文章分類： 企業(yè)

韓國APROSEMICON公司新建GaN生產(chǎn)基地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:45 |
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據(jù)外媒消息，近日，韓國APROSEMICON公司（首席執(zhí)行官Jonghyun Lim）將把其光州總部遷至慶北龜尾，并投資600億韓元（折合人民幣約3.3億元）建設(shè)以氮化鎵 (GaN) 為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。 為此，該公司于12日與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄。Apros...  [詳內(nèi)文]

數(shù)千萬！SiC MOSFET廠商至信微電子完成A輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 |
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近日，深圳市至信微電子有限公司（以下簡稱至信微電子）宣布完成數(shù)千萬元A輪融資，本輪融資由深智城產(chǎn)投、正景資本、揚子江基金、太和基金共同投資，融資資金將用于加速公司產(chǎn)品研發(fā)、團隊擴建以及市場拓展等。 資料顯示，至信微電子成立于2021年11月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)的...  [詳內(nèi)文]

南京國盛第一枚GaN on Si外延片正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 |
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12月22日，電科材料下屬國盛公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。 據(jù)介紹，GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強等優(yōu)勢，制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢，具有較強的競爭力。國盛公司制備的GaN on Si外延片，可以滿足電...  [詳內(nèi)文]

斥資50億！光谷打造化合物半導(dǎo)體企業(yè)總部園區(qū)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
12月20日，武漢東湖高新區(qū)（以下簡稱光谷）宣布投資50億元建設(shè)化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地，選址九峰山實驗室南面，計劃明年開工，后年投用。作為總部園區(qū)，力爭在3年內(nèi)引育企業(yè)100家。 據(jù)悉，九峰山實驗室是湖北十大實驗室之一，已建成化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科研及中試平臺。該總部園區(qū)將利...  [詳內(nèi)文]

晶盛機電實現(xiàn)8英寸襯底批量生產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:35 |
| 分類: 企業(yè)
12月21日，晶盛機電在回答投資者提問時表示，公司8英寸碳化硅（SiC）襯底片已實現(xiàn)批量生產(chǎn)，量產(chǎn)晶片的核心位錯達到行業(yè)領(lǐng)先水平。 據(jù)悉，晶盛機電自2017年開始SiC晶體生長設(shè)備和工藝研發(fā)，經(jīng)過幾年沉淀，今年已經(jīng)迎來收獲期。今年2月4日，晶盛機電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設(shè)...  [詳內(nèi)文]

生產(chǎn)率增長100%！Riber外延設(shè)備獲美系客戶認證

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:52 |
| 分類: 企業(yè)
昨日（12/19）,美國分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE）設(shè)備供應(yīng)商Riber宣布，MBE 8000平臺已獲得美國外延生產(chǎn)商的最終認證通過。 圖片來源：Riber 據(jù)介紹，MBE 8000可批量生長8片6英寸外延或4片8英寸外延，相比市面上現(xiàn)有...  [詳內(nèi)文]

時代電氣取得高壓SiC電機控制器專利

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:44 |
| 分類: 企業(yè)
天眼查資料顯示，12月12日，株洲中車時代電氣股份有限公司（以下簡稱時代電氣）公開一項“一種高壓SiC電機控制器及包含其的電動汽車”專利，申請公布號CN117220562A，申請日期為2023年8月30日。 該專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種高壓SiC電機控制器及包含其的電動汽車，...  [詳內(nèi)文]

聚焦SiC單晶襯底，世紀金芯和湖南S公司達成戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:42 |
| 分類: 企業(yè)
近日，合肥世紀金芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱世紀金芯）與湖南S公司正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方將圍繞碳化硅（SiC）單晶襯底在業(yè)務(wù)和技術(shù)方面推行戰(zhàn)略合作，年合作不低于5萬片，交易金額超過2億元。 資料顯示，世紀金芯成立于2019年12月，致力于第三代半導(dǎo)體SiC功能材料研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

晶盛機電：SiC生長設(shè)備自研自用，外延設(shè)備外銷

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 19 日 13:43 |
| 分類: 企業(yè)
12月19日，晶盛機電在投資者互動平臺表示，公司碳化硅（SiC）生長設(shè)備為自研自用，對外銷售SiC外延設(shè)備。SiC襯底及外延片利潤情況受其市場價格、綜合成本等因素影響，隨著公司長晶及加工技術(shù)、成本控制的不斷優(yōu)化，預(yù)期未來利潤將因此受益。 source:晶盛機電 在SiC設(shè)備方面...  [詳內(nèi)文]

通用智能交付8英寸SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 18 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
12月16日，河南通用智能裝備有限公司（以下簡稱通用智能）自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產(chǎn)線正式交付客戶。 據(jù)通用智能介紹，由于SiC高硬度、高脆性特點，在SiC器件制造領(lǐng)域存在一個難點——晶錠分割工藝過程。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低且損耗高。...  [詳內(nèi)文]