近期，東尼電子、拓荊科技、東微半導三家碳化硅相關企業(yè)披露2024年業(yè)績預告。
東尼電子預計2024年業(yè)績扭虧為盈
1月19日晚間，東尼電子公告，經(jīng)財務部門初步測算，預計公司2024年度實現(xiàn)凈利潤1000萬元到1500萬元，同比將實現(xiàn)扭虧為盈；預計2024年度實現(xiàn)扣非凈利潤-7800萬元到-7300萬元。
東尼電子表示，上述業(yè)績變動主要因報告期內(nèi)公司資產(chǎn)減值損失大幅減少；消費電子、新能源等各業(yè)務的毛利額較上年同期均有增長；優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結構、控制研發(fā)投入導致研發(fā)費用下降。另外，報告期內(nèi)，公司政府補助等非經(jīng)營性損益較上年同期增長。
資料顯示，東尼電子專注于超微細合金線材、金屬基復合材料及其它新材料的應用研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，其生產(chǎn)的產(chǎn)品主要應用于消費電子、醫(yī)療、太陽能光伏、新能源汽車、半導體新材料五大領域。碳化硅方面，東尼電子在碳化硅襯底材料方面有研發(fā)和生產(chǎn)，是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要企業(yè)。
2021年東尼電子非公開發(fā)行募投項目“年產(chǎn)12萬片碳化硅半導體材料”，該項目位于湖州市吳興區(qū)織里鎮(zhèn)，已于2023年上半年實施完畢。去年3月18日，湖州市生態(tài)環(huán)境局公示了對東尼電子擴建SiC項目的環(huán)評文件審批意見。根據(jù)公告內(nèi)容，東尼半導體計劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實施擴建年產(chǎn)20萬片6英寸SiC襯底材料項目。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
拓荊科技預計2024年營收同比增逾四成
1月20日晚間，拓荊科技披露2024年年度業(yè)績預告，預計公司2024年年度實現(xiàn)營業(yè)收入40億元至42億元，與上年同期相比增加12.95億元至14.95億元，同比增長47.88%至55.27%。
資料顯示，拓荊科技專注于研發(fā)和生產(chǎn)高端半導體專用設備，產(chǎn)品線包括離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。
今年上半年，拓荊科技超高深寬比溝槽填充CVD設備、PE-ALD SiN工藝設備、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工藝設備等新產(chǎn)品及新工藝已經(jīng)下游用戶驗證導入。
去年12月末，拓荊科技發(fā)布公告，公司控股子公司拓荊鍵科(海寧)半導體設備有限公司(簡稱“拓荊鍵科”)擬與上海稷以科技有限公司(簡稱“稷以科技”)簽訂設備采購合同，合同總金額約人民幣1000萬元(含稅)。本次擬采購碳化硅刻蝕設備一臺，本次設備采購將有助于提高拓荊鍵科的生產(chǎn)能力，為新產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化提供保障。
東微半導預計2024年凈利潤盈利最高4,700萬元
近日，東微半導發(fā)布公告稱，預計2024年1-12月歸屬于上市公司股東的凈利潤盈利為3,200萬元至4,700萬元，同比上年下降66.43%至77.15%；預計2024年1-12月營業(yè)收入為97,500萬元至102,000萬元,同比上年增長0.22%至4.85%。
資料顯示，東微半導是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術驅(qū)動型半導體企業(yè),產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關等中大功率應用領域。
目前，東微半導第一代及第二代1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已通過可靠性測試工作并開始獲得客戶訂單，其中第二代碳化硅MOSFET已在2024年推出多個產(chǎn)品。與此同時，東微半導體正在研發(fā)650V/750V/1200V的第三代、第四代碳化硅MOSFET。（集邦化合物半導體Flora整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。