器人

事實上，不止AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，更多新興市場正在為GaN產(chǎn)業(yè)注入活力，如今年發(fā)展一樣如火如荼的人形機(jī)器人等電機(jī)驅(qū)動產(chǎn)業(yè)。

人形機(jī)器人的系統(tǒng)主要由傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)四部分構(gòu)成，而GaN的“用武之地”包括激光雷達(dá)系統(tǒng)、電機(jī)控制器、DC-DC轉(zhuǎn)換器及電池BMS。其中，電機(jī)驅(qū)動扮演關(guān)鍵角色。

TrendForce集邦咨詢研究顯示，由于自由度急劇上升，人形機(jī)器人對電機(jī)驅(qū)動器的需求量大幅增加，為了獲得更高的爆發(fā)力，需要配置高功率密度、高效率、高響應(yīng)的電機(jī)驅(qū)動器，而GaN能夠滿足這些需求，還可以在熱管理、緊湊設(shè)計等方面提高人形機(jī)器人的整體性能，優(yōu)化整體設(shè)計。

據(jù)悉，西門子、安川電機(jī)、Elmo等已經(jīng)在機(jī)器人電機(jī)中導(dǎo)入了GaN技術(shù)，而GaN產(chǎn)業(yè)鏈也正摩拳擦掌。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，TI、EPC、Transphorm、英諾賽科、納微、能華微等正在推動GaN于電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域的應(yīng)用。其中，Transphorm已為安川電機(jī)的新型伺服電機(jī)提供了GaN FET 產(chǎn)品。

TrendForce集邦咨詢表示，未來的機(jī)器人定會超乎想象，而精確、快速和強(qiáng)大的運動能力是其中之關(guān)鍵，驅(qū)動其運動所需的電機(jī)也勢必隨之進(jìn)步，GaN將因此受益。

綜合當(dāng)前廠商頻繁的動作來看，AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等新興產(chǎn)業(yè)無疑引燃了GaN市場，相關(guān)廠商多年的儲備和積累可望加快變現(xiàn)。譬如，英飛凌預(yù)估來自AI電源領(lǐng)域的營收將在2025財年實現(xiàn)同比翻番，同時將在2-3年內(nèi)突破10億歐元。

GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提速，誰將占據(jù)龍頭寶座？

短期而言，消費電子市場仍將是功率GaN的主舞臺，并且，家電、智能手機(jī)等更多消費電子應(yīng)用正在為GaN提供新的發(fā)展空間。但長期而言，電動汽車、數(shù)據(jù)中心等將成為GaN更重要的增長引擎。

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析》顯示，長遠(yuǎn)來看，GaN功率半導(dǎo)體市場的主要動力將來自電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動等場景，受此驅(qū)動，全球GaN功率元件市場規(guī)模預(yù)估從2023年的2.71億美金左右上升至2030年的43.76億美金，年復(fù)合年增長率（CAGR）高達(dá)49%。其中，非消費類應(yīng)用的比例預(yù)計將從2023年的23%上升至2030年的48%。

足見，電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用動能強(qiáng)勁，GaN功率半導(dǎo)體市場未來可期，這也側(cè)面解釋了英特爾（Intel）、臺積電（TSMC）等集成電路賽道的大廠同樣青睞GaN的原因。其中，英特爾去年底就透露已集成CMOS硅晶體管與GaN功率晶體管，用于高度集成的48V設(shè)備。

從區(qū)域市場層面觀察，GaN正在吸引更多的戰(zhàn)略投資。以中國香港為例，該地在7月底啟動了首條超高真空GaN外延片中試線，由香港科技園公司與GaN外延技術(shù)商麻省光子技術(shù)(香港)有限公司聯(lián)合于7月底舉行了啟動儀式，麻省光子技術(shù)預(yù)計將在香港投資至少2億港元，帶動當(dāng)?shù)鼗衔锇雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

可以預(yù)見，未來會有更多玩家和資金涌入GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，而市場競爭也將逐步激烈化。然而，市場格局目前撲朔迷離，未來誰能占據(jù)龍頭寶座仍是未知數(shù)。

TrendForce集邦咨詢指出，從產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程來看，F(xiàn)abless（無晶圓廠）公司在過去一段時間里表現(xiàn)較為活躍，但隨著產(chǎn)業(yè)不斷整合以及應(yīng)用市場逐步打開，未來傳統(tǒng)IDM大廠的話語權(quán)有望顯著上升，為產(chǎn)業(yè)格局的未來圖景帶來新的重大變數(shù)。

當(dāng)前，從商業(yè)模式劃分，GaN玩家包括英飛凌、瑞薩（Transphorm）等傳統(tǒng)綜合型的IDM（集成器件制造）大廠，PI、納微、EPC等Fabless設(shè)計廠，英諾賽科、能華微等專業(yè)型IDM廠。

在消費電子應(yīng)用仍占大比重的背景下，英諾賽科占據(jù)較大的市場份額，加上其努力推廣工業(yè)應(yīng)用，整體市占率位居前列。據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2023年GaN功率半導(dǎo)體市占率前五大廠商分別是英諾賽科、PI、納微、EPC、英飛凌。

而數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動、電動汽車、光伏逆變器等更高功率的應(yīng)用對廠商的集成整合能力以及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)等各方面提出了更高的要求，因此，英飛凌、瑞薩、TI等傳統(tǒng)IDM廠商，以及TI等在這方面的優(yōu)勢將逐步顯現(xiàn)。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，作為全球最大的功率半導(dǎo)體以及車用半導(dǎo)體廠商，目前英飛凌正在充分發(fā)揮和融合Si、SiC以及GaN的獨有優(yōu)勢，技術(shù)創(chuàng)新與集成能力以及綜合成本優(yōu)勢有望逐步凸顯。Fabless廠商中，納微也在發(fā)揮其在SiC、GaN以及驅(qū)動技術(shù)的集成能力和協(xié)同優(yōu)勢，筑高自身的競爭壁壘。

而英諾賽科、能華微等專業(yè)型廠商技術(shù)專注度高、創(chuàng)新速度快、決策鏈條短、市場靈活性高，能夠以深厚的技術(shù)積累，適時調(diào)整產(chǎn)品線和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，快速響應(yīng)GaN市場新需求。

綜合而言，不同模式下的廠商實力與水平各有千秋，布局策略和發(fā)展路線也有所不同，目前在新興應(yīng)用賽道上各方都處于前期起跑蓄力階段，勝負(fù)未分。不過，英飛凌、TI等廠商今年明顯向GaN傾注了更多資源，均展現(xiàn)出勇奪龍頭寶座之勢。未來，GaN功率半導(dǎo)體的“天平”將傾向哪一方？答案或許將隨之市場的打開逐步揭曉。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 陳佳純）

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以SiC/GaN產(chǎn)業(yè)為例，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，今年以來超過10家相關(guān)企業(yè)推進(jìn)上市進(jìn)程、更新上市狀態(tài)或公布上市計劃。在GaN領(lǐng)域，繼英諾賽科、臺亞半導(dǎo)體子公司之后，近日又一家GaN相關(guān)廠商啟動了IPO計劃，進(jìn)一步反映了GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)的前景備受看好。

GaN外延材料廠商臺灣IQE計劃上市

昨日（7/31），英國化合物半導(dǎo)體材料廠商IQE宣布，其中國臺灣子公司IQE Taiwan計劃在臺灣證券交易所上市，目的是更好地發(fā)揮子公司的價值，利用GaN功率半導(dǎo)體等未來市場的機(jī)會，戰(zhàn)略推動整個集團(tuán)的成長。

按照計劃，IQE擬推進(jìn)臺灣子公司上市，并將通過公開發(fā)行出售該子公司的少數(shù)股權(quán)，但最終仍會保留對其的控制權(quán)，持續(xù)發(fā)揮子公司的戰(zhàn)略價值。屆時，IQE整個集團(tuán)將充分利用此次公開發(fā)行所得，為集團(tuán)的增長戰(zhàn)略提供資金支持。

目前，臺灣IQE的上市進(jìn)程尚處于初步階段，為協(xié)助推進(jìn)上市進(jìn)程，IQE已聘請臺新證券作為財務(wù)顧問。本次上市將分為兩個階段推進(jìn)，在第一階段，臺灣IQE預(yù)計2025年上半年在“新興市場板塊”上市，具體取決于慣常監(jiān)管程序和要求，進(jìn)一步的交易細(xì)節(jié)和信息將酌情披露。

IQE表示，公司正在充分利用包含GaN功率半導(dǎo)體在內(nèi)的未來發(fā)展機(jī)會，而推動臺灣子公司上市有助于加快整個集團(tuán)對增長戰(zhàn)略的投資。未來，子公司成功上市之后，IQE有望實現(xiàn)資產(chǎn)價值的最大化，并為全球客戶保障供應(yīng)的可靠性和靈活性。

AI服務(wù)器、低空經(jīng)濟(jì)助燃GaN產(chǎn)業(yè)

無論是英諾賽科、臺亞半導(dǎo)體還是IQE，均有一個共同的目標(biāo)，即以更好的姿態(tài)把握GaN當(dāng)下與未來的發(fā)展機(jī)遇，也意味著GaN技術(shù)的應(yīng)用潛力正在加速被認(rèn)可和挖掘。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

根據(jù)近兩年來企業(yè)的動態(tài)可見，國內(nèi)外主要玩家在光伏逆變器、數(shù)據(jù)中心、車載激光雷達(dá)、車載OBC/DC-DC等GaN市場的發(fā)展陸續(xù)取得實質(zhì)性的進(jìn)展，預(yù)示著GaN技術(shù)正在加速滲透工業(yè)、汽車等高功率領(lǐng)域，為廠商打開了更大的增量空間。而在此基礎(chǔ)上，隨著AI、低空經(jīng)濟(jì)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，市場及產(chǎn)業(yè)對GaN的期待值進(jìn)一步提升。

具體而言，由于AI數(shù)據(jù)中心對電力和算力的需求激增，該領(lǐng)域?qū)Ω咝?、低能耗的電力解決方案有著迫切的需求，而GaN則是目前減少功率損耗的最佳解決方案。因此，英飛凌、TI、EPC、Transphorm、英諾賽科、納微、臺亞半導(dǎo)體等GaN產(chǎn)業(yè)鏈廠商以及臺積電、環(huán)球晶等晶圓代工大廠正在加快開發(fā)相關(guān)技術(shù)和解決方案的步伐。

例如，英飛凌已公布了為AI數(shù)據(jù)中心提供先進(jìn)的高能效電源裝置產(chǎn)品路線圖，而其收購的GaN Systems此前已針對AI服務(wù)器推出了GaN電源解決方案；納微不久之前也正式發(fā)布了全新4.5kW服務(wù)器電源方案······

低空經(jīng)濟(jì)方面，該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展離不開5G-A和未來6G網(wǎng)絡(luò)來實現(xiàn)通感一體，對于高頻率和高能效的射頻技術(shù)有著明確的需求，而GaN技術(shù)在其中扮演者關(guān)鍵角色。同時，基于GaN的功率器件能夠提高電源轉(zhuǎn)換效率，滿足無人機(jī)、小型飛行器等低空經(jīng)濟(jì)應(yīng)用對高能效電源管理的需求，并且還能滿足小型化、輕量化的產(chǎn)品設(shè)計需求，目前也備受低空經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域的青睞。國內(nèi)外GaN相關(guān)廠商已相繼入局，跨界合作案例也開始增多，例如，國內(nèi)GaN初創(chuàng)企業(yè)東漸氮化鎵已與上海海神機(jī)器人達(dá)成戰(zhàn)略合作。

由此可見，在新興產(chǎn)業(yè)的推動下，GaN又一次被推到了鎂光燈之下，新一輪群雄逐鹿已經(jīng)開始。而當(dāng)前的產(chǎn)業(yè)環(huán)境和發(fā)展趨勢對于規(guī)劃上市的廠商而言無疑是一大利好，若能成功上市，相關(guān)廠商有望通過上市后綜合競爭力的提升，更好地?fù)屨际袌黾t利。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

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據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，SiC封裝材料領(lǐng)域近期傳來了兩個積極的消息：燒結(jié)銀材料廠商深圳芯源新材料有限公司（以下簡稱“芯源新材料”）獲得比亞迪獨家投資；半導(dǎo)體封裝環(huán)氧塑封料廠商江蘇中科科化新材料股份有限公司（以下簡稱“中科科化”）啟動IPO輔導(dǎo)。

比亞迪獨家投資芯源新材料

昨日（7/30），芯源新材料宣布完成B輪融資，本輪融資由比亞迪獨家投資。

據(jù)了解，芯源新材料專注于以納米金屬產(chǎn)品為代表的半導(dǎo)體用散熱封裝材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)，面向功率半導(dǎo)體封裝、先進(jìn)集成電路封裝提供高散熱、高可靠的解決方案。2022年，該公司創(chuàng)新推出了低溫?zé)Y(jié)銅材料，成功將低溫?zé)Y(jié)關(guān)鍵技術(shù)擴(kuò)展至其他金屬材料，預(yù)計2024年底實現(xiàn)量產(chǎn)。

在第三代半導(dǎo)體SiC領(lǐng)域，芯源新材料主要提供燒結(jié)銀等材料，據(jù)稱是國內(nèi)第一家燒結(jié)銀上車的供應(yīng)商，已成功進(jìn)入比亞迪等頭部車企車型供應(yīng)鏈中。該公司預(yù)計到2024年底，終端客戶裝車總量將突破80萬臺。

據(jù)企查查顯示，作為2022年成立的初創(chuàng)企業(yè)，芯源新材料至今已完成四輪融資，投資方包含中南創(chuàng)投、深創(chuàng)投以及本次的比亞迪等。

今年6月，芯源新材料宣布將投資約9000萬元擴(kuò)產(chǎn)燒結(jié)銀產(chǎn)品，包括產(chǎn)線投入和產(chǎn)能升級，預(yù)計2025年底將投入使用，屆時產(chǎn)能可滿足3000萬輛車/年的需求，并且，燒結(jié)銀膏和銅線鍵合銅片價格預(yù)計會下調(diào)50~80%。

中科科化開啟IPO輔導(dǎo)

7月24日，中科科化在江蘇證監(jiān)局進(jìn)行IPO輔導(dǎo)備案登記，輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)為招商證券股份有限公司。據(jù)官方披露，中科科化擬在科創(chuàng)板上市。

中科科化成立于2011年，位于江蘇省泰州市海陵工業(yè)園區(qū)，由北京科化新材料科技有限公司（“北京科化”）創(chuàng)建（持股比例64.57%），其他股東包括國科投資、中化資本等。

值得注意的是，北京科化由中國科學(xué)院化學(xué)研究所于1984年創(chuàng)建，先后推出了化學(xué)所原創(chuàng)技術(shù)的國產(chǎn)502膠水、降溫母粒、環(huán)氧塑封料等十余類產(chǎn)品，其中，環(huán)氧塑封料技術(shù)已全部注入中科科化。

中科科化主要從事半導(dǎo)體封裝材料環(huán)氧塑封料產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，在北京、泰州分別設(shè)立研發(fā)中心，研發(fā)重點聚焦高密度集成電路先進(jìn)封裝、汽車電子、第三代半導(dǎo)體等應(yīng)用領(lǐng)域。此外，該公司還與中科院化學(xué)所建立了“電子封裝材料聯(lián)合實驗室”，簽訂了長期《產(chǎn)學(xué)研合作協(xié)議》。

從產(chǎn)品類別來看，中科科化的環(huán)氧塑封料產(chǎn)品涵蓋分立器件用、IC封裝用、先進(jìn)封裝用、第三代半導(dǎo)體封裝用及模組封裝用環(huán)氧塑封料，超高導(dǎo)熱率環(huán)氧塑封料，車規(guī)工規(guī)等級環(huán)氧塑封料等。其中，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)品系列具有低模量、高粘接、高可靠性等特點，適用于SiC/GaN芯片封裝。據(jù)悉，目前公司的下游客戶包括華天科技、通富微電、長電科技、華潤微電子、日月新集團(tuán)等國內(nèi)外封裝企業(yè)。

產(chǎn)能部分，中科科化現(xiàn)有8條環(huán)氧塑封料生產(chǎn)線，年產(chǎn)能超1.8萬噸。2023年9月，中科科化總投資5.2億元的二期工程竣工投產(chǎn)，項目主要建設(shè)12條環(huán)氧塑封料生產(chǎn)線，全部投產(chǎn)后環(huán)氧塑封料總產(chǎn)能將達(dá)3萬噸/年。

資本市場布局方面，中科科化于2022年引入戰(zhàn)略投資（3.1億元融資），完成股份制改制，如今在此基礎(chǔ)上開啟上市輔導(dǎo)，為在科創(chuàng)板上市做好準(zhǔn)備，表明其正在深化資本市場布局，側(cè)面反映公司的研發(fā)實力、業(yè)務(wù)開拓能力及經(jīng)營情況積極向好。

SiC材料廠站上國產(chǎn)替代、降本增效風(fēng)口

僅就SiC等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來看，芯源新材料、中科科化兩家材料廠商所在的環(huán)節(jié)雖然不是產(chǎn)業(yè)鏈的主要環(huán)節(jié)，但重要性正在不斷凸顯，尤其是在國產(chǎn)替代進(jìn)程加速以及SiC產(chǎn)業(yè)鏈降本增效需求不斷增長的背景下，這也意味著相關(guān)廠商將迎來可觀的增量空間。

國產(chǎn)替代方面，中科科化從事的環(huán)氧塑封料將在半導(dǎo)體封裝國產(chǎn)替代歷史時期下迎來加速發(fā)展的機(jī)會。據(jù)悉，環(huán)氧塑封料作為一種熱固性化學(xué)材料，是由環(huán)氧樹脂為基體，加入固化劑、填料及多種助劑混配而成，主要為芯片提供隔絕、保護(hù)、散熱等作用。目前，絕大部分微電子器件都采用環(huán)氧塑封料，其在芯片封裝材料成本中的占比為10-20%。

在第三代半導(dǎo)體應(yīng)用中，SiC芯片通常是在高壓、高溫等嚴(yán)苛環(huán)境下工作，尤其是車規(guī)級SiC芯片，這對于封裝材料在電氣絕緣性能、抗電弧能力、熱管理能力、機(jī)械強(qiáng)度以及成本效益等方面提出了挑戰(zhàn)的同時，也帶來了持續(xù)的需求。

目前，除了中科科化之外，國內(nèi)相關(guān)廠商也在積極開拓SiC用環(huán)氧塑封料市場，搶抓國產(chǎn)替代的機(jī)會。例如，上海道宜半導(dǎo)體材料有限公司今年2月便完成了數(shù)千萬元PreA++輪融資，該公司目前多款用于功率模塊封裝、QFN、BGA等領(lǐng)域的封裝材料已在多個國際客戶完成測試并實現(xiàn)首次國產(chǎn)替代。針對電動汽車市場，道宜半導(dǎo)體近年來積極推進(jìn)基于車規(guī)級IGBT和SiC功率模塊開發(fā)的環(huán)氧模塑封料，持續(xù)加大研發(fā)投入并推動擴(kuò)產(chǎn)。

至于芯源新材料提供的燒結(jié)銀材料，在SiC領(lǐng)域的降本方面扮演著重要的角色，而且目前國內(nèi)燒結(jié)銀材料也有“卡脖子”難題，相關(guān)廠商的布局正在緊鑼密鼓推進(jìn)中。

據(jù)芯源新材料介紹，燒結(jié)銀材料是SiC芯片的“最佳搭檔”，而其自主研發(fā)的產(chǎn)品可幫助客戶實現(xiàn)SiC模塊的雙面銀燒結(jié)技術(shù)（在散熱性能、可靠性上表現(xiàn)出色）。此外，其提供的芯片級銀膏可以實現(xiàn)在裸銅DBC/AMB上進(jìn)行芯片燒結(jié)，能夠簡化制程，降低客戶成本。

在燒結(jié)銀材料領(lǐng)域，國際市場上以賀利氏為代表。該公司去年底通過收購SiC襯底供應(yīng)商Zadient的多數(shù)股份，正式進(jìn)軍SiC市場。

除了國產(chǎn)替代的機(jī)遇和降本的大勢所趨之外，結(jié)合SiC襯底和芯片等環(huán)節(jié)的擴(kuò)產(chǎn)計劃以及SiC往8英寸發(fā)展的趨勢來看，燒結(jié)銀材料、環(huán)氧塑封料等封裝材料都將迎來可持續(xù)增長的需求，相關(guān)廠商有望在此機(jī)遇下擴(kuò)大規(guī)模和市占率。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

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