19日，湖南三安半導體項目最大單體M2B芯片廠房完成封頂。標志著湖南三安第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目(一期)Ⅰ標段主體工程完工，預計今年6月份有望實現(xiàn)全面投產(chǎn)。
圖片來源：長沙晚報
據(jù)悉，該棟廠房占地面積為2.32萬平方米，建筑面積5.23萬平方米，鋼構大屋面面積1.65萬平米。
此前，湖南三安半導體項目（一期）Ⅰ標段已相繼完成M3器件封裝廠房、M4碳化硅長晶廠房和濺鍍廠房位主體結構封頂。
據(jù)了解，湖南三安半導體項目總占地面積1000畝，總投資160億元，項目分兩期建設，主要包含具有自主知識產(chǎn)權的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地的建設。
該項目建成達產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預計逾千億元。（來源：長沙晚報、LEDinside整理）
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