12月20日，據(jù)青禾晶元官微消息，青禾晶元近日與中科院微電子所高頻高壓中心及南京電子器件研究所合作，共同基于6英寸Emerald-SiC復(fù)合襯底，成功研發(fā)出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。
source：青禾晶元
據(jù)了解，目前，可用于MOSFET制造的無(wú)缺陷襯底（即“高質(zhì)量”襯底）的成品率通常僅為40%-60%。在6-8英寸SiC的生長(zhǎng)和提純過(guò)程中產(chǎn)生的低等級(jí)襯底（即“低質(zhì)量”襯底）通常被作為陪片甚至廢料處理，導(dǎo)致高質(zhì)量SiC襯底的生產(chǎn)成本較高，通常占最終MOSFET器件成本的50%以上。
為應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，青禾晶元攜手中科院微電子所等合作單位在國(guó)際上首次提出了一種新型6英寸單晶SiC復(fù)合襯底，通過(guò)表面活化鍵合技術(shù)和離子注入剝離技術(shù)，將高質(zhì)量SiC薄層鍵合轉(zhuǎn)移到低質(zhì)量單晶SiC襯底上，實(shí)現(xiàn)了低質(zhì)量單晶SiC襯底有效使用，每個(gè)高質(zhì)量SiC晶圓可重復(fù)使用超過(guò)30次（即每個(gè)高質(zhì)量晶圓可以產(chǎn)生超過(guò)30個(gè)薄層），預(yù)計(jì)成本降低40%。
據(jù)觀察，復(fù)合襯底已成為碳化硅乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一大技術(shù)突破方向，已吸引部分廠商涉足，除青禾晶元外，達(dá)波科技近期也披露了碳化硅復(fù)合襯底相關(guān)進(jìn)展。
達(dá)波科技首條4/6英寸碳化硅基壓電復(fù)合襯底生產(chǎn)線于11月23日在其上海臨港工廠正式貫通。
據(jù)悉，碳化硅基壓電復(fù)合襯底是一種由碳化硅和其他材料復(fù)合而成的材料，具有高硬度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)。這種材料在多個(gè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，特別是在電子、光電和機(jī)械行業(yè)中。
在電子行業(yè)，碳化硅基壓電復(fù)合襯底被廣泛應(yīng)用于制造高功率LED和功率器件，其優(yōu)異的導(dǎo)熱性能可以有效降低設(shè)備的溫度，提高設(shè)備的壽命和可靠性；在光電行業(yè)中，碳化硅基壓電復(fù)合襯底用于制造太陽(yáng)能電池板和激光器，其高硬度和高熱導(dǎo)率可以有效提高器件的效率和性能。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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